公开(公告)号：CN117156956A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311076782.2

申请日：2023-08-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周兴 ,  刘鹏斌 ,  许翔 ,  翟天佑

IPC: H10N52/01 ,  H10N52/85 ,  H10N52/00 ,  C01B19/00

Abstract: 本发明涉及纳米半导体材料领域，公开了一种二维CuCrSe2‑CuCr2Se4横向磁性异质结的制备方法，包括(1)以碘化铜作为铜源，铬粉与碘化钾混合作为铬源，将铜源和铬源放置在单温区管式炉下游的石英套管中；碘化铜、铬粉和碘化钾的质量比为(4～6):1:2；(2)将硒粉放置在单温区管式炉上游，通过载气将硒蒸气带入单温区管式炉下游使其与铜源和铬源反应；反应温度设置为840℃～860℃，保温时间为3～5min，得到二维纯相CuCrSe2产物；(3)在步骤(2)后延长保温时间至至不超过7min，制备得到二维CuCrSe2‑CuCr2Se4横向磁性异质结。本发明中套管限域的设置为反应体系提供较低的前驱体流动速率及稳定的生长环境，共同限制CuCrSe2的面外生长，通过调控保温时间控制相转变的程度合成高质量、纯相的二维CuCrSe2‑CuCr2Se4横向磁性异质结。