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公开(公告)号：CN115558897B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211109750.3
申请日：2022-09-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于气敏传感器相关技术领域，其公开了一种气敏传感器及其制备方法与应用，该制备方法包括以下步骤：(1)将二维半导体材料转移到衬底上；(2)通过紫外光刻技术将插指电极图案转移到二维半导体材料上，曝光显影后将插指电极周围衬底上的氧化层刮破，以此作为栅极导通接触点；(3)通过磁控溅射在得到的样品上沉积Ti/Pt后去除样品上多余的金属薄膜，以得到二维半导体微纳器件。(4)将二维半导体微纳器件附着在PCB基板上，先使用金丝球焊机完成引线键合，再使用电洛铁将DIP排针锡焊到PCB板上，以得到气敏传感器。本发明在封装环节使用COB(Chip On Board)技术，省去了中间陶瓷基座的使用，进一步降低了成本。
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公开(公告)号：CN116365888A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310345953.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽电压范围的并联型变换器系统，包括两双向开关、两并联的双向CLLC谐振变换器和一控制驱动电路，两双向CLLC谐振变换器均包括以一高频变压器耦合连接的原边侧和副边侧，原边侧和副边侧均包括一全桥电路和一谐振腔，全桥电路包括并联相连的两桥臂，各桥臂均由两源漏相连的第一功率开关管组成；双向开关由两漏极相连的第二功率开关管组成；控制驱动电路用于根据所需输出电压和所需工作方向，调整两双向CLLC谐振变换器和两双向开关中的功率开关管的驱动信号，切换系统的六种工作模式，使系统在所需工作方向下的电压增益至所需输出电压。本发明在具有大功率容量特点的同时，还能有效拓宽系统的输出电压范围。
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公开(公告)号：CN115711686A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211241787.1
申请日：2022-10-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01K11/324 , G02B6/245 , G02B6/255
Abstract: 本发明属于微纳光纤制备相关技术领域，其公开了一种基于二氧化钒的微纳光纤温度传感器及其制备方法，包括以下步骤：(1)将单模光纤表面的涂覆层去掉一部分后，刻蚀去掉涂覆层区域的光纤包层或者采用熔融拉伸法对去掉涂覆层区域加热及拉伸以得到微纳光纤；(2)通过磁控溅射将金属钒镀到微纳光纤的刻蚀区域或者拉伸区域以得到纳米级别厚度的金属钒膜；(3)将镀膜后的微纳光纤在惰性气氛下进行退火处理以使得金属钒膜转变成M相二氧化钒膜，得到微纳光纤温度传感器。本发明采用磁控溅射镀金属膜后用管式炉退火的方法得到二氧化钒薄膜，可控的制备二氧化钒薄膜，纯净的二氧化钒M相薄膜可以稳定重复的制备，而且可以自主选择镀膜的厚度。
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公开(公告)号：CN115558897A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211109750.3
申请日：2022-09-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于气敏传感器相关技术领域，其公开了一种气敏传感器及其制备方法与应用，该制备方法包括以下步骤：(1)将二维半导体材料转移到衬底上；(2)通过紫外光刻技术将插指电极图案转移到二维半导体材料上，曝光显影后将插指电极周围衬底上的氧化层刮破，以此作为栅极导通接触点；(3)通过磁控溅射在得到的样品上沉积Ti/Pt后去除样品上多余的金属薄膜，以得到二维半导体微纳器件。(4)将二维半导体微纳器件附着在PCB基板上，先使用金丝球焊机完成引线键合，再使用电洛铁将DIP排针锡焊到PCB板上，以得到气敏传感器。本发明在封装环节使用COB(Chip On Board)技术，省去了中间陶瓷基座的使用，进一步降低了成本。
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公开(公告)号：CN111290075B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010231292.5
申请日：2020-03-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单模式光纤及多芯光纤耦合器，属于光纤技术领域。单模式光纤包括从内到外依次设置的纤芯，第一外包层，下陷外包层和机械包层，各自内部的折射率均匀分布；纤芯和第一外包层的分界面处折射率发生突变，下陷外包层与机械包层的分界面处折射率发生突变，下陷外包层的折射率小于机械包层的折射率。光纤耦合器包括套管和单模式光纤，单模式光纤嵌套在套管中且套管一端被拉锥；套管拉锥的一端用于与多芯光纤熔接；未拉锥一端中的每根单模式光纤分别与对应的标准单模光纤熔接，本发明解决了现有多芯光纤耦合器损耗较大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110260897A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910527887.2
申请日：2019-06-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01D5/353
Abstract: 本发明公开了一种布里渊光时域分析仪去噪方法，包括如下步骤：S1：扫描探测光的频率并检测探测光的强度增益，获得沿光纤长度分布的的布里渊增益谱；S2：通过字典学习算法训练布里渊增益谱，获得对应于布里渊增益谱每个位置的稀疏表示系数和稀疏表示字典；S3：将布里渊谱分解成多个子矩阵方块，在布里渊增益谱的局部稀疏表示上添加全局先验条件，利用所述布里渊增益谱的稀疏表示系数和稀疏表示字典进行全局平均；S4：将平均后的子矩阵方块重整得到去噪的布里渊增益谱；本发明中，由于噪声不具有稀疏性的特点，在对布里渊增益谱进行稀疏表示的同时会对噪声进行滤除，为布里渊光时域分析系统提供了一种新的数据处理方法，处理速度快、耗时少。
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公开(公告)号：CN109239845B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811089100.0
申请日：2018-09-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光纤通信和传感技术领域，更具体地，涉及一种多芯光纤耦合器及其制备方法。将若干前端已被去掉涂覆层而后端仍保留涂覆层的单模光纤插入经过第一次拉锥的圆形套管中，然后在同一位置进行第二次拉锥，使得单模光纤被圆形套管固定，再对第二次拉锥锥区进行第三次拉锥，使锥腰部分和多芯光纤包层直径大小一致，对锥腰部分进行切割，最后直接和多芯光纤熔接，完成多芯耦合器的制备。本发明提供的基于低熔点套管的多芯光纤耦合器制备方法，具有可扩展性好，制备简单，精度高，成品率高的特点。
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公开(公告)号：CN105785511B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201610328915.4
申请日：2016-05-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于拉锥自组装的多芯光纤耦合器制备方法，包括如下步骤：单模光纤预处理，制备单模光纤束端，玻璃套管拉锥，玻璃套管切割及熔接；将若干前端已被腐蚀而后端仍带有涂覆层的单模光纤完全插入玻璃套管中，然后将玻璃套管竖直，使用氢氧焰对玻璃套管进行拉锥，拉锥位置为单模光纤已被腐蚀的部分，再对锥区部分进行切割抛光，最后直接与多芯光纤熔接，完成多芯光纤耦合器制备。本发明提供的基于拉锥自组装的多芯光纤耦合器制备方法，具有可扩展性好，成品率高，工艺简洁，操作简单的特点。
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公开(公告)号：CN105911647B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610328855.6
申请日：2016-05-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/38
Abstract: 本发明公开了一种多芯扇入扇出模块耦合封装系统，包括光源、四维调整架、六维调整架、第一夹具、第二夹具、第一陶瓷插芯、第二陶瓷插芯、单芯光纤束、多芯光纤、直角棱镜、第一CCD、第二CCD和光功率计，单芯光纤束插入第一陶瓷插芯，多芯光纤插入第二陶瓷插芯；第一夹具上放置并固定单芯光纤束，第二夹具上放置并固定多芯光纤；四维调整架上放置并固定第一夹具，六维调整架上放置并固定第二夹具；光源与单芯光纤束各尾纤分别连接，光功率计与多芯光纤连接；第一CCD、第二CCD分别与显示器相接；直角棱镜置于单芯光纤束与多芯光纤之间，其下方设置一移动载物板。本发明能够提高多芯扇入扇出模块耦合封装效率，操作方便，并且提高了产品成品率。
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公开(公告)号：CN105204119A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510691273.X
申请日：2015-10-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/26
Abstract: 本发明公开了一种基于微孔加工的多芯光纤耦合器制备方法，包括如下步骤：光纤束制备与多芯光纤预处理，光纤束套管和多芯光纤套管制备，制备光纤束端和多芯光纤端，对准封装；采用机械钻孔或激光打孔方式在圆柱体套管中进行微孔加工以获得光纤束套管和多芯光纤套，使套管中精密分布若干均匀微型通孔将经过腐蚀后的多芯光纤和光纤束置于套管的微孔中，经紫外胶或热固化胶固定，由抛光机抛光端面，再经六维调整平台对准，由玻璃套管经紫外胶固定，或使用熔接机对准熔接固定，完成多芯光纤耦合器制备。本发明提供的基于微孔加工的多芯光纤耦合器制备方法，具有适应性强，成本低，精度高，损耗低的特点。
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