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公开(公告)号：CN112271143A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011024268.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种硅片膜层腐蚀剩余厚度的监控方法，包括：在硅片的边缘部分预定义监控图形区域；在监控图形区域内对硅片的正面光刻、刻蚀深度为D1的第一观察槽以及深度为D2的第二观察槽，D1为硅片膜层腐蚀剩余厚度的上限值，D2为硅片膜层腐蚀剩余厚度的下限值；在监控图形区域内在硅片的正面与背面分别生长厚度为D3的二氧化硅层；S4、在监控图形区域内对硅片的背面光刻、刻蚀二氧化硅层形成深度为D3的第三观察槽；从硅片的背面进行各向异性腐蚀，第三观察槽跟随硅片一同被腐蚀；通过光学显微镜由第三观察槽作为观察窗口，观察第一观察槽与第二观察槽的图形可视化情况，判断硅片膜层腐蚀剩余厚度是否满足目标要求。
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公开(公告)号：CN106153241A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610715473.9
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种MEMS电容式压力传感器，包括衬底与压力应变膜片，压力应变膜片通过锚体固定于衬底上方；压力应变膜片底面中心键合有质量块，质量块四周沿X轴与Y轴分别设有可动梳齿电极；衬底顶部四周沿X轴与Y轴分别设有固定梳齿电极，可动梳齿电极与固定梳齿电极一一对应形成配合；每一对相互对应配合的可动梳齿电极与固定梳齿电极在Z轴方向形成零位差；压力应变膜片感应的压力传递给质量块，质量块带动可动梳齿电极沿Z轴移动，可动梳齿电极与固定梳齿电极正对面积的变化带来电容的变化，实现压力的测量；梳齿电极之间的相对移动是完全呈整体性的平行移动，正对面积的变化完全是线性的，使得电容的变化具有良好的线性度，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN104355286B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410535339.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种全硅MEMS器件，由衬底SOI硅片(17)、结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片(16)经硅硅直接键合后组成，其特征在于：结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片的顶层硅(6)采用低阻硅；盖帽SOI硅片的顶层硅(6)制成电互联线，通过键合面(5)与结构层硅进行硅硅直接键合，将该处结构层的电信号通过电互联线引出到盖帽SOI硅片中的硅电极(9)，与设置在硅电极(9)上的压焊点(3)电学连接，硅电极(9)与结构层硅硅直接键合。本发明优点在于：采用盖帽层体硅引线，避免结构层刻蚀反溅损伤；采用两次硅硅直接键合，无残余应力，硅硅直接键合气密性好，真空封装时无需额外添加吸气剂，能够有效降低成本。
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公开(公告)号：CN103575216B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310588119.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明公开一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法，将清洁后的硅深腔构件(1)作为模具，使用聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)倒入硅深腔构件(1)内进行铸摸，脱模后即得到凸起的具有硅深腔构件内表面形貌特征的聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)，对聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)外部形貌参数进行检测，然后进行反推运算即可得知硅深腔构件(1)内表面的形貌参数，检测过程简单方便，且无需破坏深腔构件(1)，能够有效地降低检测成本。
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公开(公告)号：CN102862947B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210346195.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103575216A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310588119.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明公开一种用于微机电构件硅深腔的无损检测方法，将清洁后的硅深腔构件(1)作为模具，使用聚二甲基硅氧烷铸模材料(2)倒入硅深腔构件(1)内进行铸摸，脱模后即得到凸起的具有硅深腔构件内表面形貌特征的聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)，对聚二甲基硅氧烷铸模模型(3)外部形貌参数进行检测，然后进行反推运算即可得知硅深腔构件(1)内表面的形貌参数，检测过程简单方便，且无需破坏深腔构件(1)，能够有效地降低检测成本。
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公开(公告)号：CN102967729A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210344083.7
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明一种压阻式MEMS加速度计，其特征在于它由第一质量块（4）、第二质量块（6）以及玻璃衬底（10）通过键合连接组成，第一质量块（4）中设有悬臂梁（9），悬臂梁上制有压敏电阻（2）及铝引线（3），第二质量块（6）设有加强链（8）。本发明具有如下优点：将梁-岛式结构与加强链式结构结合在一起，实现了较高的灵敏度与较高的固有频率；加强链式结构有效的提高了加速度计的抗冲击能力，避免了恶劣环境下加速度计的失效问题，并能够承受更高的横向加速度，降低了交叉轴灵敏度，进一步提高了加速度计性能。
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公开(公告)号：CN102079502A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010571925.3
申请日：2010-12-03
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 一种MEMS器件及其圆片级真空封装方法，由玻璃基片(1)、带有密封环(2)的硅片敏感结构层和硅帽(9)组成，其特征在于：硅片敏感结构层中设有至少两个硅岛(11)，每个硅岛(11)的下面与玻璃基片(1)以及电极引线(8)连接，每个硅岛(11)上面分别设有压焊点(6)；硅帽上与每个硅岛对应位置分别设有一个压焊点空腔(7)，使压焊点(6)处于压焊点空腔(7)内，压焊点空腔外围设有压焊点密封环(12)与硅岛上面连接配合，压焊点密封环外围设有压焊点隔离槽(5)。本发明的优点在于：避免了电极从衬底基板引入到器件结构层表面，对压焊点的密封结构与压焊点间的电隔离技术问题。使得本发明真空封装结构设计合理、工艺简单、真空保持时间长、性能可靠、具有通用性，降低了真空封装成本。
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公开(公告)号：CN117289566A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311329911.4
申请日：2023-10-16
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种提升双面光刻对准精度的方法，包括以下步骤：制作掩膜板，它具有用于晶圆正面的第一步进对准标记、第一套刻检查标记和第一层图形，用于晶圆反面的第二步进对准标记、第二套刻检查标记和第二层图形；取硅晶圆，在晶圆正面光刻第一步进对准标记、第一套刻检查标记和第一层图形；在晶圆背面光刻第二步进对准标记、第二套刻检查标记；利用双面套刻检查设备，测量第一、第二套刻标记的偏差参数；将测得的套刻偏差参数补偿到背面的光刻程序中，利用第二步进对准标记进行对准，光刻第二层图形。本发明将测量第一、第二套刻标记的偏差参数，补偿到背面的光刻程序中光刻第二层图形，提高双面光刻对准精度至纳米量级。
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公开(公告)号：CN116295542A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211515863.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种提高N型压阻传感器结隔离特性的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤S1在P型硅晶圆上，进行光刻、大剂量磷注入、去胶，形成重掺杂区；S2光刻、按设计要求进行磷注入、去胶，形成压敏电阻；S3光刻、硼注入、去胶，形成P型隔离环结构6；S4退火、氧化，形成绝缘层；S5光刻、刻蚀、去胶，在绝缘层上形成接触孔；S6溅射、光刻、刻蚀、去胶，形成金属引线。本发明步骤简单，实施方便，通过隔离环有效阻断N型压阻传感器与其他功能端口之间电子迁移通道，降低漏电流，提高产品性能和可靠性。
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