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公开(公告)号：CN113794847B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111111192.X
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H04N25/71 , H04N25/779
Abstract: 本发明涉及一种用于电子倍增CCD的多路可调脉冲信号源，包括上位计算机和相连的主控模块，主控模块连接多路脉冲可调信号源；上位计算机将设置的高低电平值转换为数字信号传输给主控模块，主控模块控制多路脉冲信号源生成不同的时序波形提供给电子倍增CCD电路，通过上位计算机任意调节脉冲信号源的高低电平值，最小设置精度达到毫伏级，波形建立时间达到纳秒级，方便设置任意一路EMCCD电路脉冲时序的高低电平，以达到其最佳成像效果。每路信号源具有瞬间大电流驱动能力，满足EMCCD电路高频大容性负载的驱动需求，驱动能力达到数百毫安，远远超过普通运放输出所能达到的电流范围。同时每路信号源均具有过流保护功能，防止因电流过大对驱动电路造成损伤。
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公开(公告)号：CN115718244A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211343384.8
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种用于硅基片上多芯片集成的中试评价方法，包括：a.设置测试系统和适配器；b.PCB板（7）上设有开窗（10），使用导电胶将硅基片（1）边缘不带有电气连接部分粘接到PCB板开窗边缘，利用键合丝（3）将硅基片上测试用PAD点（2）与PCB板上PAD点（4）进行键合，PCB板上PAD点通过PCB板布线（5）与排针焊盘（6）连接，排针焊盘焊接直插排针；c.将焊接直插排针插入适配器上，运行测试系统软件，根据设定的门限自动判断电路测试数据是否合格。本发明可以对研制过程中的硅基片上多芯片集成进行过程监控，可以在每颗芯片组装后进行整体的测试评估，有效的定位失效位置，避免后续全部安装后无法进行失效分析。
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公开(公告)号：CN112269075A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026774.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种EMCCD电荷转移效率的测试方法，包括以下步骤：a、采用非倍增模式，测量EMCCD的非倍增输出信号电荷在转移前的数值V2，并记录此时所有的交直流电极数据、温度数据与光照数据；b、采用倍增模式，交直流电极数据、温度数据与光照数据按照步骤a执行，单独调节倍增电极，测量EMCCD的倍增输出信号电荷在转移前的数值V1；c、将V1与V2代入公式，计算得到EMCCD电荷转移效率；该方法基于EMCCD已有的版图结构，无需更改电路版图与工艺，能够对EMCCD的电荷转移效率准确的测试与计算。
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公开(公告)号：CN110687423A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910956340.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种EMCCD倍增增益测试方法，包括以下步骤：a、选择EMCCD的待测像元，对待测像元施加电源与时钟信号，在无光条件下，测试得到像元输出Udark；在对应的光照条件下，逐级增加倍增电压，得到有光条件下的像元输出Vout；根据公式MRG=（Vout-Udark）/Udark计算倍增增益，公式中MRG为倍增增益；b、计算出白缺陷、暗缺陷与盲元像素，剔除缺陷像元；c、拟合倍增电极与倍增增益的关系曲线；通过不断地施加倍增电极电压，记录倍增电压值与此时倍增增益计算值，描绘倍增增益曲线图，可以清晰给出倍增电极电压与倍增增益的关系，填补了国内外的空白。
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公开(公告)号：CN112345119B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202011024236.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种半导体晶圆温度标定系统，包括高低温探针平台，以及相互电连接的温度采集器与上位机，标定系统还包括矩阵开关与五只半导体温度传感器，五只半导体温度传感器分别焊接在晶圆表面的五个不同区域；晶圆置于高低温探针平台内，五只半导体温度传感器通过矩阵开关与温度采集器相连；高低温探针台对晶圆由低到高、间隔设置施加一组传导温度；在每个传导温度点，五只半导体温度传感器分别将晶圆自身的五个区域温度通过矩阵开关、温度采集器依次传递至上位机；上位机绘制晶圆各区域高低温探针台的设置传导温度与晶圆自身温度的对应关系图；得到晶圆的温度标定数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110687423B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201910956340.4
申请日：2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种EMCCD倍增增益测试方法，包括以下步骤：a、选择EMCCD的待测像元，对待测像元施加电源与时钟信号，在无光条件下，测试得到像元输出Udark；在对应的光照条件下，逐级增加倍增电压，得到有光条件下的像元输出Vout；根据公式MRG=（Vout‑Udark）/Udark计算倍增增益，公式中MRG为倍增增益；b、计算出白缺陷、暗缺陷与盲元像素，剔除缺陷像元；c、拟合倍增电极与倍增增益的关系曲线；通过不断地施加倍增电极电压，记录倍增电压值与此时倍增增益计算值，描绘倍增增益曲线图，可以清晰给出倍增电极电压与倍增增益的关系，填补了国内外的空白。
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公开(公告)号：CN105372574A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510664513.7
申请日：2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种半导体芯片晶圆毫伏级信号测试系统，包括ASL1000测试平台，ASL1000测试平台的输出接口连接有测试夹具与探针卡，探针卡上设有分压电路、继电器以及与待测晶圆相配合的探针，所述测试夹具与探针配合连接；ASL1000测试平台向测试夹具输出电源信号与控制信号，并通过探针分别施加在待测晶圆的电源输入端与控制输入端，ASL1000测试平台向分压电路输出测试信号，并控制继电器的通断；分压电路将接收的测试信号分压处理为毫伏级信号，毫伏级信号依次通过继电器的触点与探针施加在待测晶圆的信号输入端；测试信号经由线路传输，毫伏级信号施加在晶圆上进行测试，实现大信号传输、小信号测试的目的，能够避免对晶圆测试时毫伏级信号的衰减，结构简单，通用性强。
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公开(公告)号：CN118699611A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411022797.5
申请日：2024-07-29
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B23K26/70 , B23K26/00 , B23K37/04 , B23K101/40
Abstract: 本发明公开了一种激光修条晶圆片治具，包括底盘以及开设有可放置晶圆片的凹槽的顶盘，且所述底盘以及所述顶盘相应凹槽处的四周分别开设有多个第一固定孔和多个第二固定孔，且多个所述第一固定孔和多个所述第二固定孔，且所述第一固定孔与相应所述第二固定孔间可通过插销相连。本发明通过设置可拆卸的底盘以及顶盘，在对不同尺寸的晶圆片进行加工时，只需将适用于不同尺寸晶圆片的顶盘进行更换即可，且通过插销实现可拆卸连接，结构简单便于操作。
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公开(公告)号：CN117060117A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311105908.4
申请日：2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01R13/02 , H01R13/502 , H01R13/504 , H01R13/405
Abstract: 本发明提供一种陶瓷金属封装气密封插座，它包括壳体（1），在壳体（1）一端端部连接有金属法兰（2），在壳体（1）另一端的内壁上设有隔断（3），在隔断（3）上插接有插针（4），在壳体（1）上设有与金属法兰（2）连接配合的第一金属化层（5），在隔断（3）上设有与插针（4）形成连接配合的第二金属化层（6）。本发明结构简单、工作电压高、密封性好、性能稳定可靠、安装使用方便等优点。
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公开(公告)号：CN115832743A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211341932.3
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01R13/11 , H01R13/639
Abstract: 本发明公开一种直插式集成电路用的小型化电连接装置，它包括带有连接孔（2）的PCB插座（1），连接孔（2）内固定连接插接套（3），插接套（3）具有与引脚（8）插接配合的承插孔（4），在插接套（3）的尾端设有一组爪形的簧片（5），簧片（5）可沿着插接套（3）的径向同步扩胀，簧片（5）尾部的自由端所围成的虚拟内圆直径小于引脚的直径。本发明小型化且结构紧凑，结构设计合理，通过簧片的形变压力共同夹持引脚形成稳定地多点接触，大大提高了装置的过流能力和接触可靠性能。
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