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公开(公告)号：CN119451524A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411521799.9
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MXene墨水喷墨打印的突触晶体管及其制备方法，涉及印刷仿生电子器件的技术领域，本发明旨在解决现有器件性能下降、高材料成本和高毒性的问题，本发明包括有以下步骤：选择衬底，并对所述衬底进行清洗；利用光刻工艺对所述衬底上的栅极、源极以及漏极进行图案化处理；在所述衬底上沉积出栅极、源极以及漏极；将MAX相材料通过湿化学刻蚀结合机械剥离得到少层MXene；通过液相级联离心法得到一定片径尺寸分布的MXene分散液；制备MXene墨水；对衬底的表面进行亲水处理，设置打印参数，将所述MXene墨水在沟道位置打印MXene薄膜；配制电解质溶液，在MXene沟道层、栅极和暴露的衬底上滴铸介质层，所述介质层覆盖沟道层并连接栅极，构筑MXene突触晶体管。
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公开(公告)号：CN119451367A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411521532.X
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种共价官能化的MXene人工突触及其制备方法，涉及人工智能的技术领域，本发明旨在解决如何丰富类脑神经芯片的整体特性，推动人工智能技术的问题，本发明包括包括有以下步骤：选择衬底；利用光刻工艺在所述衬底上对栅极、源极以及漏极进行图案化处理，在利用电子束蒸发沉积金属层并剥离得到金属电极图案；利用光刻工艺在衬底上对沟道区域进行图案化处理；将MAX相材料通过原位酸刻蚀结合机械剥离得到少层T i3C2TX MXene；通过涂层工艺在所述衬底上形成均匀的T i3C2TX MXene薄膜，并通过剥离得到沟道区域图案；制备碘鎓盐溶液，制备好的器件浸入到碘鎓盐溶液中使其完成共价官能化；配制电解质溶液，在T i3C2TX MXene沟道层、栅极和暴露的所述衬底上滴铸电解质。
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公开(公告)号：CN119372516A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411532966.X
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种利用累积轧制复合法（ARC）制造GNPs/Al纳米复合材料的方法，该方法能够在铝基体中均匀分散GNPs，并形成超细晶粒的Al基体，从而显著提高了复合材料的拉伸强度、延展性和导电性。
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公开(公告)号：CN117238580B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311515648.8
申请日：2023-11-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MXene/铜层状复合导电材料及其制备方法，涉及铜基导电复材的技术领域，本发明旨在提出一种新的制备方法，解决液相电沉积法造成MXene材料受损的问题。本发明包括以下步骤：S1、在铜箔的两面制备Ti薄膜，得到Ti/Cu/Ti材料；S2、将所述Ti/Cu/Ti材料置于放入CVD炉，在第一混合气流下加热至600‑1000℃；随后切断第一混合气流，同时引入第二混合气流,保持预定时间后得到MXene/Cu/MXene材料；S3、将若干片所述MXene/Cu/MXene材料层叠放入热压炉模具中，经真空热压后得到最终产物MXene/铜层状复合导电材料。
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公开(公告)号：CN117238580A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311515648.8
申请日：2023-11-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MXene/铜层状复合导电材料及其制备方法，涉及铜基导电复材的技术领域，本发明旨在提出一种新的制备方法，解决液相电沉积法造成MXene材料受损的问题。本发明包括以下步骤：S1、在铜箔的两面制备Ti薄膜，得到Ti/Cu/Ti材料；S2、将所述Ti/Cu/Ti材料置于放入CVD炉，在第一混合气流下加热至600‑1000℃；随后切断第一混合气流，同时引入第二混合气流,保持预定时间后得到MXene/Cu/MXene材料；S3、将若干片所述MXene/Cu/MXene材料层叠放入热压炉模具中，经真空热压后得到最终产物MXene/铜层状复合导电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119400516A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411532955.1
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01B13/00 , D01F9/12 , C25D21/12 , C25D7/06 , C25D5/54 , C23C16/26 , C23C28/00 , H01B1/04 , H01B1/02
Abstract: 本发明提供了一种超强石墨烯‑铜芯壳导线的制备方法，该方法显著增强了导线的电气和机械性能。通过化学气相沉积合成超长石墨烯纤维，然后通过电镀方法在GFs上均匀镀上铜层，形成GFs‑Cu核壳结构。该结构不仅提高了导线的机械韧性，还因石墨烯的独特电学和热学特性，将电流密度极限提高了10倍，从而实现了通过GFs‑Cu导线更高效、更可靠地输送电能。
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公开(公告)号：CN119400477A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411567043.8
申请日：2024-11-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电电机绕组材料及其制备方法，涉及电机绕组材料制备的技术领域，本发明旨在解决如何提高石墨烯/铜材料的导电性能的问题，本发明包括有以下步骤：S1：将浓度为0.1mo l/L的稀盐酸与无水乙醇混合，体积比为1:1，将铜箔置于混合液体中，在20‑40℃下超声清洗10‑30mi n，重复清洗2‑5次，并用氮气吹干表面液体；S2：将吹干后的铜箔置于等离子刻蚀机中，将刻蚀腔内真空度降至10‑5Pa以下后，用氩气对铜箔表面进行等离子刻蚀处理，通入氩气的流量控制在10‑20sccm，刻蚀功率10‑30W，刻蚀时间10‑120s；S3：将步骤S2得到的铜箔堆叠在石墨模具中进行热压烧结，以得到高导电电机绕组材料。
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公开(公告)号：CN118910548A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411037292.6
申请日：2024-07-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电石墨烯铜复合材料的制备方法，涉及复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决对石墨烯铜的界面结构进行调控，改善石墨烯铜界面粘附力弱的问题，本发明包括有如下步骤：S1：将石墨烯包覆的铜箔放置进磁控溅射腔室内；S2：以纯铜靶材为铜源，对石墨烯包覆的铜箔进行磁控溅射处理，在石墨烯包覆的铜箔表面溅射一层铜，制成镀铜处理的石墨烯包覆铜箔；S3:将多层步骤S2中制成的所述镀铜处理的石墨烯包覆铜箔放置进热压腔室内，设定适当的热压温度和压强，利用叠层热压法对镀铜处理的石墨烯包覆铜箔进行热压成形，以得到高导电石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN118756123A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410808303.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种化学镀制备高导电石墨烯铜复合材料的方法，涉及复合材料的技术领域，本发明旨在解决对石墨烯/铜的界面结构进行调控，以改善石墨烯界面粘附力弱的问题，本发明具有以下步骤：S1：将石墨烯包覆铜箔放入进化学镀槽内，再向化学镀槽内加入化学镀液；S2：采用化学镀工艺，通过步骤S1中所述化学镀液对所述石墨烯包覆铜箔进行化学镀处理，使所述石墨烯包覆铜箔的表面沉积一层铜，以生成镀铜处理石墨烯包覆铜箔；S3：将步骤S2中生成的所述镀铜处理石墨烯包覆铜箔置于热压腔室内，并将多块所述镀铜处理石墨烯包覆铜箔多层叠放，利用热压工艺将多层所述镀铜处理石墨烯包覆铜箔热压成型，以得到高导电石墨烯铜复合材料。
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公开(公告)号：CN119541949A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411784665.6
申请日：2024-12-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电石墨烯铜导线及其制备方法，涉及复合材料应用的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜导线制备过程中如何批量化生产以及石墨烯铜界面破碎的问题，本发明包括有以下步骤：S1：配料，将石墨烯粉末与铜粉末进行混合，得到石墨烯铜混合粉料；S2：将步骤S1中的所述石墨烯铜混合粉末装入进铜管内，封盖后焊接密封，以得到石墨烯铜棒；S3：将步骤S2中的所述石墨烯铜棒经过热轧、线切割、拉拔后制得高导电石墨烯铜导线。
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