一种用于离子注入机的电偏转透镜调控方法及系统

    公开(公告)号:CN118197888A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410146930.1

    申请日:2024-02-01

    Abstract: 本发明公开了一种用于离子注入机的电偏转透镜调控方法及系统,方法包括步骤:分析确定离子注入机的电偏转透镜的控制参数;获取不同数值控制参数下的各电极电压,并将各电极电压与预设阈值进行对比;如果各电极电压均位于预设阈值内,则判断各控制参数的数值合格,再根据各控制参数数值来设置各个电源电压;如果各电极电压不在预设阈值内,则调整各控制参数的数值直至各电极电压均位于预设阈值内,再根据调整后的控制参数数值来设置各个电源电压。本发明将各电极电压设置到尽可能低的情况下完成对束流的偏转,减少打火发生可能性。

    一种用于高温离子注入的晶圆预加热装置

    公开(公告)号:CN117878013A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311809154.0

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 本发明公开一种用于高温离子注入的晶圆预加热装置,包括真空腔室,真空腔室上部设有光纤传感器组件,真空腔室内部设有支撑块、石英手爪和升降组件,石英手爪与升降组件的输出端连接,真空腔室下部设有加热组件,支撑块位于加热组件上方;当光纤传感器组件检测到真空机械手带着晶圆伸入到真空腔室内部时,在升降组件的驱动下,石英手爪进行升降运动,并取走真空机械手上的晶圆,待真空机械手退出真空腔室后,石英手爪将晶圆传送到加热位置的支撑块上,加热组件通过发射光束以实现对晶圆的均匀加热。本发明具有结构紧凑、操作简单、温度均匀性高等优点,可快速均匀的将晶圆加热到高温注入工艺所要求的任意温度,且加热后的晶圆表面温度均匀性较高。

    一种离子注入机磁铁透镜调束系统及调束方法

    公开(公告)号:CN119601441A

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202411544207.5

    申请日:2024-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种离子注入机磁铁透镜调束系统及调束方法,调束系统包括工控机、控制单元、磁铁线圈电源单元、换向单元和磁铁透镜单元;磁铁透镜单元包括多组磁铁线圈,多组磁铁线圈沿束流方向依次布置在束流腔体的外侧;磁铁线圈电源单元包括多组线圈电源,且与各组磁铁线圈一一对应连接;换向单元位于线圈电源与磁铁线圈之间;控制单元分别与工控机、磁铁线圈电源单元和换向单元相连,用于根据工控机的指令来控制磁铁线圈电源单元的开闭以及调节电源大小,同时通过换向单元调节磁铁线圈电源单元输入至磁铁透镜单元的电源方向。本发明能够实现调整束流分布位置功能,减少束流传输过程中的损耗,提高低能量束流利用率。

    一种高能离子注入机光路对中装置

    公开(公告)号:CN119581300A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411461746.2

    申请日:2024-10-18

    Abstract: 本发明公开一种高能离子注入机光路对中装置,包括平透模组、能透模组、射频模组、分析器、能透激光安装板、平透激光安装板和三电极对中工装;平透模组、能透模组、射频模组和分析器均安装在地板丝印上;能透激光安装板安装在能透模组的磁轭上,平透激光安装板安装在平透模组的磁轭上,用于放置激光仪;当进行光路对中时,激光仪先放到平透激光安装板上,通过调整平透模组和能透模组的地脚位置,使激光从平透出口穿出后,再从能透入口和能透侧部穿出;再将激光仪移至能透激光安装板,分别调整射频模组和分析器的地脚位置,使激光依次从能透入口、射频出口、射频入口、分析器出口和分析器入口穿出。本发明具有结构紧凑、操作便捷、稳定性高等特点。

    一种离子注入机的晶圆制冷系统
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119208190A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411168058.7

    申请日:2024-08-23

    Abstract: 本发明公开了一种离子注入机的晶圆制冷系统,将冷环和用于承载第一晶圆的工艺靶盘设置在工艺腔室内,且工艺靶盘设置在冷环顶部,冷环底部通过冷媒穿管与分配器连接;将预冷环和用于承载第二晶圆的预冷靶盘设置在机械手腔室内,且预冷环设置在预冷靶盘底部,预冷环底部通过管路与分配连接,分配器通过管道与冷源连接,冷源提供的低温氮气输送至分配器中进行二次分配后,再分别输送至冷环和预冷环中,以实现工艺靶盘上的第一晶圆和预冷靶盘上的第二晶圆降温至预设温度;低温氮气在冷环和预冷环中进行换热后,再返回至分配器中,最终回到冷源内进行循环利用。本发明具有结构紧凑、操作便捷、制冷效率高等特点,提高了低温注入的整体工作效率。

    一种应用于离子注入机的固态元素注入系统及工艺

    公开(公告)号:CN118538589A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410470178.6

    申请日:2024-04-18

    Abstract: 本发明的一种应用于离子注入机的固态元素注入系统及工艺,系统包括:工控机、ADIO控制器、加热电源、离子源弧室和坩埚组件,坩埚组件包括坩埚蒸发器、温度传感器、送气管和加热灯管;工控机、ADIO控制器和加热电源依次连接;加热电源分别连接加热灯管和坩埚蒸发器中的温度传感器,坩埚蒸发器内放置待注入的固态物,坩埚蒸发器通过送气管与离子源弧室连通,加热电源控制加热灯管将坩埚蒸发器内的固态物加热形成气体,气体通过送气管进入离子源弧室;温度传感器采集的实时温度信息反馈至控制器,控制器将实时温度与预设温度对比,调整加热电源输出加热功率。本发明具有结构紧凑、使用便捷、温控精度高且有利于提高离子源工作稳定性等优点。

    一种晶圆离子注入方法及注入系统

    公开(公告)号:CN118507336A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410590286.7

    申请日:2024-05-13

    Abstract: 本发明公开了一种晶圆离子注入方法及注入系统,方法包括:S1、通过晶圆水平/竖直中心线将晶圆四等分,依次为第一至第四象限,预设各象限的注入百分比;S2、根据各象限的注入百分比,生成两种水平扫描波形,第一种水平扫描波形/第二种水平扫描波形用于扫描晶圆水平中心线以上/以下部分;第二段/第三段扫描电压分别用于扫描晶圆竖直中心线左侧/右侧区域;各段扫描电压的斜率与象限的注入百分比相对应;S3、将晶圆在垂直方向上进行匀速运动,采用相对应的水平扫描波形对晶圆进行离子注入。本发明可在同一片晶圆上注入四种不同剂量、操作简便、精确度高、提高流片效率和成功率。

    浪涌电流泄放装置、离子注入机注入系统及其应用方法

    公开(公告)号:CN117936343A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311838431.0

    申请日:2023-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种浪涌电流泄放装置、离子注入机注入系统及其应用方法,装置包括固定座、绝缘管、绝缘板和高压电阻单元;所述绝缘管的一端固定于所述固定座上,所述绝缘管的中部设有腔体且两端开口,所述绝缘板安装于绝缘管的内部且一端紧固在固定座上;所述高压电阻单元包括高压电阻和安装组件,所述高压电阻通过安装组件安装于所述绝缘板上,所述高压电阻的一端通过第一电连接单元与高压电源相连;所述高压电阻的另一端通过第二电连接单元与离子产生单元相连。本发明结构简单可靠、使得工作回路可靠性更高,降低了机台维护成本,提高了机台Up time。

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