公开(公告)号：CN108340094B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201710058379.5

申请日：2017-01-23

Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所

Inventor： 张国清 ,  张翕 ,  付晓玄 ,  蔡正旭 ,  柳旭

IPC: B23K35/30 ,  B23K35/40

Abstract: 本发明涉及一种Ag‑Cu‑In‑Sn‑Ti合金钎料及制备方法，属于金属‑陶瓷、陶瓷‑陶瓷的低熔点活性钎料领域。该钎料的组成为：Cu 22～26wt.％、In 8‑12wt.％、Sn8‑12wt.％、Ti 2～6wt.％、Mo 0.05～2wt.％、Mn 0.05～2wt.％、玻璃粉0.01～1wt.％、Ag余量。本发明还公开了该钎料的制备方法。该钎料熔化温度低，对陶瓷具有良好的润湿性，钎焊工艺性好，焊缝强度高，钎料与陶瓷线膨胀系数匹配性好，适用于陶瓷‑陶瓷、金属‑陶瓷的焊接。

公开(公告)号：CN108149057B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201711431543.9

申请日：2017-12-26

Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所

Inventor： 蔡正旭 ,  章明溪 ,  黄小凯 ,  金凯 ,  姚映君 ,  祁宇 ,  付晓玄 ,  王峰

IPC: C22C5/08 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明涉及一种AgCuNiV合金材料及其制备方法，属于粉末冶金技术领域。AgCuNiV合金材料的重量百分比组成为：Ag 66.5％‑89.1％，Cu 9.5％‑27.72％，Ni 0％‑1.98％，V 1.0％‑5.0％。通过制备AgCuNi合金粉，然后将AgCuNi合金粉和V粉混合后采用放电等离子烧结制备得到AgCuNiV合金材料。本发明解决了V很难加入到合金中并且在合金中产生宏观偏析，化学成分不均匀、表面有黑斑和气孔等问题。本发明采用放电等离子烧结技术制备AgCuNiV合金，组织细小均匀，无偏析，可以有效保证雷达电子器件中电接触材料的可靠性，获得成分均匀、表面无缺陷的电接触材料；同时制备工艺简单，生产流程短。

公开(公告)号：CN109590634A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811329583.7

申请日：2018-11-08

Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所

Inventor： 蔡正旭 ,  焦磊 ,  王炜 ,  史秀梅 ,  金凯 ,  付晓玄 ,  王峰

IPC: B23K35/30 ,  B23K35/40 ,  B23K35/14

CPC classification number: B23K35/3006 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/40

Abstract: 一种低Ti高强度银基中温活性钎料及其制备方法，钎料的组成为：Cu 20-25wt％，Sn 15-25wt％，Pd 1-5wt％，Ti 1.0-3.0wt％，Ag为余量。制备方法包括取各金属按照合金配比进行熔炼，然后进行高压气雾化、沉积成形，随后将成形的坯料进行热挤压处理，使合金致密化，然后对致密化的坯料进行轧制加工，最终获得AgCuSnPdTi合金片材。该方法制备的合金钎料成分均匀、无偏析，可以加工成片材，焊接温度较常规AgCuTi活性钎料低接近200℃，从而降低Si3N4陶瓷焊接接头残余热应力，提高Si3N4陶瓷焊接强度和可靠性。

公开(公告)号：CN107841669A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201711085350.2

申请日：2017-11-07

Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所

Inventor： 姚映君 ,  蔡正旭 ,  王炜 ,  张国清 ,  元琳琳 ,  齐岳峰 ,  季辰宇

IPC: C22C26/00 ,  C22C21/00 ,  C22C1/10 ,  C22C1/05 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明公开了一种高导热活性复合封装材料及其制备方法，属于金属基复合材料领域。该复合材料由SnAg4Ti4合金粉、铝粉和金刚石颗粒增强体组成，金刚石颗粒的体积百分数为50％-70％，铝粉的体积百分数为25％-49％，SnAg4Ti4合金粉的体积百分数为1％-5％。采用真空气雾化制粉炉制备活性钎料SnAg4Ti4合金粉，机械混粉后，将混合粉放入等放电等离子烧结炉内制得金刚石/铝复合材料。烧结后复合材料的界面结合较好，致密度较高，其热导率达703W/m·K，热膨胀系数降至7.9×10-6/K，致密度达到97.8％以上，本发明操作性强，工艺简单，可用于电子封装等领域。