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    一种晶体管及其制作方法
    11.
    发明公开
    一种晶体管及其制作方法 有权 许可

    公开(公告)号：CN109860289A

    公开(公告)日：2019-06-07

    申请号：CN201811473699.8

    申请日：2018-12-04

    Applicant: 北京大学深圳研究生院

    Inventor： 林信南 ,  邝文腾

    IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

    Abstract: 本申请提出一种晶体管，其包括GaN外延片；隔离分布于GaN外延片上表面的栅极、源极和漏极；形成于GaN外延片上表面、栅极、源极和漏极之间的SiO2钝化层；还包括具有高掺杂区和低掺杂区的双掺杂p型栅结构。本申请还提供一种晶体管制作方法，包括如下过程：制备GaN外延片；在GaN外延片上制成掺杂结构；在掺杂结构中形成低掺杂区；在掺杂结构中形成高掺杂区；制成源极金属电极区、栅极金属电极区和漏极金属电极区。本申请采用简单高效的方法制作晶体管，可操作性强，适合于晶体管量产工艺的开发，利于大批量生产；所制得的晶体管具有两个掺杂浓度的掺杂区域，可以有效提高阈值电压和输出电流。

    一种内建SBD保护结构的SiC-TMOS器件及其制作方法
    12.
    发明公开
    一种内建SBD保护结构的SiC-TMOS器件及其制作方法 无效

    公开(公告)号：CN109728075A

    公开(公告)日：2019-05-07

    申请号：CN201811496829.X

    申请日：2018-12-07

    Applicant: 北京大学深圳研究生院

    Inventor： 林信南 ,  钟皓天

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

    Abstract: 一种内建SBD保护结构的SiC-TMOS器件及其制作方法，该SiC-TMOS器件包括自下而上设置的N+基底、N-漂移层，还包括AOD层和第一金属层，AOD层设于N-漂移层的上表面并与第一金属层接触形成SBD，在AOD层的侧面设有对称分布的保护结构以对SBD进行耐压保护。第一方面，在AOD层的侧面设置对称分布的保护结构，使得本申请的SiC-TMOS器件具有双沟道的导通效果，可有效降低导通电阻并增强导通的稳定性；第二方面，由于保护结构中设有P型区域、沟槽栅极区域和P+屏蔽层，使得其具备了三层的耐压保护特性，每个保护层都可形成电荷耦合并在耗尽时减少漏电，提升器件的阻断电压能力也减小了SiC-TMOS器件在内置SBD时的基础性能所受的影响，具有较好的应用前景。

    一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件结构及制作方法
    13.
    发明公开
    一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件结构及制作方法 无效

    公开(公告)号：CN109727863A

    公开(公告)日：2019-05-07

    申请号：CN201910002433.3

    申请日：2019-01-02

    Applicant: 北京大学深圳研究生院

    Inventor： 林信南 ,  钟皓天

    IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

    Abstract: 本发明提出一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件制作方法，包括如下步骤：清洗晶圆后，通过MOCVD在硅基上淀积中间缓冲层和GaN，AlGaN和p-GaN；通过PVD及LPCVD过程淀积Mo作为栅金属，Ni和SiOx作为刻蚀保护层；通过PECVD淀积AlOx作为侧墙封包栅金属Mo；通过BCl3/Ar的ICP-RIE刻蚀工艺去除多余的AlOx；通过Cl2/N2/O2的ICP-RIE工艺选择性刻蚀p-GaN；PVD淀积和退火过程形成源极和漏极的欧姆接触，通过BOE去除SiOx和AlOx，并采用PECVD方法淀积SiNx介质层，完成器件制作。由于整个器件制作方法中使用的工艺和条件均和SiCMOS工艺兼容，并且工艺复杂度低，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾。

    一种半导体器件及制备方法
    14.
    发明公开
    一种半导体器件及制备方法 无效

    公开(公告)号：CN108767017A

    公开(公告)日：2018-11-06

    申请号：CN201810351145.4

    申请日：2018-04-18

    Applicant: 北京大学深圳研究生院

    Inventor： 孙辉 ,  胡腾飞 ,  刘美华 ,  林信南

    IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/20

    CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143

    Abstract: 一种半导体器件和制备方法，由于采用第一阳极欧姆结和第二阳极MIS结的复合阳极结构代替传统的肖特基结阳极，利用MIS结的沟道调控特性替代传统的肖特基结的整流特性，实现半导体器件的两个参数指标反向漏电流(IR)和正向开启电压(VoN)同时提升。同时，在本申请的制备方法中，整个制造过程所使用的工艺方案与条件均可通过标准Fab的工艺实现，并且工艺过程简单，减少了传统半导体器件终端优化设计时开窗口的次数。

    一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
    16.
    发明授权
    一种逆导型绝缘栅双极型晶体管 有权 许可

    公开(公告)号：CN104241349B

    公开(公告)日：2017-06-20

    申请号：CN201410488417.7

    申请日：2014-09-22

    Applicant: 北京大学深圳研究生院

    Inventor： 孟航 ,  李冰华 ,  江兴川 ,  林信南

    IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

    CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L29/739

    Abstract: 本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级接近导带底但不进入导带；P型集电区的掺杂浓度比N型隧道掺杂区的掺杂浓度高。该晶体管通过引入N型隧道掺杂区，实现反向导通，因此在工艺制作上，背面无须刻蚀工艺。在工作中，由于没有普通逆导型IGBT集电极端的N型区域，不存在器件正向导通和反向导通时产生的电流集中问题；也不存在器件正向导通时的电压回跳现象。

    一种用于网络信息分离存储的文件更新方法
    17.
    发明公开
    一种用于网络信息分离存储的文件更新方法 失效

    公开(公告)号：CN104572891A

    公开(公告)日：2015-04-29

    申请号：CN201410817775.8

    申请日：2014-12-24

    Applicant: 北京大学深圳研究生院 ,  李大刚

    Inventor： 李大刚 ,  周颖 ,  林信南

    IPC: G06F17/30 ,  G06F21/10 ,  G06F21/62 ,  H04L29/06 ,  H04L29/08

    Abstract: 本发明提供一种用于网络信息分离存储的文件更新方法，包括以下步骤：拆分保存步骤，拆分文件后将云端分离数据块上传至云端；上传判断步骤，判断云端分离数据块是否成功上传至云端，若是则跳转至本地保存步骤，若否则跳转至判断修改记录文件步骤；本地保存步骤，存储本地数据块并删除已有的修改记录文件；判断修改记录文件步骤，判断是否存在修改记录文件，若是则更新修改记录文件，若否则生成修改记录文件，然后跳转至修改记录文件步骤；修改记录文件步骤，对修改记录进行加密并保存。本发明在生成或更新修改记录文件时，加密变换操作所需密钥等信息从原来的云端分离数据块中提取，在无网络更新时也能完整维持对文件内容的分离存储保护。

    一种超结绝缘栅双极型晶体管
    18.
    发明授权
    一种超结绝缘栅双极型晶体管 有权 许可

    公开(公告)号：CN102637733B

    公开(公告)日：2015-02-25

    申请号：CN201210121740.1

    申请日：2012-04-24

    Applicant: 北京大学深圳研究生院

    Inventor： 吴佳珍 ,  江兴川 ,  李志贵 ,  林信南 ,  何进

    IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

    Abstract: 本发明公开了一种超结绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区，有源区包括P阱体区，P+阱区和N+阱区；P型衬底下端设置有电极，作为集电极引出；P型衬底上端为N型基区，N型基区内部一侧设置有P柱，P柱上方设置有源区，有源区上方设置有电极，作为发射极引出；N型基区内部未设置有P柱的另一侧上端设置有栅氧化层，栅氧化层上端设置有多晶硅栅，多晶硅栅上方设置有电极，作为栅极引出；P型衬底包括一个高掺杂浓度的衬底区，P型衬底的其余部分为相对低掺杂浓度的衬底区，掺杂浓度为衬底中P型硅的掺杂浓度。本发明通过SJIGBT结构的改进，增加了器件的耐压，器件具有较低的导通电压，同时提升了器件关断速度。

    无结纳米线场效应晶体管及其制造方法
    19.
    发明授权
    无结纳米线场效应晶体管及其制造方法 有权 许可

    公开(公告)号：CN113169221B

    公开(公告)日：2023-06-27

    申请号：CN202080006544.2

    申请日：2020-07-17

    Applicant: 北京大学深圳研究生院

    Inventor： 李龙飞 ,  刘保良 ,  林信南

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

    Abstract: 一种无结纳米线场效应晶体管，包括无结纳米线(100)，无结纳米线(100)包括沿其轴线方向依次定义的源区(101)、沟道区(103)和漏区(102)；沟道区(103)为不掺杂或轻掺杂，源区(101)、漏区(102)和沟道区(103)掺杂类型相同。源区(101)和漏区(102)的掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度。一种无结纳米线场效应晶体管的制造方法，包括形成无结纳米线(100)，对沟道区(103)进行轻掺杂或不掺杂，使用掺杂工艺对源区(101)和漏区(102)进行与沟道区(103)的掺杂类型相同的掺杂，且掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度，使得源极金属层(301)和漏极金属层(302)与半导体体硅接触时由肖特基势垒引起的接触电阻降低，增大器件的开态电流与跨导，抑制随机掺杂引起的波动。

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