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公开(公告)号：CN109504947B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201811627269.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种CrN涂层、制备方法及应用，其中，CrN涂层为纳米孪晶结构。本发明采用筒形金属等离子体源结合磁控溅射技术，对金属离子的纯化和能量的精确控制，可实现高密度纳米孪晶结构在CrN陶瓷涂层中的生成。纳米孪晶结构能大幅提高CrN涂层的硬度。
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公开(公告)号：CN110846624A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911081661.0
申请日：2019-11-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种新型阳极层离子源，包括位于轴心位置的内阴极，环绕在所述内阴极外侧的外阴极，所述内阴极和所述外阴极之间的间隙为离子束流通道；均匀排列在内阴极与外阴极之间的永磁体；位于所述内阴极和所述外阴极之间且环绕所述内阴极的阳极环，开设在所述阳极环内的通气孔，开设在所述阳极环上且连通所述通气孔的通气狭缝，所述通气狭缝朝向所述离子束流通道。通过改变离子源的通气方式，减少工作气体与阳极接触，从而降低工作气体对阳极造成污染和附着物吹出造成对沉积涂层的污染。
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公开(公告)号：CN109504948A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811627274.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3407 , C23C14/48
Abstract: 本发明公开了一种筒形溅射阴极及离子引出系统，其中，筒形溅射阴极包括具有中空部的筒形壳体，所述筒形壳体内沿径向由外至内依次设置有：用于屏蔽所述筒形壳体以外的带电体的屏蔽罩、抵接在所述屏蔽罩上起绝缘隔离作用的定位套、抵接在所述定位套上的磁短路组件、两个咬合在所述磁短路组件上下两侧的环形磁铁，以及用于轴向固定靶材的靶材固定组件；两个所述环形磁铁相对的一侧磁极相反。本发明通过在筒形壳体中设置环形磁铁，并在环形磁铁的外侧依次设置有磁短路组件和屏蔽罩，解决了现有的等离子源系统中磁场不闭合、起辉及维持放电困难的问题。
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公开(公告)号：CN106835234A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710060909.X
申请日：2017-01-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C25D11/06
CPC classification number: C25D11/06 , C25D11/024 , C25D11/026
Abstract: 本申请公开了一种用于微弧氧化的电解液、微弧氧化方法及铝或铝合金材料。本申请的用于微弧氧化的电解液，包括终浓度为5‑40g/L的磷酸盐、1‑10g/L的氟化物和1‑15g/L的铵盐，溶剂为蒸馏水。本申请的用于微弧氧化的电解液，能够在金属表面形成特殊的疏水陶瓷层，对水的接触角可以达到100°‑180°，使被处理工件具备易清洁或自清洁、防指纹、防雾、防结冰、水中减阻、耐腐蚀等多种性能。并且相对有机疏水涂层，采用本申请的电解液形成的疏水陶瓷层具有不易老化、寿命长和力学性能好等特点。
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公开(公告)号：CN104131258B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410268695.1
申请日：2014-06-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请公开了一种离子镀膜装置和离子镀膜方法。本申请的离子镀膜装置，将磁控靶设计成圆柱筒状，所有溅射均在圆筒形靶源的内部完成，并采用偏压电源将离子束流引出，沉积在工件上，这样，不带电或者说没有电离的原子就不会被电场吸引出来的，因此，可以达到100％的离子沉积。另外，由于磁控溅射靶源的溅射是在圆筒内进行，即便发生打弧也只是在圆筒内部，不会影响到镀膜工件，避免了打弧对镀膜的影响。此外，本申请的靶源离子被偏压电源引出圆筒，引出后的离子受靶电压吸引减弱，同时，本申请的引出束流面积远远小于靶面面积，因此，引出束流密度大大提高，有效的提高了沉积速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105543791A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510899888.1
申请日：2015-12-08
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: C23C14/354 , C23C14/46
Abstract: 本申请公开了一种金属等离子体源及其应用。本申请的金属等离子体源包括外壳、磁控靶、磁性元件和抑制磁性元件，外壳呈中空的圆柱筒状，磁控靶铺于外壳的中空内腔，不与外壳导通，磁性元件铺于磁控靶与外壳间，抑制磁性元件成对的安装于磁性元件的两端，与磁性元件端部极性相同。本申请的金属等离子体源，在磁性元件的两端安装抑制磁性元件，利用抑制磁性元件的磁场将磁性元件向外倾斜的磁力线推回，形成垂直于磁控靶的拱形磁场，从而减少电子逃逸，使更多电子约束在等离子体源内部，起到降低工作气压作用，达到提高靶材刻蚀均匀性、可控性以及束流密度的目的。同时，金属等离子体源内部电子浓度增加，也有效提高了材料的离化率及束流密度。
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公开(公告)号：CN103000709A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210486809.0
申请日：2012-11-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/0224 , H01L51/44
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本申请涉及光电转换材料领域，具体公开了一种背电极以及含有该背电极的背电极吸收层复合结构以及太阳能电池。该背电极为连续的导电薄膜，并且在其导电薄膜的正面表面上具有凸起的纳米阵列。在背电极吸收层复合结构或太阳能电池中，背电极的凸起的纳米阵列是插入到吸收层内的。本申请设计的插入到吸收层的背电极纳米阵列与电池吸收层的晶粒尺寸相适应，缩短了光生载流子在吸收层中的扩散距离，并且尽可能的避免了吸收层中晶界处缺陷对载流子的复合，极大的提高了光生载流子的收集效率。并且，该纳米阵列结构还能形成尖端电极，产生纳米“避雷针”效应，增强陷光效应，产生量子中间层效应等，使得制备的太阳能电池光电转换效率大幅提高。
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公开(公告)号：CN115142033A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210486987.7
申请日：2022-05-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种非化学计量比氧化铝材料及其制备方法。所述制备方法包括步骤：将基材置于腔室中，对所述腔室进行抽真空；在所述抽真空之后，对所述基材进行表面处理；采用持续高功率磁控溅射技术，对铝靶进行溅射，同时通入含氧的反应气体，使得在所述基材上沉积得到非化学计量比的氧化铝材料。本发明采用持续高功率磁控溅射技术，依靠其高效溅射产额特点，扩展了Al‑O反应磁控溅射过程中的含氧的反应气体流量化学活性窗口，延缓了中毒现象，实现了宽范围AlOx材料非化学计量比的精确调控。通过非化学计量比的调控，实现了AlOx材料光学、电学等各方面性能的调控，且具有高的沉积速率，沉积速率可高达50～400nm/min。
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公开(公告)号：CN114875358A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210511855.5
申请日：2022-05-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种真空复合镀膜设备及其使用方法，设备包括：真空室、弧光放电模块、气体离子源、高功率磁控放电模块、工件旋转系统、加热系统。本发明弧光增强结构或者气体离子源的清洁等离子体对工件进行高效清洗，弧光放电产生的高密度电子对N2进行高效电离，用于低温离子渗氮；利用高功率脉冲磁控溅射技术产生高强度清洁金属等离子体对界面进行离子轰击、活化界面并制备过渡层；采用持续大功率磁控溅射技术实现无颗粒、致密涂层的快速生长，或采用气体离子源进行气相等离子体沉积DLC涂层。将先进的渗、镀工艺集成在同一套设备环境中，根据不同的膜层需求选择不同的工艺模块，减少传统工艺中分体操作带来的污染，保障膜层质量，同时提高制备效率。
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公开(公告)号：CN114231932A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111667276.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种新型磁控溅射镀膜设备及其控制方法，新型磁控溅射镀膜设备包括：真空室；若干个第一气体离子源，第一气体离子源的开口沿真空室的径向朝外；若干个高功率磁控组件，围绕第一气体离子源设置，且高功率磁控组件的开口沿真空室的径向朝内；若干个第一气体离子源和若干个高功率磁控组件形成多重闭合磁场；高功率磁控组件与第一气体离子源之间形成放置待镀样品的镀膜位。本发明采用若干个第一气体离子源和高功率磁控组件形成多重闭合磁场，利用闭合磁场作用限制电子运动，并对等离子体进行约束和引导，且采用若干个高功率磁控组件围绕第一气体离子源，优化闭合磁场的结构，在确保等离子体利用率较高的基础上，提高了涂层沉积效率。
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