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公开(公告)号：CN114695580A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210256024.8
申请日：2022-03-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种自偏压光电探测器及其制备方法和应用。本申请的自偏压光电探测器，包括基板和固定在基板上的光电结构，光电结构包括光敏半导体层和阻挡半导体层，以及对电极薄膜层；光敏半导体层为硫化镉形成的n型半导体材料层；阻挡半导体层为二氧化钛和/或金属掺杂二氧化钛形成的n型半导体材料层。本申请的自偏压光电探测器，采用硫化镉作为光敏半导体层，二氧化钛和/或金属掺杂二氧化钛作为阻挡半导体层，CdS层具有良好的光敏特性，配合二氧化钛形成半导体结，可以减低漏电流，提高光电响应效应。本申请的自偏压光电探测器具有高可靠性、低正向工作电压和高光萃取效率的优点。
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公开(公告)号：CN107180880A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710369916.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0392 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种超薄半透明薄膜太阳能电池及其制备方法。本申请的超薄半透明薄膜太阳能电池，包括依序层叠的玻璃基底、透明导电薄膜层、N型过渡层、吸光层、钝化层和背电极；钝化层为铜掺杂半导体层，背电极为NTO导电薄膜，吸光层为CdTe薄膜、CdSe薄膜、CdZnTe薄膜、CdSeTe薄膜、CdMgTe薄膜、CuGaSe2薄膜、CuInSe2薄膜或Cu2ZnSnS2薄膜。本申请的超薄半透明薄膜太阳能电池，采用铜掺杂半导体层作钝化层，可有效消除吸光层的表面悬挂键；并且，与背电极界面接触良好，提高了电池的短路电流密度；通过钝化层的隧穿与整流效应，使电池的可见光透过率达到了10％以上，并且光电转化效率高。
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公开(公告)号：CN103000709B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201210486809.0
申请日：2012-11-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/0224 , H01L51/44
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本申请涉及光电转换材料领域，具体公开了一种背电极以及含有该背电极的背电极吸收层复合结构以及太阳能电池。该背电极为连续的导电薄膜，并且在其导电薄膜的正面表面上具有凸起的纳米阵列。在背电极吸收层复合结构或太阳能电池中，背电极的凸起的纳米阵列是插入到吸收层内的。本申请设计的插入到吸收层的背电极纳米阵列与电池吸收层的晶粒尺寸相适应，缩短了光生载流子在吸收层中的扩散距离，并且尽可能的避免了吸收层中晶界处缺陷对载流子的复合，极大的提高了光生载流子的收集效率。并且，该纳米阵列结构还能形成尖端电极，产生纳米避雷针”效应，增强陷光效应，产生量子中间层效应等，使得制备的太阳能电池光电转换效率大幅提高。
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公开(公告)号：CN114645257A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210254539.4
申请日：2022-03-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种硒化亚锡p型半导体薄膜及其制备方法和应用。本申请的硒化亚锡p型半导体薄膜制备方法，包括采用磁控溅射，在衬底上沉积硒化亚锡膜层；对沉积硒化亚锡膜层的衬底进行氯化物溶液处理，获得表面覆盖氯化物的硒化亚锡膜层；然后，在真空或惰性气氛或弱还原气氛下，100‑600℃加热10～60分钟，冷却到室温，即获得硒化亚锡p型半导体薄膜。本申请的制备方法，先采用磁控溅射制备无定型的硒化亚锡膜层，再进行氯化物溶液处理和100‑600℃的退火处理，得到结晶硒化亚锡p型半导体薄膜。本申请制备方法简单、易操作、成本低，适用于大面积生产，解决了SnSe材料不易成膜的问题。
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公开(公告)号：CN105140319B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201510351099.4
申请日：2015-06-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本申请公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法。本申请的薄膜太阳能电池，包括前电极层、半导体层、背电极层和隧穿整流层，隧穿整流层设于前电极层和半导体层间，或者设于半导体层和背电极层间，或者同时设于前电极层和半导体层间，以及半导体层和背电极层间；隧穿整流层为单层或多层结构，隧穿整流层的材质为金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氟化物中的至少一种。本申请的薄膜太阳能电池，在前电极层和/或背电极层的表面设置隧穿整流层，利用隧穿整流层对电子进行整流，从而有效的避免了载流子的复合，提高太阳能电池的短路电流以及开路电压，进而提高光电转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102646745B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210095940.4
申请日：2012-04-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01G9/20
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本申请公开了一种光伏器件以及包含该光伏器件的太阳能电池。该光伏器件包括透明电极区、窗口区、吸收区三个区，该三个区的入光面和背面，共六个面中的至少一面具有与纳米线或纳微球点接触形成的低维复合界面结构。本申请提供的光伏器件制备的太阳能电池，利用仿生的低维复合界面结构提高光伏器件对阳光的采集，并将纳米线和/或纳微球作为表面等离子激元，进一步增强陷光效应。同时，通过可控的点接触形成可控的掺杂，提供了一个既能减少空穴和电子复合机会，又利于传输空穴或电子的势场，提高了电子空穴的分离效率和运输能力，实现了高效的光伏效应；并且通过掺杂界面的调控，调节能带工程，提高光伏电流和/或电压，提高了光伏转换能力。
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公开(公告)号：CN102646745A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210095940.4
申请日：2012-04-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/06 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01G9/20
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本申请公开了一种光伏器件以及包含该光伏器件的太阳能电池。该光伏器件包括透明电极区、窗口区、吸收区三个区，该三个区的入光面和背面，共六个面中的至少一面具有与纳米线或纳微球点接触形成的低维复合界面结构。本申请提供的光伏器件制备的太阳能电池，利用仿生的低维复合界面结构提高光伏器件对阳光的采集，并将纳米线和/或纳微球作为表面等离子激元，进一步增强陷光效应。同时，通过可控的点接触形成可控的掺杂，提供了一个既能减少空穴和电子复合机会，又利于传输空穴或电子的势场，提高了电子空穴的分离效率和运输能力，实现了高效的光伏效应；并且通过掺杂界面的调控，调节能带工程，提高光伏电流和/或电压，提高了光伏转换能力。
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公开(公告)号：CN114649429B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202210256027.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种氧化镍基自偏压光电探测器及其制备方法和应用。本申请的氧化镍基自偏压光电探测器，包括基板和固定在基板上的光电结构，光电结构包括光敏半导体层和阻挡半导体层，以及对电极薄膜层；光敏半导体层为二氧化钛和/或金属掺杂二氧化钛形成的n型半导体材料层；阻挡半导体层为氧化镍形成的p型半导体材料层。本申请的氧化镍基自偏压光电探测器，作为阻挡半导体层的氧化镍禁带宽度大、可见光的透过性好，与二氧化钛配合，能降低异质结的界面失配，p型NiO材料与n型TiO2界面的内建势垒高，具有更高耗尽区自建电势，从而拥有更高光电转化能力；通过能带和界面调整，形成优化的pn型异质结，提高器件在高速条件下的光电响应。
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公开(公告)号：CN107705873B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710641611.8
申请日：2017-07-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种透明导电玻璃及其制备方法和应用。本申请的透明导电玻璃，包括无定形衬底和附着在无定形衬底上的透明导电薄膜，其中，透明导电薄膜为锐钛矿相(004)取向的金属掺杂二氧化钛薄膜。本申请的透明导电玻璃，率先在无定形衬底上形成了晶粒生长方向排布一致的锐钛矿相(004)取向的金属掺杂二氧化钛薄膜，大大提高了透明导电玻璃的导电性能。并且，本申请的透明导电玻璃，制备方法简单、易操作、成本低，适用于大面积生产；本申请的制备方法所制备的金属掺杂二氧化钛薄膜中锐钛矿相(004)取向程度可调控，可以满足不同的使用需求。
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公开(公告)号：CN107705873A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710641611.8
申请日：2017-07-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: H01B5/14 , H01B1/16 , H01B13/00 , H01B13/0016 , H01B13/0026
Abstract: 本申请公开了一种透明导电玻璃及其制备方法和应用。本申请的透明导电玻璃，包括无定形衬底和附着在无定形衬底上的透明导电薄膜，其中，透明导电薄膜为锐钛矿相(004)取向的金属掺杂二氧化钛薄膜。本申请的透明导电玻璃，率先在无定形衬底上形成了晶粒生长方向排布一致的锐钛矿相(004)取向的金属掺杂二氧化钛薄膜，大大提高了透明导电玻璃的导电性能。并且，本申请的透明导电玻璃，制备方法简单、易操作、成本低，适用于大面积生产；本申请的制备方法所制备的金属掺杂二氧化钛薄膜中锐钛矿相(004)取向程度可调控，可以满足不同的使用需求。
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