公开(公告)号：CN105648422A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610025327.3

申请日：2016-01-14

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 苏彦涛 ,  王新炜 ,  潘锋 ,  邵友东 ,  李豪 ,  高源鸿

IPC: C23C16/455 ,  H01M4/36 ,  H01M10/0525

CPC classification number: C23C16/45525 ,  H01M4/366 ,  H01M10/0525

Abstract: 本申请公开了一种用于电极粉体材料包覆的气相原子层沉积装置和电极粉体材料包覆的方法。本申请的气相原子层沉积装置，包括真空反应腔体和监控系统，真空反应腔体中设置有搅拌装置，搅拌装置与监控系统电连接或信号连接，通过监控系统控制搅拌装置运行。本申请的气相原子层沉积装置，在反应腔体内增加搅拌装置，利用搅拌装置使电极粉体材料充分分散，减少电极粉体材料团聚，利于前驱体吸附和反应，提高了包覆均匀性和包覆效率，为大规模生产高质量的电池电极粉体包覆材料奠定了基础。

公开(公告)号：CN105140319A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510351099.4

申请日：2015-06-23

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 潘锋 ,  梁军 ,  林钦贤 ,  苏彦涛 ,  张明建 ,  梅宗维 ,  杨晓杨

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  H01L51/4226

Abstract: 本申请公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法。本申请的薄膜太阳能电池，包括前电极层、半导体层、背电极层和隧穿整流层，隧穿整流层设于前电极层和半导体层间，或者设于半导体层和背电极层间，或者同时设于前电极层和半导体层间，以及半导体层和背电极层间；隧穿整流层为单层或多层结构，隧穿整流层的材质为金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氟化物中的至少一种。本申请的薄膜太阳能电池，在前电极层和/或背电极层的表面设置隧穿整流层，利用隧穿整流层对电子进行整流，从而有效的避免了载流子的复合，提高太阳能电池的短路电流以及开路电压，进而提高光电转化效率。

公开(公告)号：CN105140319B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201510351099.4

申请日：2015-06-23

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 潘锋 ,  梁军 ,  林钦贤 ,  苏彦涛 ,  张明建 ,  梅宗维 ,  杨晓杨

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本申请公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法。本申请的薄膜太阳能电池，包括前电极层、半导体层、背电极层和隧穿整流层，隧穿整流层设于前电极层和半导体层间，或者设于半导体层和背电极层间，或者同时设于前电极层和半导体层间，以及半导体层和背电极层间；隧穿整流层为单层或多层结构，隧穿整流层的材质为金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氟化物中的至少一种。本申请的薄膜太阳能电池，在前电极层和/或背电极层的表面设置隧穿整流层，利用隧穿整流层对电子进行整流，从而有效的避免了载流子的复合，提高太阳能电池的短路电流以及开路电压，进而提高光电转化效率。