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公开(公告)号：CN110923650B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201911228670.8
申请日：2019-12-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种DLC涂层及其制备方法。本发明中，在高能脉冲偏压下，实现了沉积与注入结合的涂层生长方法，从而实现了涂层应力的控制。采用该方法制备DLC涂层，大幅降低了DLC涂层的应力，极大提升了DLC涂层的结合力。
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公开(公告)号：CN110552038B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910926770.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种超疏水材料及其制备方法。所述超疏水材料具有荷叶状纳米结构。所述荷叶状纳米结构，类似T型结构，不需要使用有机低表面能物质改性就可直接实现超疏水性，这种仅靠结构调控实现超疏水性的材料具有较好的稳定性。所述具有荷叶状纳米结构的材料可以为氧化铝，氧化铝作为常见的工件的耐磨耐腐涂层，因此，本发明微弧氧化法制备的特殊结构纳米氧化铝还具有优异的稳定性。另外本发明提供的超疏水材料的制备方法，简单易操作，成本较低，具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN111394707A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010244346.1
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本公开提供了一种等离子体源及其用于镀膜的装置、系统和方法，等离子体源包括：中空圆柱筒状外壳，及层设于所述外壳内的冷却系统、绕制线圈、套筒和磁控靶，所述磁控靶嵌于所述套筒内，所述冷却系统靠近所述套筒设置。通过调节绕制线圈电流，进而调节靶面磁场强度使得靶面磁场始终保持不变，随着靶面刻蚀深度的增加，在靶面形成平行于轴线的均匀、可控的磁场。在靶面形成平行于轴线的磁场可以将电子束缚在靶面，增加等离子体源内部电子浓度，提高溅射材料的离化率和放电稳定性，有效解决靶材刻蚀不均匀、利用率低、磁铁高温退磁等问题。
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公开(公告)号：CN111378946A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010244039.3
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本公开提供了提高溅射离化率的溅射阴极、真空镀膜系统及镀膜方法，其中溅射阴极包括：中空圆柱筒型靶套，所述靶套内设有靶材；冷却系统，置于所述靶套外壁；环形磁铁，均匀安装在靶材后侧并靠近靶材端口处，且与冷却系统相邻；所述环形磁铁及冷却系统外侧设有磁钢；磁钢外侧设置罩有屏蔽罩。所述环形磁铁在靶面形成闭合环形电子跑道，将电子有效地约束在等离子体内部，降低了起辉电压，提高了放电稳定性及溅射材料的离化率。
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公开(公告)号：CN105239048A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510650195.9
申请日：2015-10-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请公开了一种金属等离子体源及其应用。本申请的金属等离子体源包括外壳、磁控靶和电子阻挡屏极，外壳呈中空的圆柱筒状，磁控靶铺设于外壳的中空的内腔中，且不与外壳导通，电子阻挡屏极由导电材料制备，同样设置于外壳的中空内腔中，并且电子阻挡屏极为片状，垂直安装于磁控靶的两端；电子阻挡屏极与磁控靶导通，或者电子阻挡屏极与磁控靶不导通，电子阻挡屏极单独连接负电压。本申请的金属等离子体源，在磁控靶两端增加电子阻挡屏极，将逃逸的电子反射回金属等离子体源内部，起到降低放电起辉条件目的；反射的电子增强了溅射粒子碰撞，增强其离化率，增加了靶材表面电子分布的均匀性，提高了靶材溅射均匀性，进而提高靶材利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104131259A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410268732.9
申请日：2014-06-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请公开了一种金属离子源和真空镀膜系统。本申请的金属离子源，将其磁控靶设计成圆筒状，即安装在圆柱筒的外壳内，相应的在外壳内设置磁性元件和冷却系统，并采用引出栅引出离子束流。本申请的金属离子源，将磁控放电相对封闭在圆柱筒内，工作时，利用引出栅将离子束流引出，可以引出100％的离子束流，且束流中不含“金属液滴”；同时，本申请的靶面面积远远大于引出束流面积，引出束流密度大大提高，因此具有不需要过滤装置、快速沉积或大剂量注入的优势，可用于快速常规“束线性”薄膜沉积或大剂量高能离子注入。
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公开(公告)号：CN114231932B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202111667276.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射镀膜设备及其控制方法，磁控溅射镀膜设备包括：真空室；若干个第一气体离子源，第一气体离子源的开口沿真空室的径向朝外；若干个高功率磁控组件，围绕第一气体离子源设置，且高功率磁控组件的开口沿真空室的径向朝内；若干个第一气体离子源和若干个高功率磁控组件形成多重闭合磁场；高功率磁控组件与第一气体离子源之间形成放置待镀样品的镀膜位。本发明采用若干个第一气体离子源和高功率磁控组件形成多重闭合磁场，利用闭合磁场作用限制电子运动，并对等离子体进行约束和引导，且采用若干个高功率磁控组件围绕第一气体离子源，优化闭合磁场的结构，在确保等离子体利用率较高的基础上，提高了涂层沉积效率。
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公开(公告)号：CN114787427B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201980101030.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种超疏水材料及其制备方法和应用。所述超疏水材料，其疏水表面由正表面能材料、负表面能材料和微纳米空隙组成。所述超疏水材料，通过在疏水表面引入负表面能材料和微纳米空隙设计，在不使用低表面能的有机物质的情况下，具有超疏水性能；并且，由于没有采用有机物质，所述超疏水材料具有较好的耐温和耐候特性，以及优异的耐磨和耐腐蚀特性。
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公开(公告)号：CN111394707B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010244346.1
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本公开提供了一种等离子体源及其用于镀膜的装置、系统和方法，等离子体源包括：中空圆柱筒状外壳，及层设于所述外壳内的冷却系统、绕制线圈、套筒和磁控靶，所述磁控靶嵌于所述套筒内，所述冷却系统靠近所述套筒设置。通过调节绕制线圈电流，进而调节靶面磁场强度使得靶面磁场始终保持不变，随着靶面刻蚀深度的增加，在靶面形成平行于轴线的均匀、可控的磁场。在靶面形成平行于轴线的磁场可以将电子束缚在靶面，增加等离子体源内部电子浓度，提高溅射材料的离化率和放电稳定性，有效解决靶材刻蚀不均匀、利用率低、磁铁高温退磁等问题。
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公开(公告)号：CN110670034B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201910949470.5
申请日：2019-10-08
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种无机超疏水材料及其制备方法与应用，其中所述无机超疏水材料包括：Cu膜、形成于所述Cu膜表面的Cu2O膜及CuO膜中的至少一种，所述Cu膜具有微纳米结构，所述Cu2O膜、CuO膜均具有(111)晶面。本发明中，所述无机超疏水材料的组成分布为：微纳米结构底部Cu、表层为Cu2O和CuO中的至少一种，且所述Cu2O和CuO均主要为(111)晶面。而所述(111)晶面具有低表面能，使得材料满足微纳米结构和低表面能两个必备条件，从而使得材料具有超疏水性能。所述无机超疏水材料不使用任何有机物质修饰改性即可实现超疏水性，该无机的超疏水材料还具有较佳的耐温和耐腐蚀性能，能够满足电子器件和设备的应用要求。
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