-
公开(公告)号：CN105239048A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510650195.9
申请日：2015-10-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请公开了一种金属等离子体源及其应用。本申请的金属等离子体源包括外壳、磁控靶和电子阻挡屏极，外壳呈中空的圆柱筒状，磁控靶铺设于外壳的中空的内腔中，且不与外壳导通，电子阻挡屏极由导电材料制备，同样设置于外壳的中空内腔中，并且电子阻挡屏极为片状，垂直安装于磁控靶的两端；电子阻挡屏极与磁控靶导通，或者电子阻挡屏极与磁控靶不导通，电子阻挡屏极单独连接负电压。本申请的金属等离子体源，在磁控靶两端增加电子阻挡屏极，将逃逸的电子反射回金属等离子体源内部，起到降低放电起辉条件目的；反射的电子增强了溅射粒子碰撞，增强其离化率，增加了靶材表面电子分布的均匀性，提高了靶材溅射均匀性，进而提高靶材利用率。
-
公开(公告)号：CN109709201B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811627273.3
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种高时间分辨的质谱检测设备，包括依次电连接的电容模块、信号转换器以及质谱仪；所述质谱仪用于分析等离子体的粒子种类、能量；所述电容模块，用于接受待测试系统中的脉冲模拟信号，进行脉冲反相交换，并输出控制信号；所述信号转换器，用于确定数据采集的起始位置，进而获得一个脉冲内的等离子体质谱信号。本发明的高时间分辨的质谱检测设备可用于跟踪脉冲放电等离子体质谱信号，测试脉冲放电的瞬态等离子特性，进行等离子体诊断，研究普通质谱仪无法检测的瞬态过程。本设备成本低，且通过采用不同的溅射电源和溅射阴极能够很好地适应不同的放电要求。
-
公开(公告)号：CN109504947A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811627269.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: C23C14/0036 , B82Y40/00 , C23C14/022 , C23C14/0641
Abstract: 本发明公开了一种CrN涂层、制备方法及应用，其中，CrN涂层为纳米孪晶结构。本发明采用筒形金属等离子体源结合磁控溅射技术，对金属离子的纯化和能量的精确控制，可实现高密度纳米孪晶结构在CrN陶瓷涂层中的生成。纳米孪晶结构能大幅提高CrN涂层的硬度。
-
公开(公告)号：CN108330456A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810097176.1
申请日：2018-01-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/3485 , C23C14/50 , C23C14/548
Abstract: 本申请公开了一种高通量材料制备的装置及其应用。本申请的装置，包括基片台、材料共混区、基片台移动系统、溅射源和溅射电源；基片台上安装有若干个可组装延伸的基片单元；溅射源包括若干个不同靶材料的溅射阴极，各溅射阴极独立控制，使用时，所有溅射阴极的束流汇集于材料共混区；材料共混区为不同靶材料的溅射材料的混合区域；基片台移动系统控制基片台移动，使基片单元依序通过材料共混区，进行磁控溅射。本申请的装置，可以实现不同材料按不同比例沉积，从而制备出一系列的新材料，并且可以实现持续的高通量生产，极大的方便了新材料的研发以及材料基因组材料库建库。
-
公开(公告)号：CN105018891A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510313511.3
申请日：2015-06-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种用于PBIID批量生产的工件架、装置及生产方法。本申请的用于等离子体基离子注入与沉积批量生产的工件架，包括用于放置工件的架体，以及罩设于架体外的网状导电栅，网状导电栅与架体之间绝缘。本申请的工件架，在架体外罩设网状导电栅，负高压不连接在架体和工件上，而是连接在网状导电栅上，实现离子加速，避免了高压电源输出总功率对处理工件数量的限制，杜绝了工件打火问题；同时，也不存在因工件之间的距离太近造成等离子体鞘层重叠，影响离子加速过程的问题。本申请的工件架，解决了等离子体基离子注入与沉积产业化过程中的三个重要技术问题，特别适合于大规模的批量工件镀膜生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109504947B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201811627269.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种CrN涂层、制备方法及应用，其中，CrN涂层为纳米孪晶结构。本发明采用筒形金属等离子体源结合磁控溅射技术，对金属离子的纯化和能量的精确控制，可实现高密度纳米孪晶结构在CrN陶瓷涂层中的生成。纳米孪晶结构能大幅提高CrN涂层的硬度。
-
公开(公告)号：CN109504948A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811627274.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3407 , C23C14/48
Abstract: 本发明公开了一种筒形溅射阴极及离子引出系统，其中，筒形溅射阴极包括具有中空部的筒形壳体，所述筒形壳体内沿径向由外至内依次设置有：用于屏蔽所述筒形壳体以外的带电体的屏蔽罩、抵接在所述屏蔽罩上起绝缘隔离作用的定位套、抵接在所述定位套上的磁短路组件、两个咬合在所述磁短路组件上下两侧的环形磁铁，以及用于轴向固定靶材的靶材固定组件；两个所述环形磁铁相对的一侧磁极相反。本发明通过在筒形壳体中设置环形磁铁，并在环形磁铁的外侧依次设置有磁短路组件和屏蔽罩，解决了现有的等离子源系统中磁场不闭合、起辉及维持放电困难的问题。
-
公开(公告)号：CN105543791A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510899888.1
申请日：2015-12-08
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: C23C14/354 , C23C14/46
Abstract: 本申请公开了一种金属等离子体源及其应用。本申请的金属等离子体源包括外壳、磁控靶、磁性元件和抑制磁性元件，外壳呈中空的圆柱筒状，磁控靶铺于外壳的中空内腔，不与外壳导通，磁性元件铺于磁控靶与外壳间，抑制磁性元件成对的安装于磁性元件的两端，与磁性元件端部极性相同。本申请的金属等离子体源，在磁性元件的两端安装抑制磁性元件，利用抑制磁性元件的磁场将磁性元件向外倾斜的磁力线推回，形成垂直于磁控靶的拱形磁场，从而减少电子逃逸，使更多电子约束在等离子体源内部，起到降低工作气压作用，达到提高靶材刻蚀均匀性、可控性以及束流密度的目的。同时，金属等离子体源内部电子浓度增加，也有效提高了材料的离化率及束流密度。
-
公开(公告)号：CN109504948B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201811627274.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种筒形溅射阴极及离子引出系统，其中，筒形溅射阴极包括具有中空部的筒形壳体，所述筒形壳体内沿径向由外至内依次设置有：用于屏蔽所述筒形壳体以外的带电体的屏蔽罩、抵接在所述屏蔽罩上起绝缘隔离作用的定位套、抵接在所述定位套上的磁短路组件、两个咬合在所述磁短路组件上下两侧的环形磁铁，以及用于轴向固定靶材的靶材固定组件；两个所述环形磁铁相对的一侧磁极相反。本发明通过在筒形壳体中设置环形磁铁，并在环形磁铁的外侧依次设置有磁短路组件和屏蔽罩，解决了现有的等离子源系统中磁场不闭合、起辉及维持放电困难的问题。
-
公开(公告)号：CN109709201A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811627273.3
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种高时间分辨的质谱检测设备，包括依次电连接的电容模块、信号转换器以及质谱仪；所述质谱仪用于分析等离子体的粒子种类、能量；所述电容模块，用于接受待测试系统中的脉冲模拟信号，进行脉冲反相交换，并输出控制信号；所述信号转换器，用于确定数据采集的起始位置，进而获得一个脉冲内的等离子体质谱信号。本发明的高时间分辨的质谱检测设备可用于跟踪脉冲放电等离子体质谱信号，测试脉冲放电的瞬态等离子特性，进行等离子体诊断，研究普通质谱仪无法检测的瞬态过程。本设备成本低，且通过采用不同的溅射电源和溅射阴极能够很好地适应不同的放电要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.023 seconds)
