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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109504947A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811627269.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: C23C14/0036 , B82Y40/00 , C23C14/022 , C23C14/0641
Abstract: 本发明公开了一种CrN涂层、制备方法及应用，其中，CrN涂层为纳米孪晶结构。本发明采用筒形金属等离子体源结合磁控溅射技术，对金属离子的纯化和能量的精确控制，可实现高密度纳米孪晶结构在CrN陶瓷涂层中的生成。纳米孪晶结构能大幅提高CrN涂层的硬度。
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公开(公告)号：CN111394707B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010244346.1
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本公开提供了一种等离子体源及其用于镀膜的装置、系统和方法，等离子体源包括：中空圆柱筒状外壳，及层设于所述外壳内的冷却系统、绕制线圈、套筒和磁控靶，所述磁控靶嵌于所述套筒内，所述冷却系统靠近所述套筒设置。通过调节绕制线圈电流，进而调节靶面磁场强度使得靶面磁场始终保持不变，随着靶面刻蚀深度的增加，在靶面形成平行于轴线的均匀、可控的磁场。在靶面形成平行于轴线的磁场可以将电子束缚在靶面，增加等离子体源内部电子浓度，提高溅射材料的离化率和放电稳定性，有效解决靶材刻蚀不均匀、利用率低、磁铁高温退磁等问题。
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公开(公告)号：CN109504947B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201811627269.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种CrN涂层、制备方法及应用，其中，CrN涂层为纳米孪晶结构。本发明采用筒形金属等离子体源结合磁控溅射技术，对金属离子的纯化和能量的精确控制，可实现高密度纳米孪晶结构在CrN陶瓷涂层中的生成。纳米孪晶结构能大幅提高CrN涂层的硬度。
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公开(公告)号：CN111394707A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010244346.1
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本公开提供了一种等离子体源及其用于镀膜的装置、系统和方法，等离子体源包括：中空圆柱筒状外壳，及层设于所述外壳内的冷却系统、绕制线圈、套筒和磁控靶，所述磁控靶嵌于所述套筒内，所述冷却系统靠近所述套筒设置。通过调节绕制线圈电流，进而调节靶面磁场强度使得靶面磁场始终保持不变，随着靶面刻蚀深度的增加，在靶面形成平行于轴线的均匀、可控的磁场。在靶面形成平行于轴线的磁场可以将电子束缚在靶面，增加等离子体源内部电子浓度，提高溅射材料的离化率和放电稳定性，有效解决靶材刻蚀不均匀、利用率低、磁铁高温退磁等问题。
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公开(公告)号：CN111378946A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010244039.3
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本公开提供了提高溅射离化率的溅射阴极、真空镀膜系统及镀膜方法，其中溅射阴极包括：中空圆柱筒型靶套，所述靶套内设有靶材；冷却系统，置于所述靶套外壁；环形磁铁，均匀安装在靶材后侧并靠近靶材端口处，且与冷却系统相邻；所述环形磁铁及冷却系统外侧设有磁钢；磁钢外侧设置罩有屏蔽罩。所述环形磁铁在靶面形成闭合环形电子跑道，将电子有效地约束在等离子体内部，降低了起辉电压，提高了放电稳定性及溅射材料的离化率。
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