公开(公告)号：CN114231932A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111667276.1

申请日：2021-12-30

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 吴忠振 ,  崔岁寒 ,  郭宇翔 ,  马正永

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56

Abstract: 本发明公开了一种新型磁控溅射镀膜设备及其控制方法，新型磁控溅射镀膜设备包括：真空室；若干个第一气体离子源，第一气体离子源的开口沿真空室的径向朝外；若干个高功率磁控组件，围绕第一气体离子源设置，且高功率磁控组件的开口沿真空室的径向朝内；若干个第一气体离子源和若干个高功率磁控组件形成多重闭合磁场；高功率磁控组件与第一气体离子源之间形成放置待镀样品的镀膜位。本发明采用若干个第一气体离子源和高功率磁控组件形成多重闭合磁场，利用闭合磁场作用限制电子运动，并对等离子体进行约束和引导，且采用若干个高功率磁控组件围绕第一气体离子源，优化闭合磁场的结构，在确保等离子体利用率较高的基础上，提高了涂层沉积效率。

公开(公告)号：CN114231932B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202111667276.1

申请日：2021-12-30

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 吴忠振 ,  崔岁寒 ,  郭宇翔 ,  马正永

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射镀膜设备及其控制方法，磁控溅射镀膜设备包括：真空室；若干个第一气体离子源，第一气体离子源的开口沿真空室的径向朝外；若干个高功率磁控组件，围绕第一气体离子源设置，且高功率磁控组件的开口沿真空室的径向朝内；若干个第一气体离子源和若干个高功率磁控组件形成多重闭合磁场；高功率磁控组件与第一气体离子源之间形成放置待镀样品的镀膜位。本发明采用若干个第一气体离子源和高功率磁控组件形成多重闭合磁场，利用闭合磁场作用限制电子运动，并对等离子体进行约束和引导，且采用若干个高功率磁控组件围绕第一气体离子源，优化闭合磁场的结构，在确保等离子体利用率较高的基础上，提高了涂层沉积效率。