-
公开(公告)号：CN114875358A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210511855.5
申请日：2022-05-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种真空复合镀膜设备及其使用方法，设备包括：真空室、弧光放电模块、气体离子源、高功率磁控放电模块、工件旋转系统、加热系统。本发明弧光增强结构或者气体离子源的清洁等离子体对工件进行高效清洗，弧光放电产生的高密度电子对N2进行高效电离，用于低温离子渗氮；利用高功率脉冲磁控溅射技术产生高强度清洁金属等离子体对界面进行离子轰击、活化界面并制备过渡层；采用持续大功率磁控溅射技术实现无颗粒、致密涂层的快速生长，或采用气体离子源进行气相等离子体沉积DLC涂层。将先进的渗、镀工艺集成在同一套设备环境中，根据不同的膜层需求选择不同的工艺模块，减少传统工艺中分体操作带来的污染，保障膜层质量，同时提高制备效率。
-
公开(公告)号：CN114875358B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202210511855.5
申请日：2022-05-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种真空复合镀膜设备及其使用方法，设备包括：真空室、弧光放电模块、气体离子源、高功率磁控放电模块、工件旋转系统、加热系统。本发明弧光增强结构或者气体离子源的清洁等离子体对工件进行高效清洗，弧光放电产生的高密度电子对N2进行高效电离，用于低温离子渗氮；利用高功率脉冲磁控溅射技术产生高强度清洁金属等离子体对界面进行离子轰击、活化界面并制备过渡层；采用持续大功率磁控溅射技术实现无颗粒、致密涂层的快速生长，或采用气体离子源进行气相等离子体沉积DLC涂层。将先进的渗、镀工艺集成在同一套设备环境中，根据不同的膜层需求选择不同的工艺模块，减少传统工艺中分体操作带来的污染，保障膜层质量，同时提高制备效率。
-
Search Results
2
records
(took 0.016 seconds)
