公开(公告)号：CN101263589B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200580051562.8

申请日：2005-09-13

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  B65G49/00 ,  B65G49/07 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3003 ,  B65G2201/0247 ,  H01L21/31 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明通过在含有氢气的惰性气体气氛中保持晶片，抑制晶片表面的氢末端性在输送途中(20)等中变差。

公开(公告)号：CN101263589A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200580051562.8

申请日：2005-09-13

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  B65G49/00 ,  B65G49/07 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3003 ,  B65G2201/0247 ,  H01L21/31 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明通过在含有氢气的惰性气体气氛中保持晶片，抑制晶片表面的氢末端性在输送途中(20)等中变差。

公开(公告)号：CN1774797A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480010336.0

申请日：2004-04-13

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/049

Abstract: 有关本发明的半导体装置，作为基板采用SiC，同时通过等离子处理形成绝缘膜。此时，在绝缘膜中含有稀有气体。优选作为稀有气体，包括氪(Kr)、氩(Ar)、氙(Xe)中的至少一种。特别优选氧气与氪(Kr)的组合。

公开(公告)号：CN100487620C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200480029178.3

申请日：2004-09-14

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  宇野富雄 ,  土肥亮介 ,  西野功二 ,  中村修 ,  松本笃咨 ,  永濑正明 ,  池田信一

IPC: G05D7/06

CPC classification number: G05D16/208 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/8741 ,  Y10T137/87507

Abstract: 本发明提供一种腔室内压控制装置，通过防止流量的控制精度在小流量范围大幅下降，并在整个流量控制范围可以进行高精度的流量控制，来调节向腔室供给的气体流量并在较大压力范围高精度控制腔室内压。具体来说，向腔室供给气体的装置，由并列状连接的多台压力式流量控制装置，和控制多台压力式流量控制装置的动作的控制装置形成，一边控制流量一边向由真空泵排气的腔室供给所希望的气体，其中，把一台压力式流量控制装置作为控制向腔室供给的最大流量的至多10%的气体流量范围的装置，把其余的压力式流量控制装置作为控制其余的气体流量范围的装置，进而在腔室上设置压力检测器并且向控制装置输入该压力检测器的检测值，调节向压力式流量控制装置的控制信号来控制向腔室的气体供给量，由此来控制腔室内压。

公开(公告)号：CN101027941A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200480044055.7

申请日：2004-09-24

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森本明大

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28

CPC classification number: H05B33/28 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5361 ,  H05B33/04

Abstract: 一种有机EL发光元件，其具有：导电性透明电极(3)、与该导电性透明电极(3)对置的对置电极(8)、在所述导电性透明电极(3)和所述对置电极(8)之间设置的有机EL发光层(6)、至少覆盖所述有机EL发光层(6)而设置的绝缘保护层(9)、与该绝缘保护层(9)相接而设置的散热层(11)，所述导电性透明电极至少在所述有机EL发光层(6)侧的表面部分具有ITO膜，该ITO膜包含Hf、V及Zr中至少一种，而且，所述绝缘保护层(9)包含厚度100nm以下的氮化膜。

公开(公告)号：CN1868044A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030545.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L21/314

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN1806319A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016271.0

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/045

Abstract: 公开了在半导体衬底中形成的一种MIS三极管，它包括：半导体衬底(702，910)，该半导体衬底具有其表面相对于衬底的主表面具有至少两个不同晶面(704，910B)的突出部；栅绝缘膜(708，920B)，覆盖至少一部分构成所述突出部的表面的各个晶面；栅电极(706，930B)，经所述栅绝缘膜形成在各个晶面上；以及相同电导率类型的扩散区(710a，710b，910c，910d)，它们形成在突出部中面对各个晶面以及栅绝缘电极的两侧上。通过具有这种结构，MIS晶体管能够具有增加的沟道宽度的同时，抑制装置面积的增加。

公开(公告)号：CN101567388B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910141533.0

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN1510755B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200310117790.3

申请日：2003-12-02

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/318 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，硅表面通过降低OH浓度的RCA标准清洗-1工序、并通过淀积自牺牲氧化物膜而具有不大于0.15nm的规定的表面算术平均差Ra，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n-MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。本发明还提供一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN101567389A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910141534.5

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。