公开(公告)号：CN119654700A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380056352.6

申请日：2023-07-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  铃木温 ,  松原寿树 ,  阿部达夫 ,  铃木克佳

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H10D86/00 ,  H10D62/10

Abstract: 本发明是一种量子计算机用硅基板的制造方法，其中，包含以下步骤：通过使用28Si与30Si在硅系原料气体中包含的硅整体中所占的总含量为99.9％以上的Si源气体作为该硅系原料气体在硅基板上进行外延生长，从而形成Si外延层的步骤；对所述Si外延层的表面进行氧化来形成氧(O)的δ掺杂层的步骤；以及，通过使用28Si与30Si在硅系原料气体中包含的硅整体中所占的总含量为99.9％以上的Si源气体在所述δ掺杂层上进行外延生长，从而形成Si外延层的步骤。由此，提供一种量子计算机用硅基板及其制造方法，该量子计算机用硅基板能够抑制29Si的影响，并抑制核自旋的影响。

公开(公告)号：CN118661242A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202280092184.1

申请日：2022-12-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 松原寿树 ,  铃木克佳 ,  田中佑宜 ,  铃木温 ,  阿部达夫 ,  大槻刚

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明是一种高频器件用基板，其特征在于，具有：表面具有凹凸的支撑基板、所述支撑基板的所述表面上的金刚石层、以及所述金刚石层上的硅氧化膜层。由此，提供利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板、以及利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板的制造方法。

公开(公告)号：CN110678964A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880034863.7

申请日：2018-05-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  水泽康 ,  铃木克佳 ,  石崎顺也

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明为一种外延片的制造方法，其在硅基板上形成外延层，其具有在所述外延层中形成原子层的工序，所述原子层由选自氧、碳、氮、锗、锡、硼及磷组成的组中的一种元素的原子形成，且厚度为5nm以下，使用SiH4气体，形成与所述原子层相接的外延层。由此，能够提供一种可在外延层中稳定地导入氧等的原子层的制造外延片的方法。

公开(公告)号：CN109891553A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780062555.0

申请日：2017-09-15

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 铃木克佳

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明为一种装置形成方法，于单晶硅基板离子注入掺杂物而形成扩散层，并通过激光退火活化扩散层，其中在作为该单晶硅基板而使用该扩散层形成区域的氧浓度未满5ppma的情况下，于通过激光退火活化扩散层之前，进行将该扩散层形成区域的氧浓度予以控制在5ppma以上的步骤。如此一来可提供一种装置形成方法，即便是在扩散层形成区域的氧浓度低的情况下，也能简便地通过激光退火提升掺杂物的活化程度。