公开(公告)号：CN103958406B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280058859.7

申请日：2012-11-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 黑泽靖志 ,  祢津茂义 ,  星野成大 ,  冈田哲郎

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C23C16/24 ,  C01B33/035 ,  C23C16/52

Abstract: 在本发明中，使硅在硅芯线上析出而得到多晶硅棒的多晶硅的制造方法中，在析出反应的初期阶段(前段工序)中通过将原料气体大量供给至反应炉内而在不提高反应速度的情况下使供给的原料气体的浓度为高浓度，由此提高反应速度，在该前段工序之后的后段工序中利用将原料气体高速吹入反应炉内所产生的高速强制对流的效果将爆米花的产生概率抑制在较低水平。由此，即使在高压化、高负荷化、高速化的反应体系中，也能够在不降低生产效率的情况下制造爆米花少且高纯度的多晶硅棒。

公开(公告)号：CN103702938B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201280035894.7

申请日：2012-09-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 黑泽靖志 ,  祢津茂义 ,  星野成大

IPC: C01B33/035

CPC classification number: H01L21/02595 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  H01L21/02532

Abstract: 为了得到具有翘曲少、横截面形状的圆度高的良好形状的多晶硅棒，使设置在反应炉中的原料气体供给喷嘴(9)与金属电极(电极对)(10)的配置关系为适当关系。圆盘状底板(5)的面积为S0。在该圆盘状底板(5)的中央具有中心的假想的同心圆C(半径c)具有面积S＝S0/2。另外，同心圆A及同心圆B分别是与同心圆C具有相同的中心的半径a及半径b(a＜b＜c)的假想同心圆。在本发明中，电极对(10)配置在上述假想的同心圆C的内侧且假想的同心圆B的外侧，气体供给喷嘴(9)均配置在上述假想的同心圆A的内侧。另外，同心圆B的半径b与同心圆A的半径a之差为20cm以上且50cm以下。

公开(公告)号：CN116497439A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310025913.8

申请日：2023-01-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 星野成大 ,  山岸成俊 ,  吉田敦 ,  石田昌彦

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  G01N33/00 ,  G01N21/3563 ,  G01N27/626 ,  G01N21/63 ,  G01N1/28 ,  G06Q10/0639

Abstract: 本发明的质量评价方法包含：生成评价用硅的工序,在反应器20内生长多晶硅的同时,生长从芯线9沿径向延伸的单晶硅；以及使用所述单晶硅进行评价的工序。

公开(公告)号：CN106573784B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201580044611.9

申请日：2015-07-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  星野成大 ,  冈田哲郎 ,  齐藤弘

IPC: C01B33/035

Abstract: 本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。

公开(公告)号：CN113880094A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110711525.6

申请日：2021-06-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 岡田哲郎 ,  星野成大 ,  石田昌彦

IPC: C01B33/035

Abstract: 发明涉及的多晶硅棒的制造装置，通过西门子法制造多晶棒，其特征在于，包括：保持体100，该保持体100被可沿水平方向移动地设置在底板20上，将芯线保持器1与电极4电连接，并且相对于底板20可旋转地保持芯线保持器1。

公开(公告)号：CN113832543A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202110635824.6

申请日：2021-06-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉田敦 ,  星野成大 ,  石田昌彦 ,  青山武

IPC: C30B29/06 ,  C30B28/08

Abstract: 发明涉及的多晶硅棒的晶界特征为：距离多晶硅棒的截面中心2/3的区域中除硅芯以外的区域的平均对应晶界比例超过20％，晶界宽度超过550mm/mm2，随机晶界宽度不超过800mm/mm2。

公开(公告)号：CN107848810B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201680043217.8

申请日：2016-07-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 黑泽靖志 ,  祢津茂义 ,  星野成大

IPC: C01B33/035 ,  C01B33/02

Abstract: 本发明的反应炉(200)具备作为能够收容硅芯线的初始加热用的碳加热器的空间部的加热器收纳部。在该反应炉(200)中，仅在需要硅芯线(12)的初始加热时将碳加热器(13)向析出反应空间(20)载入，在硅芯线(12)的初始加热结束后将碳加热器(13)从析出反应空间向加热器收纳部(30)卸载。由此，碳加热器(13)在反应炉内不会受到必要以上的损害，能抑制劣化，而且能抑制与炉内的氢气的反应，因此抑制甲烷的产生，也抑制向多晶硅的碳污染。

公开(公告)号：CN112093802A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010529313.1

申请日：2020-06-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 星野成大 ,  石田昌彦 ,  冈田哲郎

IPC: C01B33/035

Abstract: 发明涉及的多晶硅棒的制造方法，采用西门子法来制造多晶硅棒，其特征在于，包括：沉积后通电工序，其在多晶硅的沉积工序结束后，以趋肤深度D比所述沉积工序结束时的趋肤深度D0更浅为条件来进行通电。例如，在所述沉积后通电工序中通电的电流的频率f高于所述沉积工序结束时通电的电流的频率f0。

公开(公告)号：CN111825095A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010285747.1

申请日：2020-04-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 星野成大 ,  冈田哲郎 ,  石田昌彦

IPC: C01B33/035

Abstract: 本发明涉及的第一方式的硅芯线中，形成于第一硅细棒的一端的外螺纹部与形成于第二硅细棒的一端的内螺纹部相互螺合后紧固。此外，本发明涉及的第二方式的硅芯线中，形成于第一硅细棒的一端的螺纹部与形成于第二硅细棒的一端的螺纹部通过在两端部形成有螺纹部的接合器相互螺合后紧固。

公开(公告)号：CN103702938A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280035894.7

申请日：2012-09-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 黑泽靖志 ,  祢津茂义 ,  星野成大

IPC: C01B33/035

CPC classification number: H01L21/02595 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  H01L21/02532

Abstract: 为了得到具有翘曲少、横截面形状的圆度高的良好形状的多晶硅棒，使设置在反应炉中的原料气体供给喷嘴(9)与金属电极(电极对)(10)的配置关系为适当关系。圆盘状底板(5)的面积为S0。在该圆盘状底板(5)的中央具有中心的假想的同心圆C(半径c)具有面积S＝S0/2。另外，同心圆A及同心圆B分别是与同心圆C具有相同的中心的半径a及半径b(a＜b＜c)的假想同心圆。在本发明中，电极对(10)配置在上述假想的同心圆C的内侧且假想的同心圆B的外侧，气体供给喷嘴(9)均配置在上述假想的同心圆A的内侧。另外，同心圆B的半径b与同心圆A的半径a之差为20cm以上且50cm以下。