-
公开(公告)号:CN113880094A
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN202110711525.6
申请日:2021-06-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 发明涉及的多晶硅棒的制造装置,通过西门子法制造多晶棒,其特征在于,包括:保持体100,该保持体100被可沿水平方向移动地设置在底板20上,将芯线保持器1与电极4电连接,并且相对于底板20可旋转地保持芯线保持器1。
-
公开(公告)号:CN113371716B
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202110236189.4
申请日:2021-03-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明的底板的污染防止方法,包括:在具有底板以及覆盖所述底板的盖的反应器内制造多晶硅的工序;从所述底板除去所述盖的工序;以及通过隔离装置隔离包含所述底板的空间的工序。
-
公开(公告)号:CN115583653A
公开(公告)日:2023-01-10
申请号:CN202210757989.5
申请日:2022-06-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的多晶硅棒的制造装置,包括:用于使多晶硅析出的硅芯线1;贯穿底板80设置的硅芯线用电极60;设置在硅芯线1与硅芯线用电极60之间且由能够相对于底板80移动的适配器等构成的调整构件10;以及可冷却调整构件10的冷却部。
-
公开(公告)号:CN113371716A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202110236189.4
申请日:2021-03-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明的底板的污染防止方法,包括:在具有底板以及覆盖所述底板的盖的反应器内制造多晶硅的工序;从所述底板除去所述盖的工序;以及通过隔离装置隔离包含所述底板的空间的工序。
-
-
-