测定硬化催化剂的扩散距离的方法

    公开(公告)号:CN111855581A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010334210.X

    申请日:2020-04-24

    Abstract: 本发明涉及测定硬化催化剂的扩散距离的方法。本发明课题为提供测定硬化催化剂从含硅膜往形成在含硅膜上的抗蚀剂上层膜扩散距离的方法。解决该课题手段为测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法,包括下列步骤:由含有热硬化性含硅材料、硬化催化剂及溶剂(a)的组成物形成含硅膜(Sf);将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、酸产生剂及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于含硅膜上,然后予以加热,制得形成含硅膜及树脂膜的基板;对基板照射高能射线或电子束使酸产生,将基板进行热处理并通过树脂膜中酸的作用来提高树脂于碱显影液的溶解度;用碱显影液将树脂膜溶解;测定残留的树脂的膜厚。

    抗蚀剂材料及图案形成方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116774519A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310253950.4

    申请日:2023-03-16

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的目的为提供具有更优于已知的正型抗蚀剂材料的感度及分辨率、溶解对比度,边缘粗糙度、尺寸偏差小,且曝光后的图案形状良好的抗蚀剂材料、及图案形成方法。本发明的解决手段为一种抗蚀剂材料,其特征为含有:(Ia)含有包含羟基或羧基的重复单元(A)的聚合物、(II)具有下式(1)表示的结构的交联剂、(III)具有下式(2)表示的结构的热酸产生剂、(IV)有机溶剂、及(V)会因为活性光线或放射线的照射而分解并产生酸的成分。#imgabs0#

    测定硬化催化剂的扩散距离的方法

    公开(公告)号:CN111855581B

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202010334210.X

    申请日:2020-04-24

    Abstract: 本发明涉及测定硬化催化剂的扩散距离的方法。本发明课题为提供测定硬化催化剂从含硅膜往形成在含硅膜上的抗蚀剂上层膜扩散距离的方法。解决该课题手段为测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法,包括下列步骤:由含有热硬化性含硅材料、硬化催化剂及溶剂(a)的组成物形成含硅膜(Sf);将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、酸产生剂及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于含硅膜上,然后予以加热,制得形成含硅膜及树脂膜的基板;对基板照射高能射线或电子束使酸产生,将基板进行热处理并通过树脂膜中酸的作用来提高树脂于碱显影液的溶解度;用碱显影液将树脂膜溶解;测定残留的树脂的膜厚。

    抗蚀剂组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN111522198A

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN202010078997.8

    申请日:2020-02-03

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明提供在以KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束、极端紫外线等高能射线作为光源的光刻中,光透射性、酸扩散抑制能力优异,DOF、LWR、MEF等光刻性能优异的抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种抗蚀剂组成物,包含(A)由下列式(1)表示的锍盐构成的光酸产生剂、(B)对显影液的溶解性会因酸的作用而变化的基础聚合物、及(C)有机溶剂。

    抗蚀剂组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN112782935B

    公开(公告)日:2025-05-20

    申请号:CN202011225387.2

    申请日:2020-11-05

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以KrF准分子激光、电子束、极紫外线等高能射线作为光源的光学光刻中,展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数:MEF)、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,其特征为含有:(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元,且更含有至少1种具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。#imgabs0#式中,W1表示碳数4~12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4~14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。

    化学增幅负型抗蚀剂组合物和图案形成方法

    公开(公告)号:CN118838116A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202410502699.5

    申请日:2024-04-25

    Abstract: 一种化学增幅负型抗蚀剂组合物和图案形成方法。[课题]提供具有高溶解对比度、优异的CDU和LWR性能的化学增幅负型抗蚀剂组合物,以及使用该组合物的图案形成方法。[解决手段]一种化学增幅负型抗蚀剂组合物,其包含(A)聚合物P和(B)交联剂X,所述聚合物P包含规定结构的通过曝光而产生酸的重复单元、规定结构的通过酸的作用发生分解而使相对于显影液的溶解性发生变化的重复单元、以及具有酚性羟基的重复单元,所述交联剂X为被选自羟甲基、烷氧基甲基和酰氧基甲基中的至少1种基团取代的、三聚氰胺化合物、甘脲化合物、脲化合物或环氧化合物。

    抗蚀剂材料、抗蚀剂组成物、及图案形成方法

    公开(公告)号:CN118818895A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410458885.3

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂材料、抗蚀剂组成物、及图案形成方法。本发明的课题是提供优于已知的正型抗蚀剂材料的高感度、高分辨度,且边缘粗糙度、尺寸变异小,且曝光后的图案形状良好的抗蚀剂材料,以及使用了前述抗蚀剂材料的抗蚀剂组成物、及图案形成方法。该课题的解决手段是一种抗蚀剂材料,含有:在聚合物主链与羧酸盐之间含有至少1个以上的碘原子的重复单元a,及键结于聚合物主链的磺酸的锍盐或錪盐的重复单元b。

    抗蚀剂组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN112782935A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202011225387.2

    申请日:2020-11-05

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以KrF准分子激光、电子束、极紫外线等高能射线作为光源的光学光刻中,展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数:MEF)、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,其特征为含有:(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元,且更含有至少1种具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。 式中,W1表示碳数4~12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4~14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。

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