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公开(公告)号：CN113341646A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110219930.6
申请日：2021-02-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明提供一种有机膜形成材料，其特征为包含下述通式(1)表示的化合物及有机溶剂。该通式(1)中，X为碳数2～50的n价有机基团或氧原子，n为1～10的整数，R1独立地为下述通式(2)中任一者。该通式(2)中，破折线表示键结到X的键结部位，Q1为含有羰基的1价有机基团，且至少一部分为下述通式(3)表示的基团。该通式(3)中，破折线表示键结部位，X1表示单键、或碳数1～20的2价有机基团，且该有机基团具有芳香环时也可具有取代基。R2表示氢原子、甲基、乙基、或苯基。**表示键结部位。
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公开(公告)号：CN112286000A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010710472.1
申请日：2020-07-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。本发明的课题为提供可形成LWR、CDU优良的抗蚀剂图案的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用该组合物的图案形成方法。该课题的解决方法为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有：包含通式(Sx‑1)、(Sx‑2)及(Sx‑3)所示的部分结构中的任一种以上的热固化性含硅的材料、及通式(P‑0)所示的化合物。[化1]。
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公开(公告)号：CN113805434A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110646782.6
申请日：2021-06-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物；及(B)有机溶剂。式中，X各自独立地为下列通式(2)表示的1价有机基团。W含有m个下式(3)表示的独立的部分结构。m、n为1～10的整数。式中，虚线表示原子键。Z表示芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。式中，虚线表示原子键。R01为氢原子或碳数1～10的一价有机基团。
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公开(公告)号：CN113050373A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011564357.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/11 , C07D307/88 , C07D493/10 , C07D311/82 , C07D233/74 , C07D239/62 , C07D251/30 , C07D487/04 , C07C69/736
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明提供用以形成兼顾高程度的填埋特性/高程度的平坦化特性/和基板间的优良的密合力的有机膜的有机膜材料。提供含有下列通式(1)表示的化合物及有机溶剂的有机膜形成材料。该通式(1)中，X为碳数2～50的n1价的有机基团，n1表示2～10的整数，R1为下式(2)～(4)中的至少一者以上；该通式(3)中，l1表示0或1；该通式(4)中，l2表示0或1。
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公开(公告)号：CN112987495A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011454750.8
申请日：2020-12-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/11 , C07D303/30 , C07D405/14 , C07D209/48 , C07D403/14 , C07D487/04 , C07C53/126 , C07C65/28
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明的目的在于提供为了形成兼具高程度的填埋特性/高程度的平坦化特性/和基板间的优良密合力的有机膜的有机膜材料。本发明提供包含下列通式(1)表示的化合物及有机溶剂的有机膜形成材料。上述通式(1)中，X为碳数2～50的n1价的有机基团，n1表示1～10的整数，R1为下列通式(2)～(4)中的至少一者以上；
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112526822A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010979904.9
申请日：2020-09-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。本发明的课题是为了提供在多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，且具有适当的蚀刻速度的含硅的抗蚀剂下层膜。该课题的解决手段为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，至少含有下述通式(A‑1)表示的季铵盐中的1种或2种以上、及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]式中，Ar1表示碳数6～20的芳香族基、或碳数4～20的杂芳香族基。R11表示碳数1～12的烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的芳基、或碳数7～12的芳烷基或芳基氧代烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可经取代。Z‑表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子。
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公开(公告)号：CN107589633B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201710546915.6
申请日：2017-07-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供可通过高能量射线照射而固化，在半导体装置制造工序中的利用多层抗蚀剂法的微细图形工艺中可形成具有优异嵌入/平坦化特性、适当耐蚀刻性及光学特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料、使用该材料的图案形成方法、抗蚀剂下层膜形成方法、及适用于该抗蚀剂下层膜材料的新型化合物。该抗蚀剂下层膜材料用于多层抗蚀剂法，其含有(A)通式(1)所示的化合物中的一种或二种以上及(B)有机溶剂，[化学式1]式中W为碳原子数2～50的n价有机基团；X为通式(1X)所示的1价有机基团；n为1～10的整数，[化学式2]式中虚线表示结合键；R01为丙烯酰基或甲基丙烯酰基；Y为单键或羰基；Z为碳原子数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN109960111A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811592270.0
申请日：2018-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/09
Abstract: 本发明提供一种过滤性高的有机膜形成用组合物、使用该组合物的有机膜的形成方法、图案形成方法、及形成有该有机膜的半导体装置制造用基板，所述组合物能够形成图案弯曲耐性高、尤其是在比40nm微细且为高高宽的线条图案中不会发生干法蚀刻后的线条的坍塌或起皱的有机膜。所述有机膜形成用组合物含有作为下述式(1)所示的二羟基萘与缩合剂的缩合体的缩合物(A)或该缩合物(A)的衍生物，所述缩合物(A)或缩合物(A)的衍生物中含有的成分元素中的硫成分的含量以质量比计为100ppm以下。[化学式1]
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公开(公告)号：CN112526822B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010979904.9
申请日：2020-09-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。本发明的课题是为了提供在多层抗蚀剂法中，抑制超微细图案崩塌的效果高，且具有适当的蚀刻速度的含硅的抗蚀剂下层膜。该课题的解决手段为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，至少含有下述通式(A‑1)表示的季铵盐中的1种或2种以上、及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]#imgabs0#式中，Ar1表示碳数6～20的芳香族基、或碳数4～20的杂芳香族基。R11表示碳数1～12的烷基、烯基、氧代烷基或氧代烯基、碳数6～20的芳基、或碳数7～12的芳烷基或芳基氧代烷基，且这些基团的一部分或全部的氢原子也可经取代。Z‑表示成为季铵阳离子的反荷离子的有机或无机阴离子。
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公开(公告)号：CN111856882B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010333047.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供能够改善在以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中的LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物含有热硬化性含硅材料(Sx)、硬化催化剂(Xc)及溶剂，且该硬化催化剂(Xc)从利用该含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物形成的抗蚀剂下层膜到于该抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂上层膜的扩散距离为5nm以下。
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