-
公开(公告)号:CN110609437A
公开(公告)日:2019-12-24
申请号:CN201910904266.1
申请日:2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料,所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜,并提供一种光掩模坯料及其制造方法,其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题,提供一种光掩膜坯料的制造方法,其是制造以下的光掩模坯料的方法,所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜,并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜,所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后,进行硅烷化处理,然后利用涂布来形成前述抗蚀膜,所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子%以上且75原子%以下。
-
公开(公告)号:CN111855581B
公开(公告)日:2023-04-14
申请号:CN202010334210.X
申请日:2020-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及测定硬化催化剂的扩散距离的方法。本发明课题为提供测定硬化催化剂从含硅膜往形成在含硅膜上的抗蚀剂上层膜扩散距离的方法。解决该课题手段为测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法,包括下列步骤:由含有热硬化性含硅材料、硬化催化剂及溶剂(a)的组成物形成含硅膜(Sf);将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、酸产生剂及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于含硅膜上,然后予以加热,制得形成含硅膜及树脂膜的基板;对基板照射高能射线或电子束使酸产生,将基板进行热处理并通过树脂膜中酸的作用来提高树脂于碱显影液的溶解度;用碱显影液将树脂膜溶解;测定残留的树脂的膜厚。
-
公开(公告)号:CN106662810A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580047940.9
申请日:2015-07-24
Applicant: 国际商业机器公司 , 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供包含游离的光致产酸剂和与光致产酸部分共价结合的多官能聚合物的负性抗蚀剂组合物,其中所述组合物基本不含交联剂。还提供可与抗蚀剂组合物联合使用的多官能聚合物,以及使用本发明组合物和聚合物在基底上产生抗蚀剂图像的方法。
-
公开(公告)号:CN104460224A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410499396.9
申请日:2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/76 , H01L21/033
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/0076 , G03F1/32 , G03F1/50
Abstract: 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料,所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜,并提供一种光掩膜坯料的制造方法,其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题,提供一种光掩膜坯料的制造方法,其是制造以下的光掩模坯料的方法,所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜,并在该无机膜上具有抗蚀膜,所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后,以高于200℃的温度,在含有氧气的环境中进行热处理,再进行硅烷化处理,然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。
-
公开(公告)号:CN113527101B
公开(公告)日:2024-04-23
申请号:CN202011486319.1
申请日:2020-12-16
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种化合物、使用该化合物得到的聚酰亚胺树脂及其制造方法,所述化合物能够衍生出聚酰亚胺,该聚酰亚胺能够用作不损害机械强度、溶解性等优异的特征,可形成微细的图案且能够获得高分辨率的光敏性树脂组合物的基础树脂。所述化合物的特征在于,由下述通式(1)表示。#imgabs0#
-
公开(公告)号:CN113527680A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202011486388.2
申请日:2020-12-16
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种聚合物,该聚合物能够用作可溶于碱性水溶液、可形成微细图案、可获得高分辨率,并且即使在低温下进行固化时机械特性仍良好的正型光敏性树脂组合物及负型光敏性树脂组合物的基础树脂。此外,还提供使用了所述聚合物的正型光敏性树脂组合物及负型光敏性树脂组合物。所述聚合物的特征在于,含有下述通式(1)和/或(2)表示的结构单元。式中,T1、T2任选彼此相同或不同,表示‑CO‑、‑SO2‑中的任意一种,X1为4价有机基团,l为0或1。式中,T1、T2、l与所述T1、T2、l相同,X2为2价有机基团。
-
公开(公告)号:CN111855581A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN202010334210.X
申请日:2020-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及测定硬化催化剂的扩散距离的方法。本发明课题为提供测定硬化催化剂从含硅膜往形成在含硅膜上的抗蚀剂上层膜扩散距离的方法。解决该课题手段为测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法,包括下列步骤:由含有热硬化性含硅材料、硬化催化剂及溶剂(a)的组成物形成含硅膜(Sf);将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、酸产生剂及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于含硅膜上,然后予以加热,制得形成含硅膜及树脂膜的基板;对基板照射高能射线或电子束使酸产生,将基板进行热处理并通过树脂膜中酸的作用来提高树脂于碱显影液的溶解度;用碱显影液将树脂膜溶解;测定残留的树脂的膜厚。
-
公开(公告)号:CN104460221A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410499354.5
申请日:2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/0076 , G03F1/32 , G03F1/38 , G03F1/50
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料,所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜,并提供一种光掩模坯料及其制造方法,其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题,提供一种光掩膜坯料的制造方法,其是制造以下的光掩模坯料的方法,所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜,并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜,所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后,进行硅烷化处理,然后利用涂布来形成前述抗蚀膜,所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子%以上且75原子%以下。
-
公开(公告)号:CN113527680B
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN202011486388.2
申请日:2020-12-16
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种聚合物,该聚合物能够用作可溶于碱性水溶液、可形成微细图案、可获得高分辨率,并且即使在低温下进行固化时机械特性仍良好的正型光敏性树脂组合物及负型光敏性树脂组合物的基础树脂。此外,还提供使用了所述聚合物的正型光敏性树脂组合物及负型光敏性树脂组合物。所述聚合物的特征在于,含有下述通式(1)和/或(2)表示的结构单元。式中,T1、T2任选彼此相同或不同,表示‑CO‑、‑SO2‑中的任意一种,X1为4价有机基团,l为0或1。式中,T1、T2、l与所述T1、T2、l相同,X2为2价有机基团。
-
公开(公告)号:CN108594593A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201810596424.7
申请日:2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料,所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜,并提供一种光掩模坯料及其制造方法,其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题,提供一种光掩膜坯料的制造方法,其是制造以下的光掩模坯料的方法,所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜,并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜,所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后,进行硅烷化处理,然后利用涂布来形成前述抗蚀膜,所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子%以上且75原子%以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-