光掩模坯料及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110609437A

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201910904266.1

    申请日:2014-09-25

    Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料,所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜,并提供一种光掩模坯料及其制造方法,其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题,提供一种光掩膜坯料的制造方法,其是制造以下的光掩模坯料的方法,所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜,并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜,所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后,进行硅烷化处理,然后利用涂布来形成前述抗蚀膜,所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子%以上且75原子%以下。

    测定硬化催化剂的扩散距离的方法

    公开(公告)号:CN111855581B

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202010334210.X

    申请日:2020-04-24

    Abstract: 本发明涉及测定硬化催化剂的扩散距离的方法。本发明课题为提供测定硬化催化剂从含硅膜往形成在含硅膜上的抗蚀剂上层膜扩散距离的方法。解决该课题手段为测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法,包括下列步骤:由含有热硬化性含硅材料、硬化催化剂及溶剂(a)的组成物形成含硅膜(Sf);将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、酸产生剂及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于含硅膜上,然后予以加热,制得形成含硅膜及树脂膜的基板;对基板照射高能射线或电子束使酸产生,将基板进行热处理并通过树脂膜中酸的作用来提高树脂于碱显影液的溶解度;用碱显影液将树脂膜溶解;测定残留的树脂的膜厚。

    测定硬化催化剂的扩散距离的方法

    公开(公告)号:CN111855581A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010334210.X

    申请日:2020-04-24

    Abstract: 本发明涉及测定硬化催化剂的扩散距离的方法。本发明课题为提供测定硬化催化剂从含硅膜往形成在含硅膜上的抗蚀剂上层膜扩散距离的方法。解决该课题手段为测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法,包括下列步骤:由含有热硬化性含硅材料、硬化催化剂及溶剂(a)的组成物形成含硅膜(Sf);将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、酸产生剂及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于含硅膜上,然后予以加热,制得形成含硅膜及树脂膜的基板;对基板照射高能射线或电子束使酸产生,将基板进行热处理并通过树脂膜中酸的作用来提高树脂于碱显影液的溶解度;用碱显影液将树脂膜溶解;测定残留的树脂的膜厚。

    光掩模坯料及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108594593A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810596424.7

    申请日:2014-09-25

    Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料,所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜,并提供一种光掩模坯料及其制造方法,其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题,提供一种光掩膜坯料的制造方法,其是制造以下的光掩模坯料的方法,所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜,并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜,所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后,进行硅烷化处理,然后利用涂布来形成前述抗蚀膜,所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子%以上且75原子%以下。

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