公开(公告)号：CN1161820C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN99111914.2

申请日：1999-07-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 藤冈靖 ,  冈部正太郎 ,  金井正博 ,  酒井明 ,  泽山忠志 ,  幸田勇藏 ,  矢岛孝博

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50 ,  H01L31/18

CPC classification number: C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造半导体层的方法，将原料气体引入放电室中，对该室施加高频功率，通过放电分解原料气体，在室中的衬底上形成半导体层，它包括步骤：提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率；对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还施加VHF高频功率；和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量，使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m2至10A/m2的范围内。高质量的半导体层可大面积高速地淀积。

公开(公告)号：CN1097299C

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN98109428.7

申请日：1998-03-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 矢岛孝博 ,  藤冈靖 ,  冈部正太郎 ,  金开正博 ,  大利博和 ,  酒井明 ,  泽山忠志 ,  幸田勇藏

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/1055 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 形成淀积膜、半导体元件和光电转换元件的工艺，在基片上形成包括非单晶半导体的第一导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层上形成包括非晶半导体的基本上为i型半导体层；在其上形成包括微晶半导体的基本上为i型半导体层，同时降低它的膜形成速度；以及在包括微晶半导体的基本上为i型半导体层上形成包括非单晶半导体的第二导电类型半导体层。由此，可以得到具有高光电转换效率高生产率的光电转换元件。

公开(公告)号：CN102301476B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201080006235.1

申请日：2010-01-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 泽山忠志 ,  广田克范 ,  渡边高典 ,  市川武史

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643

Abstract: 一种光电转换装置包括：n型表面区域；在表面区域下面形成的p型区域；和在p型区域下面形成的n型埋入层，其中，表面区域、p型区域和埋入层形成埋入光电二极管，并且，表面区域的主要杂质的扩散系数比埋入层的主要杂质的扩散系数小。

公开(公告)号：CN102301476A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006235.1

申请日：2010-01-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 泽山忠志 ,  广田克范 ,  渡边高典 ,  市川武史

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643

Abstract: 一种光电转换装置包括：n型表面区域；在表面区域下面形成的p型区域；和在p型区域下面形成的n型埋入层，其中，表面区域、p型区域和埋入层形成埋入光电二极管，并且，表面区域的主要杂质的扩散系数比埋入层的主要杂质的扩散系数小。

公开(公告)号：CN101252102A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810080869.6

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 泽山忠志 ,  小岛毅

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76828 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明是一种具有设置在半导体基板上的多层互连(布线)结构的光电转换装置的制造方法，该方法包括以下步骤：在层间绝缘膜的与晶体管的电极对应的区域中形成孔；在孔中埋入导电物质；形成氢供给膜；在第一温度下进行热处理以从氢供给膜向半导体基板供给氢；通过在布线材料中使用Cu形成多层互连结构；并且形成覆盖多层互连结构的保护膜，其中，在不高于第一温度的温度下进行形成多层互连结构的步骤和形成保护膜的步骤。

公开(公告)号：CN1156022C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN97122850.7

申请日：1997-09-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈部正太郎 ,  藤冈靖 ,  金井正博 ,  酒井明 ,  泽山忠志 ,  幸田勇藏 ,  芳里直 ,  矢岛孝博

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 由半导体结型元件组成的光生伏打元件，其特征是，该元件包括第1导电类型半导体层，非晶i型半导体层，微晶第2导电类型半导体层，这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备，其特征是，有效地而连续地大量生产光生伏打元件，它具有优良的电流电压特性，和优良的光电转换效率。光生伏打元件，在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性，该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。

公开(公告)号：CN1507011A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310116461.7

申请日：1997-09-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈部正太郎 ,  藤冈靖 ,  金井正博 ,  酒井明 ,  泽山忠志 ,  幸田勇藏 ,  芳里直 ,  矢岛孝博

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/20 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。

公开(公告)号：CN1197997A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98109428.7

申请日：1998-03-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 矢岛孝博 ,  藤冈靖 ,  冈部正太郎 ,  金开正博 ,  大利博和 ,  酒井明 ,  泽山忠志 ,  幸田勇藏

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/1055 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 形成淀积膜、半导体元件和光电转换元件的工艺,在基片上形成包括非单晶半导体的第一导电类型半导体层;在第一导电类型半导体层上形成包括非晶半导体的基本上为i型半导体层;在其上形成包括微晶半导体的基本上为i型半导体层,同时降低它的膜形成速度;以及在包括微晶半导体的基本上为i型半导体层上形成包括非单晶半导体的第二导电类型半导体层。由此,可以得到具有高光电转换效率高生产率的光电转换元件。