公开(公告)号：CN106415815B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201580025703.2

申请日：2015-03-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 久保田良辅 ,  木村炼 ,  田中聪 ,  小桥一仁

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02027 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/027 ,  H01L21/046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/6838 ,  H01L23/562 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，包括：制备SiC衬底(10)的步骤；将所述SiC衬底(10)固定到静电吸盘(20)上并且对所述SiC衬底(10)进行热处理的步骤，以及对被固定到所述静电吸盘(20)上并且被热处理的所述SiC衬底(10)执行离子注入处理的步骤。所述热处理的步骤包括：外周侧吸附步骤，其在所述SiC衬底(10)的外周区域(12)和所述静电吸盘(20)的外周部(22)之间产生静电吸引力，所述外周部(22)面对所述外周区域(12)；以及内周侧吸附步骤，其是在所述外周侧吸附步骤开始之后开始的，并且在所述SiC衬底(10)的内周区域(11)和所述静电吸盘(20)的内周部(21)之间产生静电吸引力，所述内周部(21)面对所述内周区域(11)。

公开(公告)号：CN106415815A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580025703.2

申请日：2015-03-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 久保田良辅 ,  木村炼 ,  田中聪 ,  小桥一仁

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02027 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/027 ,  H01L21/046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/6838 ,  H01L23/562 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，包括：制备SiC衬底(10)的步骤；将所述SiC衬底(10)固定到静电吸盘(20)上并且对所述SiC衬底(10)进行热处理的步骤，以及对被固定到所述静电吸盘子注入处理的步骤。所述热处理的步骤包括：外周侧吸附步骤，其在所述SiC衬底(10)的外周区域(12)和所述静电吸盘(20)的外周部(22)之间产生静电吸引力，所述外周部(22)面对所述外周区域(12)；以及内周侧吸附步骤，其是在所述外周侧吸附步骤开始之后开始的，并且在所述SiC衬底(10)的内周区域(11)和所述静电吸盘(20)的内周部(21)之间产生静电吸引力，所述内周部(21)面对所述内周区域(11)。(20)上并且被热处理的所述SiC衬底(10)执行离

公开(公告)号：CN115483609A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210407726.1

申请日：2022-04-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 久保田良辅

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/42 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明提供表面发射激光器的制造方法、检查方法以及检查装置。在一个实施方式所涉及的表面发射激光器的制造方法中，准备具有包含多个区域的主面的衬底。在多个区域中分别设置有多个表面发射激光器。对通过对多个表面发射激光器中的n个(n为2以上的整数)表面发射激光器分别施加直流电压而从n个表面发射激光器分别射出的第一激光进行测定。对通过对多个表面发射激光器中的m个(m为小于n的自然数)表面发射激光器分别施加交流电压而从m个表面发射激光器分别射出的第二激光进行测定。基于第一激光的测定结果对n个表面发射激光器的好坏进行判定。基于第二激光的测定结果对m个表面发射激光器的好坏进行判定。

公开(公告)号：CN107833829B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201711098415.7

申请日：2014-06-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  久保田良辅 ,  增田健良

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体衬底，包括：基础衬底，所述基础衬底具有主表面，并且由单晶碳化硅制成，所述主表面具有不小于125mm的外径；以及外延层，所述外延层形成在所述主表面上；当衬底温度为室温时，所述碳化硅半导体衬底具有不小于‑100μm且不大于100μm的翘曲量，并且当衬底温度为400℃时，所述碳化硅半导体衬底具有不小于‑1.5mm且不大于1.5mm的翘曲量。

公开(公告)号：CN112652948A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011056928.3

申请日：2020-09-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 久保田良辅

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/42 ,  H01S5/02253

Abstract: 本发明提供能够提高面发光激光器的定位精度的发光模块及其制造方法、面发光激光器。发光模块具备：基板；第一面发光激光器，安装于所述基板上，在端部具有向外侧突出的第一卡合部；及第二面发光激光器，安装于所述基板上，在端部具有向内侧凹陷的第二卡合部，所述第一面发光激光器与所述第二面发光激光器相邻，所述第一卡合部与所述第二卡合部卡合。

公开(公告)号：CN105579626B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201480052597.2

申请日：2014-08-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  冲田恭子 ,  西口太郎 ,  久保田良辅 ,  神原健司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C23C16/42

Abstract: 一种碳化硅半导体衬底(10)包括第一主表面(10a)和与第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。第一主表面(10a)具有大于100mm的最大直径，且碳化硅半导体衬底(10)具有不大于700μm的厚度。在从第一主表面(10a)的外周端部分(OR)朝向第一主表面(10a)的中心(O)的5mm以内的区域(OR2)中，在具有1mm2的面积的任意区域处，位错密度为不大于500/mm2。因此，提供有能抑制裂缝产生的碳化硅半导体衬底。

公开(公告)号：CN107833829A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711098415.7

申请日：2014-06-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  久保田良辅 ,  增田健良

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/046 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L21/20 ,  H01L21/2053 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体衬底，包括：基础衬底，所述基础衬底具有主表面，并且由单晶碳化硅制成，所述主表面具有不小于125mm的外径；以及外延层，所述外延层形成在所述主表面上；当衬底温度为室温时，所述碳化硅半导体衬底具有不小于-100μm且不大于100μm的翘曲量，并且当衬底温度为400℃时，所述碳化硅半导体衬底具有不小于-1.5mm且不大于1.5mm的翘曲量。

公开(公告)号：CN105164322A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201480024728.6

申请日：2014-04-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  山田俊介 ,  堀井拓 ,  松岛彰 ,  久保田良辅 ,  冲田恭子 ,  西浦隆幸

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤。制备具有第一主表面(80a)、第二主表面(80b)以及第一侧端部(80c)的碳化硅单晶衬底(80)，第二主表面(80b)与第一主表面(80a)相反，第一侧端部(80c)将第一主表面(80a)和第二主表面(80b)彼此连接，第一主表面(80a)的宽度(D)的最大值大于100mm。碳化硅外延层(81)形成为与第一侧端部(80c)、第一主表面(80a)以及第一主表面(80a)和第一侧端部(80c)之间的边界(80d)接触。去除形成为与第一侧端部(80c)和边界(80d)接触的碳化硅外延层(81)。因此，可抑制形成在碳化硅衬底上的二氧化硅层中产生的破裂。

公开(公告)号：CN104520999A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380041445.8

申请日：2013-09-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 久保田良辅 ,  日吉透 ,  木村炼

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395

Abstract: 具有第一导电类型的杂质的碳化硅衬底(39)的第一部分(31a)布置得比第一深度位置深。第二部分(31b)布置为从第一深度位置延伸到比第一深度位置浅的第二深度位置。第三部分(31c)布置为从第二深度位置延伸到主表面(P2)。第二部分(31b)具有比第一部分(31a)的第一杂质浓度高的第二杂质浓度。第三部分(31c)具有不小于第一杂质浓度且小于第二杂质浓度的第三杂质浓度。具有第二导电类型的杂质的体区(32)在比第一深度位置浅的且比第二深度位置深的深度位置处具有杂质浓度峰值。