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公开(公告)号：CN102393607B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201110166574.2
申请日：2006-11-17
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: G03F7/0233 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , G03F7/40 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种正型感光性树脂组合物，其包括(A)碱溶性树脂，(B)重氮醌化合物，(C)一个分子中具有两个或多个氧环丁基的化合物，和(D)用于促进化合物(C)的氧环丁基的开环反应的催化剂。
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公开(公告)号：CN101833244B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010161446.4
申请日：2004-06-21
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: G03F7/022 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种包含碱性可溶性树脂(A)、重氮醌化合物(B)、不含酚性羟基含-CH2OH基的化合物(C)所构成的正型感光性树脂组合物；采用该组合物的图案状树脂膜的制造方法；采用该组合物的半导体装置；及该半导体装置的制造方法。本发明还提供一种正型感光性树脂组合物；采用该组合物的图案状树脂膜的制造方法；采用该组合物的半导体装置及半导体元件；及该半导体装置及显示元件的制造方法，其中，正型感光性树脂组合物含有碱性可溶性树脂(A)、重氮醌化合物(B)、2种或2种以上的混合溶剂(D)，而混合溶剂(D)含有γ-丁内酯及丙二醇单烷基醚，γ-丁内酯及丙二醇单烷基醚的合计量相对溶剂总量为70重量％或70重量％以上。
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公开(公告)号：CN102393607A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110166574.2
申请日：2006-11-17
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: G03F7/0233 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , G03F7/40 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种正型感光性树脂组合物，其包括(A)碱溶性树脂，(B)重氮醌化合物，(C)一个分子中具有两个或多个氧环丁基的化合物，和(D)用于促进化合物(C)的氧环丁基的开环反应的催化剂。
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公开(公告)号：CN101765810A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880100464.2
申请日：2008-07-22
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: G03F7/023 , G03F7/004 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02282 , G03F7/0233 , G03F7/16 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02126 , H01L21/3121 , H01L21/3122 , H01L21/3127
Abstract: 在半导体元件搭载基板、陶瓷基板、铝基板等基板上喷涂喷涂用正型感光性树脂组合物而形成涂布膜时，前述涂布用正型感光性树脂组合物的特征在于，含有(A)碱溶性树脂、(B)通过光产生酸的化合物和(C)溶剂，并且，该涂布用正型感光性树脂组合物的粘度为2～200cP。
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公开(公告)号：CN1381768A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02119045.3
申请日：1997-05-12
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: G03F7/0226 , G03F7/0755 , G03F7/0757 , Y10S430/107
Abstract: 公开了一种正型光敏树脂组合物,它包括(A)100重量份的式(1)聚酰胺,(B)1－100重量份光敏重氮醌化合物以及(C)1－50重量份具有特定结构的酚化合物和/或(D)0.1－20重量份具有特定结构式的有机硅化合物,其中各取代基如说明书中所述。还公开了一种半导体装置,其中在半导体元件上形成了厚度0.1－20μm的用上述光敏树脂组合物得到的聚苯并噁唑树脂图案。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101928396A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010284319.3
申请日：2004-08-04
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C08G69/42 , G03F7/075 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: C08G69/42 , C08G77/455 , G03F7/0233 , G03F7/0757
Abstract: 本发明提供含具有通式(1)表示结构的聚酰胺树脂和重氮醌化合物的正型感光性树脂组合物、图案状树脂膜的制造方法、半导体装置及其制造方法，通式(1)的Y总量中0.1摩尔％～30摩尔％为通式(2)的结构：X：2～4价有机基团，Y：2～6价有机基团，R1：羟基、-O-R3、m为0～2的整数，可相同或相异，R2：羟基、羧基、-O-R3、-COO-R3、n为0～4的整数，可相同或相异，R3：1～15个碳的有机基团，(若R1不是羟基，R2至少1个必须是羧基。若R2不是羧基，R1至少1个必须是羟基)；R4、R5：2价有机基团，可相异或相同；R6、R7：1价有机基团，可相异或相同；n为0～20。
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公开(公告)号：CN101833244A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010161446.4
申请日：2004-06-21
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: G03F7/022 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种包含碱性可溶性树脂(A)、重氮醌化合物(B)、不含酚性羟基含-CH2OH基的化合物(C)所构成的正型感光性树脂组合物；采用该组合物的图案状树脂膜的制造方法；采用该组合物的半导体装置；及该半导体装置的制造方法。本发明还提供一种正型感光性树脂组合物；采用该组合物的图案状树脂膜的制造方法；采用该组合物的半导体装置及半导体元件；及该半导体装置及显示元件的制造方法，其中，正型感光性树脂组合物含有碱性可溶性树脂(A)、重氮醌化合物(B)、2种或2种以上的混合溶剂(D)，而混合溶剂(D)含有γ-丁内酯及丙二醇单烷基醚，γ-丁内酯及丙二醇单烷基醚的合计量相对溶剂总量为70重量％或70重量％以上。
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公开(公告)号：CN101681834A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880018708.2
申请日：2008-06-17
Applicant: 住友电木株式会社
Inventor： 番场敏夫
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/3171 , C08G73/22 , C08L79/04 , C09D179/04 , G03F7/0007 , G03F7/0233 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法，是具有使用化学放大型抗蚀剂在半导体用晶片上形成电路布线的电路形成工序，以及在形成前述电路布线后形成用于保护前述电路布线的固化膜的固化膜形成工序的半导体装置的制造方法，其特征在于，前述固化膜由含有具有聚苯并噁唑结构或聚苯并噁唑前驱体结构的碱可溶性树脂、通过光照射产生酸的物质和溶剂的感光性树脂组合物的固化物来构成，前述感光性树脂组合物中实质上不含有N-甲基-2-吡咯烷酮。根据本发明，能够提供一种半导体装置的制造方法，该方法在制造半导体装置时，能够抑制在使用化学放大型抗蚀剂在半导体晶片上形成电路时产生的T-顶现象的不良情况。
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公开(公告)号：CN1217391C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN01145759.7
申请日：2001-12-30
Applicant: 住友电木株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/3213 , H01L21/56 , H01L23/29
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/31058 , H01L21/31116 , H01L21/76802
Abstract: 一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体元件表面上形成一层有机聚合物树脂层，对形成的层进行图案形成和固化处理，用已形成了图案并固化了的层作为掩模而对元件进行蚀刻以暴露出位于开放部分的导电层，在100℃或更高的温度下用氧等离子体处理元件并清洗位于开放部分的导电层。当通过氧等离子处理来清洗开放部分的导电层时，有机保护层上的裂纹形成得到抑制，有机保护层与密封树脂间的粘结性得到提高。
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