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公开(公告)号:CN100382389C
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200310115798.6
申请日:2003-11-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01Q13/00
CPC classification number: H01Q9/0457 , H01Q1/243 , H01Q1/38 , H01Q9/0421
Abstract: 一种表面安装型天线,包括:由基本为长方体绝缘体或磁性材料制成;给电端子的基体,给电端子形成在基体的第一侧表面的第一端侧部;形成在基体的第一侧表面的第二端侧部的接地端子;和发射电极,其一端与接地端子连接,发射电极设置的其另一端从第一侧表面的第二端侧部延伸,经过基体的第一主表面的第二端侧部,到达第一主表面的第一端侧部,然后转向第一侧表面,之后再次转向,进一步向第一主表面的第二端侧部延伸并在第一主表面的第一端侧部形成弯曲部,最终形成一开口末端,末端基本上垂直面对第一主表面的第二端侧部的中点。给电端子设置地从第一侧表面的第一端侧部向第一主表面的第一端侧部延伸,且它的开口端设置地只临近发射电极的弯曲部。
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公开(公告)号:CN1236641C
公开(公告)日:2006-01-11
申请号:CN03106089.7
申请日:2003-02-24
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/36 , H01L23/3677 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/05599 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15192 , H01L2924/15313 , H01L2924/1532 , H01L2924/16152 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H05K1/0206 , H05K1/0237 , H05K1/0298 , H05K1/0306 , H05K1/141 , H05K1/183 , H05K1/185 , H05K3/3442 , H05K3/4053 , H05K2201/10083 , H05K2201/10674 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提出一种高频组件,其主要特点是:在电介体基板(2)的底面形成有装载功率放大元件用凹部(2a),在其顶面形成装载弹性表面波元件用凹部(2b),功率放大元件(4)以及弹性表面波元件(8)通过导体凸起(3a、3b)分别装载在凹部(2a、2b)。在凹部(2a)和凹部(2b)之间形成有另一端的端部在电介体基板(2)的底面露出的贯通导体(11),通过焊材(13),把该贯通导体(11)的露出部安装在外部电路基板(7)上面的散热用导体(15)上。
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公开(公告)号:CN1702961B
公开(公告)日:2010-04-28
申请号:CN200510073980.9
申请日:2005-05-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/72
CPC classification number: H03H9/725
Abstract: 本发明的声表面波装置,在压电基板(300)的一个主面上形成发送用滤波元件TX以及接收用滤波元件RX,发送用滤波元件TX以及接收用滤波元件RX倒装安装在电路基板(200)的上面。接收用滤波元件RX的接地电极(322)与形成于电路基板(200)上的3个直线状贯通导体(221′)连接,发送用滤波元件TX的接地电极(312)与形成于电路基板(200)上的3个弯曲状贯通导体(211′)连接。
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公开(公告)号:CN100533970C
公开(公告)日:2009-08-26
申请号:CN200510079165.3
申请日:2005-06-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 在压电基板(1)的一侧主面中形成IDT电极(2)与电极焊盘(3),并形成将它们包围的环状电极(4)。环状电极(4),经形成在电路基板(11)内部的贯通导体(14),与形成在电路基板(11)的下面的散热导体(15)相连接。通过这样,IDT电极(2)所产生的热,很容易经环状电极(4)、贯通导体(14)以及散热导体(15)向外部释放,抑制了热所带来的不良影响,从而能够提高弹性表面波装置的耐功率性。
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公开(公告)号:CN100452533C
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200410061633.X
申请日:2004-06-23
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 一种天线(10),以如下方式构成:在衬底(11)上形成矩形辐射电极(12)、与辐射电极(12)的彼此相邻的长边和短边分别平行相对的地电极(14)、和连接至辐射电极(12)的长边的馈电电极(13),地电极(14)与长边相对的部分,具有不大于长边的长度和等于或小于短边长度(12b)的宽度(14b),地电极(14)与短边相对的部分,具有大于短边的长度和等于或大于长边长度(12a)的宽度(14d)。
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公开(公告)号:CN100418269C
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200510006302.0
申请日:2005-01-26
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01Q13/00
Abstract: 本发明提供一种波形失真和互调失真小、耐功率好、低损耗的频率可变天线。天线构成为在天线元件(11)和接地(13)之间连接电容可变电容器部(Ct)。电容可变电容器(Ct)在天线元件侧端子和接地侧端子之间直流地并联连接且高频地串联连接有使用了通过施加电压而使介电常数变化的薄膜电介质层的多个可变电容元件(C1~C5)。通过最大限度地利用由偏压信号产生的电容可变电容器(Ct)的电容变化率来进行阻抗匹配,使天线元件(11)的电长度变化,从而可以使工作频率变化,而且可以实现波形失真或互调失真小、耐功率好,在高频下也为低损耗的天线。
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公开(公告)号:CN100418268C
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200410060087.8
申请日:2004-06-28
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01Q9/0407 , H01Q1/243 , H01Q1/38 , H01Q9/0442
Abstract: 一种表面安装型天线(1),包括矩形平行六面体形基体(6)、一组辐射电极(2、3、4)和馈电端(5)。辐射电极组(2、3、4)包括:形成在第一对侧面(6a、6b)上的辐射电极(2、4),从而从一个端面(6c)侧延伸到另一端面(6d)侧;以及形成在第二对侧面(6e、6f)的一个侧面(6e)的一个端面(6c)侧和另一端面(6d)侧之一上的辐射电极(3),将此辐射电极(3)与形成在第一对侧面(6a、6b)上的辐射电极(2、4)相连。将馈电端(5)形成在第一对侧面(6a、6b)的另一侧面(6b)的一部分上,部分位于第二对侧面(6e、6f)的另一侧面(6f)附近,将馈电端(5)与辐射电极组(4)相连。
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公开(公告)号:CN1649205A
公开(公告)日:2005-08-03
申请号:CN200510006302.0
申请日:2005-01-26
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01Q13/00
CPC classification number: H01Q9/0442
Abstract: 本发明提供一种波形失真和互调失真小、耐功率好、低损耗的频率可变天线。天线构成为在天线元件(11)和接地(13)之间连接电容可变电容器(Ct)。电容可变电容器(Ct)在天线元件侧端子和接地侧端子之间,对于直流并联连接、对于高频串联连接使用了通过施加电压而使介电常数变化的薄膜电介质层的多个可变电容元件(C1~C5)。通过最大限度地利用由偏压信号产生的电容可变电容器(Ct)的电容变化率来进行阻抗匹配,使天线元件(11)的电长度变化,从而可以使工作频率变化,而且可以实现波形失真或互调失真小、耐功率好,在高频下也为低损耗的天线。
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公开(公告)号:CN1574460A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410061633.X
申请日:2004-06-23
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 一种天线(10),以如下方式构成:在衬底(11)上形成矩形辐射电极(12)、与辐射电极(12)的彼此相邻的长边和短边分别平行相对的地电极(14)、和连接至辐射电极(12)的长边的馈电电极(13)。地电极(14)与长边相对的部分,具有不大于长边的长度和等于或小于短边长度(12b)的宽度(14b),地电极(14)与短边相对的部分,具有大于短边的长度和等于或大于长边长度(12a)的宽度(14d)。
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公开(公告)号:CN103119847A
公开(公告)日:2013-05-22
申请号:CN201180046302.7
申请日:2011-12-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/25 , H03H9/14541 , H03H9/6406
Abstract: SAW元件(1)具有:基板(3);IDT电极(5),其由Al或以Al为主要成分的合金构成,且配置在基板(3)的上表面(3a)上;第一膜(9),其配置在IDT电极(5)的上表面上;保护层(11),其以氧化硅为主要成分,覆盖配置有第一膜(9)的IDT电极(5)及基板(3)中从IDT电极(5)露出的部分,且距离基板(3)的上表面(3a)的厚度(t)比IDT电极(5)及第一膜(9)的合计的厚度(e)大。第一膜(9)以声阻抗比IDT电极(5)的材料(Al或以Al为主要成分的合金)及氧化硅大且弹性波的传播速度比IDT电极(5)的材料及氧化硅慢的材料为主要成分。
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