-
公开(公告)号：CN100533968C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510079172.3
申请日：2005-06-28
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 在压电基板(2)的与IDT电极形成面相反的另一面中，为了防止弹性表面波元件(1)的制作工序中所产生的热电破坏，而设置导体层(10)。此时，导体层(10)被形成在除了与滤波器区域(9)的输入电极部(5)相面对的区域(5a)及/或输出电极部(6)相面对的区域(6a)之外的区域中。通过这样，能够减小滤波器区域(9)的输入电极部(5)与输出电极部(6)之间所形成的寄生电容所引起的输入电极部(5)与输出电极部(6)之间的耦合量，从而能够改善弹性表面波装置的通过带域外衰减特性。
-
公开(公告)号：CN100547919C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200610067976.6
申请日：2006-03-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/145
Abstract: 一种弹性表面波共振子，在其压电基板(19)上，具备有：IDT电极(1)；反射器电极(2)，其与该IDT电极(1)的弹性表面波的主传导方向(F)的两端邻接配置；以及辅助反射器电极(3)，其位于将所述IDT电极(1)的汇流电极(12a)假设延长后的直线上，且在所述反射器电极(2)的外侧的四处的位置上，使反复电极(14b)的反复方向(G)朝向所述IDT电极(1)，被倾斜配置。
-
公开(公告)号：CN1741379A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510097705.0
申请日：2005-08-26
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种倒装构造的声表面波元件，特别是一种改善了通频带外衰减量的声表面波元件、声表面波装置以及使用该声表面波装置的通信装置。该装置在压电基板(2)的滤波器区域中，分别形成有IDT电极(3)，以及与该IDT电极(3)相连接的输入电极部(5)与输出电极部(6)；在上述压电基板(2)的相反的另一方主面中形成有半导体层(22)。通过该半导体层(22)，能够防止元件制造工序的热电破坏，并且还能够防止通频带外衰减量特性的恶化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100533970C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510079165.3
申请日：2005-06-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 在压电基板(1)的一侧主面中形成IDT电极(2)与电极焊盘(3)，并形成将它们包围的环状电极(4)。环状电极(4)，经形成在电路基板(11)内部的贯通导体(14)，与形成在电路基板(11)的下面的散热导体(15)相连接。通过这样，IDT电极(2)所产生的热，很容易经环状电极(4)、贯通导体(14)以及散热导体(15)向外部释放，抑制了热所带来的不良影响，从而能够提高弹性表面波装置的耐功率性。
-
公开(公告)号：CN1841927A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610067976.6
申请日：2006-03-27
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/145
Abstract: 一种弹性表面波共振子，在其压电基板(19)上，具备有：IDT电极(1)；反射器电极(2)，其与该IDT电极(1)的弹性表面波的主传导方向(F)的两端邻接配置；以及辅助反射器电极(3)，其位于将所述IDT电极(1)的汇流电极(12a)假设延长后的直线上，且在所述反射器电极(2)的外侧的四处的位置上，使反复电极(14b)的反复方向(G)朝向所述IDT电极(1)，被倾斜配置。
-
公开(公告)号：CN100571032C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200510097705.0
申请日：2005-08-26
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种倒装构造的声表面波元件，特别是一种改善了通频带外衰减量的声表面波元件、声表面波装置以及使用该声表面波装置的通信装置。该装置在压电基板(2)的滤波器区域中，分别形成有IDT电极(3)，以及与该IDT电极(3)相连接的输入电极部(5)与输出电极部(6)；在上述压电基板(2)的相反的另一方主面中形成有半导体层(22)。通过该半导体层(22)，能够防止元件制造工序的热电破坏，并且还能够防止通频带外衰减量特性的恶化。
-
公开(公告)号：CN1716769A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510079165.3
申请日：2005-06-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 在压电基板(1)的一侧主面中形成IDT电极(2)与电极焊盘(3)，并形成将它们包围的环状电极(4)。环状电极(4)，经形成在电路基板(11)内部的贯通导体(14)，与形成在电路基板(11)的下面的散热导体(15)相连接。通过这样，IDT电极(2)所产生的热，很容易经环状电极(4)、贯通导体(14)以及散热导体(15)向外部释放，抑制了热所带来的不良影响，从而能够提高弹性表面波装置的耐功率性。
-
公开(公告)号：CN1716766A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510079172.3
申请日：2005-06-28
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 在压电基板(2)的与IDT电极形成面相反的另一面中，为了防止弹性表面波元件(1)的制作工序中所产生的热电破坏，而设置导体层(10)。此时，导体层(10)被形成在除了与滤波器区域(9)的输入电极部(5)相面对的区域(5a)及/或输出电极部(6)相面对的区域(6a)之外的区域中。通过这样，能够减小滤波器区域(9)的输入电极部(5)与输出电极部(6)之间所形成的寄生电容所引起的输入电极部(5)与输出电极部(6)之间的耦合量，从而能够改善弹性表面波装置的通过带域外衰减特性。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.016 seconds)
