公开(公告)号：CN110771039B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201880041666.8

申请日：2018-07-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干 ,  岸野哲也

IPC: H03H9/25

Abstract: 弹性波装置具有：基板(3)、位于所述基板(3)上的多层膜(5)、位于所述多层膜(5)上且由LiTaO3构成的单晶的LT层(7)、以及位于所述LT层(7)上的IDT电极(19)。所述多层膜(5)中，从将具有比所述LT层(7)的横波声速高的声速的膜的密度与厚度相乘的值的合计值，减去将具有比所述LT层(7)的横波声速慢的声速的膜的密度与厚度相乘的值的合计值而得到的差值D为负，在将所述IDT电极(19)的电极指的间距设为p时，所述LT层(7)的厚度小于2p。

公开(公告)号：CN115769492A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180044278.7

申请日：2021-06-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干

IPC: H03H9/25

Abstract: 弹性波装置具有：复合基板和位于复合基板的上表面的激励电极。复合基板具有支撑基板、多层膜和压电膜。多层膜具有在支撑基板的上表面层叠的多层声学膜，在层叠方向上相互相邻的声学膜彼此的材料相互不同。压电膜在多层膜的上表面层叠。激励电极位于压电膜的上表面。复合基板侧面具有二级以上的阶梯状的阶梯部，该阶梯部从侧面的外侧向侧面的内侧前进并且从支撑基板侧向压电膜侧上升。

公开(公告)号：CN109792239A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780061878.8

申请日：2017-10-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/145 ,  H03H9/72

Abstract: SAW滤波器具有压电基板、串联臂和并联谐振部。串联臂包含位于压电基板上的一个以上的串联谐振部。并联谐振部位于压电基板上，和串联臂构成梯子型滤波器。并联谐振部具有并联谐振器和电容元件。并联谐振器包含位于压电基板上的IDT电极以及位于其两侧的一对反射器。电容元件与并联谐振器并联连接。电容元件的电容是并联谐振器的IDT电极的电容的0.8倍以上。并联谐振部的反谐振频率与谐振频率之差小于并联谐振器的反谐振频率与谐振频率之差。

公开(公告)号：CN100452650C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200410063423.4

申请日：2004-07-01

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 大塚一弘 ,  伊藤干 ,  饭冈淳弘 ,  仲井刚

IPC: H03H9/64

CPC classification number: H03H9/6469 ,  H03H9/0038 ,  H03H9/0042 ,  H03H9/0057 ,  H03H9/0061 ,  H03H9/02763 ,  H03H9/14582 ,  H03H9/14588 ,  H03H9/25 ,  H03H9/6436

Abstract: 在压电基板(1)上，沿着弹性表面波输送方向，配置IDT电极(2、3、4)，在IDT电极之间配置反射器(5、6)，所述反射器具有沿与所述输送方向正交的方向延伸的4根以上的电极指。所述反射器k的电极指间距a，从该反射器的两端向中央部分逐渐变短。通过改变所述电极指间距，可以控制带通的频率，可以实现具有宽频带传送特性的弹性表面波装置。

公开(公告)号：CN101297482A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200680039663.8

申请日：2006-10-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干

IPC: H03H9/72

CPC classification number: H03H9/0576 ,  H03H9/725

Abstract: 本发明提供了一种使用梯子形滤波器的双工器，该双工器具有较小的尺寸和较好的隔离特性，并提供了一种使用这种双工器的通信设备。布置第一滤波器元件(F1)中包含的串联谐振器(R1)和第二滤波器元件(F2)中包含的并联谐振器(R4)，从而允许弹性波传播路径彼此重叠。通过以这种方式进行布置，可以防止从串联谐振器(R1)泄漏的、并且对隔离特性最具影响的弹性波由并联谐振器(R4)接收。因此，可以获得具有较好隔离个性的小型化双工器。

公开(公告)号：CN1825759A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610059261.6

申请日：2006-02-20

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/725

Abstract: 本发明的SAW元件(D1)，在压电基板主表面上具备发送用阶梯型SAW元件(T1)和接收用阶梯型SAW元件(R2)。使在发送用阶梯型SAW元件(T1)的SAW谐振器(S1)中的电极指宽度LT对电极指节距PT的比率(LT/PT)，小于在接收用阶梯型SAW元件(R2)的SAW谐振器(S2)中的电极指宽度LR对SAW谐振器(S2)的电极指节距PR的比率(LR/PR)。其结果，能够提供一种具有频带内低损耗、频带外陡峭的衰减特性的、小型化的SAW元件(D1)。

公开(公告)号：CN1741379A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510097705.0

申请日：2005-08-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 横田裕子 ,  伊藤干 ,  长峰成彦 ,  船见雅之 ,  饭冈淳弘

IPC: H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种倒装构造的声表面波元件，特别是一种改善了通频带外衰减量的声表面波元件、声表面波装置以及使用该声表面波装置的通信装置。该装置在压电基板(2)的滤波器区域中，分别形成有IDT电极(3)，以及与该IDT电极(3)相连接的输入电极部(5)与输出电极部(6)；在上述压电基板(2)的相反的另一方主面中形成有半导体层(22)。通过该半导体层(22)，能够防止元件制造工序的热电破坏，并且还能够防止通频带外衰减量特性的恶化。

公开(公告)号：CN117917005A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280058977.1

申请日：2022-08-31

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

Abstract: 弹性波元件具有由压电晶体构成的压电层、和位于压电层的上表面并具备多个电极指的I DT电极。若将多个电极指的重复间隔定义为p，将所述压电层的厚度定义为D1，则压电层的标准化厚度D1/p与所述I DT电极的占空比d是由0.166≤d×D1/p≤0.241(1)表示的关系。

公开(公告)号：CN110710106B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201880036574.0

申请日：2018-07-02

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 岸野哲也 ,  野添惣一朗 ,  伊藤干

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145 ,  H03H9/72

Abstract: 弹性波装置具有基板、位于基板上的多层膜、位于多层膜上的由LiTaO3的单晶体构成的LT层以及位于LT层上的IDT电极。在将IDT电极的电极指的间距p的2倍设为λ时，LT层的厚度为0.3λ以下。LT层的欧拉角为(0°±20°，‑5°以上且65°以下，0°±10°)、(‑120°±20°，‑5°以上且65°以下，0°±10°)或者(120°±20°，‑5°以上且65°以下，0°±10°)。将第一层与第二层交替地层叠来构成多层膜(5)。第一层由SiO2构成。所述第二层由Ta2O5、HfO2、ZrO2、TiO2及MgO的任一者构成。

公开(公告)号：CN113056873A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201980071543.3

申请日：2019-10-03

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64

Abstract: 弹性波装置1具有：基板3，位于基板3上的多层膜5，位于多层膜5上的压电层7，包含位于压电层7上的IDT电极19的谐振器15，和位于谐振器15上的保护膜37。谐振器15包括第1谐振器15L，和与第1谐振器15L相比谐振频率高的第2谐振器15H。保护膜37在第1谐振器15L上的厚度比在第2谐振器15H上的厚度要厚。