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公开(公告)号：CN114525579A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202111622837.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供一种单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，退火处理；利用溅射外延方法于衬底上沉积获得单晶薄膜。溅射外延方法的参数为：以纯金属靶或者单晶Al2O3作为靶材，生长温度为950～1050℃，射频功率为80～120W、气氛为纯氮气气氛、气压为0.001～0.05Torr。采用溅射外延方法沉积获得高质量的单晶薄膜，解决现有技术中超导约瑟夫森结难以获得高质量的单晶多层膜的问题。
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公开(公告)号：CN112695380B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011297238.7
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开一种新型透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：利用固相反应法制备Ba1‑xLaxSnO3得到BLSO磁控溅射靶材；利用SrTiO3、MgO、LaAlO3、(La,Sr)(Al,Ta)O3（LSAT）、MgAl2O4、Al2O3单晶基片和BLSO磁控溅射靶材，以氩气作为溅射气体，直接沉积制备BLSO薄膜即可制备得到新型透明导电氧化物薄膜；其中，所述溅射方法中，所述基片的温度为750℃‑950℃，所述Ar气的气压为25‑77 Pa；根据本发明制备的透明导电氧化物薄膜室温迁移率可达115 cm2/V∙s，室温载流子浓度可达1.2×1021 cm‑3，室温电导率可达14000 S/cm。
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公开(公告)号：CN114525579B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202111622837.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供一种单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，退火处理；利用溅射外延方法于衬底上沉积获得单晶薄膜。溅射外延方法的参数为：以纯金属靶或者单晶Al2O3作为靶材，生长温度为950～1050℃，射频功率为80～120W、气氛为纯氮气气氛、气压为0.001～0.05Torr。采用溅射外延方法沉积获得高质量的单晶薄膜，解决现有技术中超导约瑟夫森结难以获得高质量的单晶多层膜的问题。
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公开(公告)号：CN112479710B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202011275834.5
申请日：2020-11-16
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及陶瓷靶材领域，特别是涉及一种镍基靶材及其制备方法和应用。通过球磨‑预烧‑二次球磨‑造粒‑制坯‑排胶‑程序式升温烧结‑程序式降温的生产工艺，制备得到了成分纯净，元素和密度分布均匀，且具有良好的机械强度、硬度和致密度的Nd1‑xAxNiO3陶瓷靶材，将其进行磁控溅射生长可得到Nd1‑xAxNiO3薄膜，该薄膜具有良好的结晶度和高质量的单晶外延性质；此外，本发明还提供了一种Nd1‑xAxNiO2薄膜，其具有优良的超导特性和电输运性质。
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公开(公告)号：CN112500155B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011236290.1
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/468 , C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开一种镧掺杂钛酸钡靶材的制备方法，包括以下步骤：1）将BaCO3和TiO2、La2O3和TiO2分别混合球磨得到两种浆料，然后将两种浆料干燥后的得到的粉料分别煅烧，制得BaTiO3、La2Ti2O7粉料；2）按一定比例将BaTiO3、La2Ti2O7粉料混合进行二次球磨后，干燥得到混合粉料；3）将干燥后的混合粉料采用聚乙烯醇溶液造粒、过筛，得到粒径均匀的粉料；4）将造粒后的粉料放入靶材模具，压制、脱模制成生坯；5）将生坯进行排胶、烧结后使用研磨抛光机将烧结成的靶材外表面抛光，清洗后干燥，得到BLTO靶材。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113832539A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010512090.8
申请日：2020-06-08
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及柔性单晶超导薄膜的制备方法，包括提供单晶的氟晶云母；将所述单晶的氟晶云母作为基片，过渡金属作为靶材，氮气作为反应气体，真空条件下，采用反应溅射方法于所述基片上外延生长过渡金属氮化物薄膜，得到超导薄膜，其中，所述反应溅射方法中，所述基片的温度为700℃‑900℃，所述氮气的流量为2sccm‑10sccm，所述过渡金属氮化物薄膜为单晶薄膜；对带有所述过渡金属氮化物薄膜的所述基片进行减薄，使所述基片的厚度小于等于50μm，得到柔性单晶超导薄膜。本发明实现了柔性和单晶性兼备的超导薄膜的制备。本发明还涉及一种柔性单晶超导薄膜和使用该柔性单晶超导薄膜的超导器件。
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公开(公告)号：CN119899999A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411856843.1
申请日：2024-12-17
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光加热体及其制备方法和应用，激光加热体包括基底和设置在所述基底背面的薄膜，所述基底的材料为SiC，所述薄膜的材料为MN，M选自Ti,Nb,V,Zr,Hf,Ta,Mo,W中的一种。本发明在SiC基底上设置MN薄膜，能够有效提升激光加热体的能量吸收效率，使得在相同激光输入条件下，显著提升温度，进而实现节能效果。
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公开(公告)号：CN118973371A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411445981.0
申请日：2024-10-16
Applicant: 宁波大学 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种非原位生长拓扑超导异质结的方法，本发明利用分子束外延室内中的氩离子对因跨设备转移而暴露过空气的单晶TiN薄膜进行氩离子刻蚀，氩离子经过阳极电场的加速，与单晶TiN薄膜表面发生碰撞，从而将单晶TiN薄膜表面的杂质原子和灰尘去除，解决了跨设备原位生长需要增加高成本和导致薄膜表面污染的问题，同时，相对于高温退火技术，本发明的刻蚀方法能够大大降低生长时间，还能避免污染超真空视窗，以及避免影响设备使用寿命，然后在接近的单晶TiN薄膜表面在超真空下，在单晶TiN薄膜上外延生长出单晶Bi2Se3薄膜，获得TiN/Bi2Se3拓扑超导异质结。
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公开(公告)号：CN117448966A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311246971.X
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝单晶薄膜及其制备方法和应用。其中，氮化铝单晶薄膜的制备方法，包括：提供单晶衬底，单晶衬底的材料选自晶面取向为(0001)的蓝宝石、晶面取向为(111)的氧化镁、晶面取向为(111)的钛酸锶、晶面取向为(111)的单晶硅、晶面取向为(0001)的氮化铝、晶面取向为(0001)的氮化镓或晶面取向为(0001)的碳化硅中的至少一种；采用反应磁控溅射工艺在所述单晶衬底表面外延生长氮化钛单晶缓冲层，其中，氮化钛单晶缓冲层的外延取向为 ；采用反应磁控溅射工艺在所述氮化钛单晶缓冲层表面外延生长氮化铝单晶薄膜，其中，氮化铝单晶薄膜的外延取向为 。该制备方法能够使用反应磁控溅射工艺在更多衬底上生长氮化铝单晶薄膜，同时提高结晶质量和表面平整度。
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