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公开(公告)号：CN104765164A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510169681.9
申请日：2015-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/009
Abstract: 本发明公开了一种带宽可调的带通型光学滤波器，包括：一个主环形谐振器(11)；两个副环形谐振器分别位于主环形谐振器(11)两侧，作为输入环形谐振器(12)和输出环行谐振器(13)；两个加热器(14)，分别位于输入环形谐振器(12)和输出环形谐振器(13)上；两个弯曲波导分别位于输入环形谐振器(12)和输出环形谐振器(13)外侧，作为输入波导(15)和输出波导(16)。利用本发明，通过加热器改变输入、输出环形谐振器的谐振波长，可以实现滤波器输入、输出端耦合系数的改变，进而实现带宽可调的功能。
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公开(公告)号：CN118494031A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410824303.9
申请日：2024-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种胶体量子点高通量喷墨打印装置、打印方法及用途，该喷墨打印装置包括：供液单元，包括气压泵（1）和多个储液瓶（2），多个储液瓶（2）中盛装的胶体量子点墨水不同，气压泵（1）用于控制胶体量子点墨水通过进液管（3）进入喷墨打印头；高通量喷墨打印头，包含多个独立的微流通道（4）和喷嘴（5），每个微流通道（4）与相应的进液管（3）联通，微流通道（4）从进口端到出口端的截面积逐渐减小；喷嘴（5）为中空针型尖端，尖端朝向待打印的基板，不同的胶体量子点墨水通过喷嘴（5）滴落至基板的不同位置。本公开的打印装置可以同时打印多种不同的胶体量子点墨水，提高了打印效率，且墨水材料均一性、稳定性较好。
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公开(公告)号：CN117894811A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410051949.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/146 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于卤化物钙钛矿纳米晶的射线图像传感器及其制备方法，涉及射线探测器技术领域。该基于卤化物钙钛矿纳米晶的射线图像传感器包括：衬底；阳极氧化铝模板，设于衬底上，阳极氧化铝模板上分布有纳米孔洞，纳米孔洞内填充有钙钛矿纳米晶材料，其中，钙钛矿纳米晶材料的带隙朝着远离衬底的方向逐渐减小。该基于卤化物钙钛矿纳米晶的射线图像传感器，引入了带隙梯度变化的无机钙钛矿纳米晶构成的纳米线结构，纳米线带隙由底层到顶层逐渐降低，确保上层产生的光不被下层的钙钛矿纳米晶吸收，从而解决了自吸收问题。
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公开(公告)号：CN117238345A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311199361.9
申请日：2023-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供一种用于忆阻器阵列的训练装置及方法，涉及存储技术领域。该装置包括：忆阻器阵列，包括多行多列忆阻器单元，每个忆阻器单元包括晶体管和忆阻器；脉冲发生器，产生幅度以及脉宽可变的脉冲信号；选通模块，在忆阻器阵列中选通目标忆阻器单元，并向目标忆阻器单元输入脉冲信号；检测模块，包括采样电阻，采样电阻的第一端与忆阻器阵列串联，第二端接地，检测模块被配置为：基于采样电阻两端的电压以及脉冲信号检测目标忆阻器单元的忆阻器电阻，若忆阻器电阻未达到预设电阻值，则控制选通模块向目标忆阻器单元输入不同幅度和脉宽的脉冲信号以调节目标忆阻器单元中的忆阻器电阻，直至忆阻器电阻达到预设电阻值。
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公开(公告)号：CN115165782A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210640679.5
申请日：2022-06-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种高灵敏红外光谱传感器及其制作方法，其中，所述高灵敏红外光谱传感器包括：集成的阵列排布的多个红外光传感器单元和阵列排布的多个红外滤光膜单片；其中，每个所述红外光传感器单元的表面覆盖有一个所述红外滤光膜单片，所述多个红外滤光膜单片的红外透射谱不同。本发明的高灵敏红外光谱传感器无分光系统，可以实现微型化、低成本、便携式的红外光谱仪。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114899268A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210619483.8
申请日：2022-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18 , G01S7/48
Abstract: 本公开提供一种硅光电倍增管，可用于光电探测技术领域，硅光电倍增管包括：衬底，由P型低阻硅构成；外延层，形成于衬底的表面，外延层由p型高阻硅构成；多个N++掺杂区和多个P++掺杂区，规则分布在外延层中，每个N++掺杂区和外延层组成一个PN结，沿垂直于衬底的方向，N++掺杂区和P++掺杂区呈柱状结构；正电极，形成于每个P++掺杂区中；负电极，形成于每个N++掺杂区中；减反射层，形成于外延层表面，其中，正电极与负电极对应的区域未形成减反射层；淬灭电阻，形成于减反射层表面且与负电极连接。该光电倍增管能够增加了耗尽区的体积，从而在不提高工作电压的条件下提高光子的探测效率。解决了传统硅光电倍增管效率和电压不能兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN114335235A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111680317.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种智能光探测器及其使用方法和制备方法，智能光探测器包括：衬底；栅极，形成于衬底的上表面；接触电极，形成于衬底的上表面，且位于栅极的一侧；第一介质层，形成于栅极的上表面；悬浮栅层，形成于第一介质层的上表面；第二介质层，形成于悬浮栅层的上表面；有源导电层，形成于第二介质层的上表面；源极，形成于第二介质层的上表面，且位于有源导电层的一侧；漏极，形成于第二介质层的上表面，且位于有源导电层的一侧；半导体光敏层，形成于有源导电层的上表面；第三介质层，形成于半导体光敏层的上表面。本公开通过调节施加在栅极上的电压来调整悬浮栅层中的电子或空穴的浓度，使光探测器的光响应度随之发生改变。
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公开(公告)号：CN111142186B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201911424036.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种波导结构的神经突触，包括：脊形波导层(1)、狭缝结构(2)、相变材料(3)以及平板波导层(4)；狭缝结构(2)设置于脊形波导层(1)之间，且与脊形波导层(1)接触，狭缝结构(2)与脊形波导层(1)之间形成凹槽结构(5)；相变材料(3)填充凹槽结构(5)，相变材料(3)还设置于脊形波导层(1)以及填充后的凹槽结构(5)的表面；脊形波导层(1)以及狭缝结构(2)设置于平板波导层(4)的上方，脊形波导层(1)、狭缝结构(2)以及平板波导层(4)形成的结构能够实现波导的单模传输。本发明提供的波导结构的神经突触至少用于解决神经突触中权重动态范围低以及动态功耗高的问题。
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公开(公告)号：CN110068894B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810062158.X
申请日：2018-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种三维光电集成光栅耦合器及其制备方法，所述三维光电集成光栅耦合器包括自下而上沉积在CMOS集成电路上的隔离层、第一光电器件层、监测层、缓冲层、第二光电器件层和保护层，多个通孔穿过上述各层，所述通孔中填充有金属并与CMOS集成电路的电极接触，所述通孔上方设置有互连电极；其中，第一光电器件层用于制备与CMOS集成电路相互作用的下层光栅耦合器；第二光电器件层用于制备与所述第一光电器件层进行光互连的上层光栅耦合器。本发明可实现光栅耦合器与CMOS集成电路单片集成，并实现三维光互连，降低层间光互连的传输损耗，最大化层间耦合效率。本发明与CMOS工艺兼容，易于制备，可用于三维光电集成，实现高密度光电子器件与微电子电路集成。
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公开(公告)号：CN109461817A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811104242.X
申请日：2018-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，包括步骤：制备卤化物钙钛矿薄膜；在卤化物钙钛矿薄膜表面制作一层派瑞林薄膜；在派瑞林薄膜表面制作一层光刻胶薄膜；利用光刻工艺将光刻胶薄膜制作成带微纳结构的掩膜；刻蚀派瑞林薄膜，将掩膜上的微纳结构图形转移到派瑞林薄膜上；将金属薄膜沉积到卤化物钙钛矿薄膜和光刻胶薄膜表面；将光刻胶及其表面的金属薄膜剥离得到金属微纳结构。本发明能够避免卤化物钙钛矿与水的接触，在卤化物钙钛矿表面利用半导体工艺制作金属微纳结构，应用于卤化物钙钛矿光电器件芯片的制备中，可以提高卤化物钙钛矿光电器件芯片的性能。
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