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公开(公告)号：CN113257941A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110524757.0
申请日：2021-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种ZrGeTe4光伏型偏振探测器及其制备方法，ZrGeTe4光伏型偏振探测器包括：衬底(10)；二维ZrGeTe4半导体(11)，其形成于所述衬底(10)上，其中，所述二维ZrGeTe4半导体(11)具备面内各向异性；金属电极(12)，形成于所述二维ZrGeTe4半导体(11)上。该ZrGeTe4光伏型偏振探测器解决二维半导体偏振探测器使用时暗电流过大的技术问题，实现了在不牺牲二向色性比的条件下实现不加偏压的偏振探测器件，对于资源节约，提高集成度，实现器件柔性化、小型化具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117070216B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202311020829.3
申请日：2023-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明的实施例涉及了一种超晶格量子点及其制备方法，属于量子点和低维异质结构技术领域。该超晶格量子点包括：具有范德华表面的衬底、量子点核壳层和超晶格外延层。量子点核壳层外延于衬底的范德华表面上，量子点核壳层与衬底的范德华表面通过范德华力结合，量子点核壳层由第一金属和砷组成，第一金属选自III‑V族金属。超晶格外延层外延于量子点核壳层上，超晶格外延层形成叠层结构或超晶格外延层与量子点核壳层形成叠层结构。本发明利用了超晶格量子点与衬底的范德华表面通过范德华力的相互作用，使得超晶格量子点能够形成核壳结构，并且通过超晶格外延层的叠层结构，控制该超晶格量子点的形貌和尺寸。
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公开(公告)号：CN113257941B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202110524757.0
申请日：2021-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种ZrGeTe4光伏型偏振探测器及其制备方法，ZrGeTe4光伏型偏振探测器包括：衬底(10)；二维ZrGeTe4半导体(11)，其形成于所述衬底(10)上，其中，所述二维ZrGeTe4半导体(11)具备面内各向异性；金属电极(12)，形成于所述二维ZrGeTe4半导体(11)上。该ZrGeTe4光伏型偏振探测器解决二维半导体偏振探测器使用时暗电流过大的技术问题，实现了在不牺牲二向色性比的条件下实现不加偏压的偏振探测器件，对于资源节约，提高集成度，实现器件柔性化、小型化具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117666698A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311659915.9
申请日：2023-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G06E1/02
Abstract: 本发明公开了一种光电计算反相器，包括：衬底；第一感光单元和第二感光单元，形成在衬底上；其中，响应于输入的偏振光信号，第一感光单元和第二感光单元择一导通，输出与偏振光信号对应的反相电压信号，反相电压信号被定义成具有与偏振光信号相反的序列。本发明提供的光电计算反相器，实现感算一体，即同时实现对偏振光的探测和探测信息处理，有利于降低功耗、减少延迟时间。
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公开(公告)号：CN116865856A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310978468.7
申请日：2023-08-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/116 , H04B10/61
Abstract: 本公开提出了一种多模式日盲紫外偏振通信方法，应用于接收端，通信方法包括：接收来自发送端的紫外光信息波，其中，紫外光信息波为包含至少两个偏振角已在发送端被调制的偏振光，设定每个偏振角对应于一个数字信号；响应于紫外光信息波，接收端产生光电流；根据光电流的脉冲大小和偏振角的对应关系，进行第一次解码，得到第一数字信号组；对第一数字信号组进行第二次解码，得到多个第二数字信号组。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114836827A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210477996.X
申请日：2022-04-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种量子点制备方法，包括：采用二维材料制备二维材料衬底；将二维材料衬底置于生长腔中，升高生长腔的温度使二维材料衬底处于第一预设温度；通过分子束外延束源炉将原材料以预设密度的束流喷射至二维材料衬底的表面，使反应物以范德华外延模式在二维材料衬底的表面依次经过吸附、脱附、迁移、成核、长大的动力学反应过程以生长量子点。该方法以二维材料为衬底生长量子点，不需要特定晶格匹配条件，甚至在晶格对称性不一样的情况下，也能够实现量子点的生长。
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公开(公告)号：CN114744059A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210371155.0
申请日：2022-04-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L27/144 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器，包括：衬底(10)，为β相氧化镓，其(001)晶面上形成多个探测单元，探测单元成阵列布置；其中，每个探测单元包括：第一隔离层(11)，形成于衬底(10)中，其上表面与衬底(10)的表面持平；欧姆接触电极(13)、肖特基接触电极(14)，至少部分位于衬底(10)的表面上、至少部分位于第一隔离层(11)的表面上，且欧姆接触电极(13)与肖特基接触电极(14)之间形成光吸收区域。本公开还提供一种基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器的制备方法。本公开的日盲偏振探测器可实现大面积探测，光电探测性能更优。
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公开(公告)号：CN117936617A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410073904.0
申请日：2024-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种基于二维半导体异质结的日盲紫外探测器及其制备方法，该日盲紫外探测器包括：二维半导体异质结，由两种低维半导体材料堆叠而成；两个电极，设于二维半导体异质结两端，分别接触两种低维半导体材料；其中，两种低维半导体材料的能带结构交错排布，且两种低维半导体材料中的至少一种低维半导体材料进行掺杂调控，使二维半导体异质结获得日盲紫外响应的载流子跃迁通道。该日盲紫外探测器选择合适的低维半导体材料来构筑异质结，通过对低维半导体材料进行掺杂调控最终实现日盲紫外探测，无需对器件的结构进行复杂的设计，避免了复杂的工艺流程，适用于大批量构筑高质量的日盲紫外光电探测器，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115296736B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210874130.2
申请日：2022-07-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/11 , H04B10/516 , H04B10/60 , G01J1/42 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种日盲紫外通讯探测器，包括：硅片衬底；多组宽禁带半导体纳米带，设于硅片衬底上，每组数量为2，相互串联且呈90°；各组宽禁带半导体纳米带的设置角度以预设步进增加，设置角度范围为0°～180°；多组金属电极，设于硅片衬底上，每组金属电极包括正电压电极、中位电压电极和接地电极，正电压电极与一组宽禁带半导体纳米带中的其中一个的非串联端连接，用于提供正电压，接地电极与该组宽禁带半导体纳米带中的另一个的非串联端连接，中位电压电极与该组宽禁带半导体纳米带的串联端连接，用于输出该组宽禁带半导体纳米带响应日盲紫外光信号产生的电压信号。本公开还提供了一种日盲紫外通讯探测器制备方法及通讯方法。
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公开(公告)号：CN114744059B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210371155.0
申请日：2022-04-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L27/144 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器，包括：衬底(10)，为β相氧化镓，其(001)晶面上形成多个探测单元，探测单元成阵列布置；其中，每个探测单元包括：第一隔离层(11)，形成于衬底(10)中，其上表面与衬底(10)的表面持平；欧姆接触电极(13)、肖特基接触电极(14)，至少部分位于衬底(10)的表面上、至少部分位于第一隔离层(11)的表面上，且欧姆接触电极(13)与肖特基接触电极(14)之间形成光吸收区域。本公开还提供一种基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器的制备方法。本公开的日盲偏振探测器可实现大面积探测，光电探测性能更优。
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