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公开(公告)号：CN103928583A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410177651.8
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0242 , H01L21/02016 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02694 , H01L21/7806
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓单晶自支撑衬底的制备方法，所述的方法包括应力释放的GaN籽晶模板制备和背部刻蚀剥离蓝宝石的方法。所述的应力释放的GaN籽晶模板是在蓝宝石上生长GaN籽晶，通过控制GaN籽晶的厚度和降温的条件，实现控制失配应力以裂纹的形式在蓝宝石上释放，同时保持GaN籽晶层表面无裂纹，可使整个GaN/蓝宝石外延层应力势能降低，进而降低厚膜GaN外延层的位错密度，避免厚膜GaN开裂；背部刻蚀剥离蓝宝石方法是在厚膜GaN生长结束后使用刻蚀剂透过蓝宝石背后的裂纹实现对厚膜GaN背面(N极性面)的刻蚀，通过背部刻蚀可降低GaN/蓝宝石界面的结合强度，使得蓝宝石更容易剥离，有效避免剥离造成的厚膜GaN开裂，有利于产业化。
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公开(公告)号：CN103900870A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410075073.7
申请日：2014-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种辨别石墨烯连续膜完整性的方法，包括：在金属催化衬底和石墨烯膜的结合体上涂一层有机胶体，然后放入腐蚀液中，得到有机胶体层和石墨烯膜的结合体；将上述有机胶体层和石墨烯膜的结合体放入去离子水中漂洗然后静置，观察，无褶皱则为完整的石墨烯膜。本发明重复性高、简单易行，可以准确表征规模化生产的石墨烯连续膜的完整性；本发明能够从宏观上准确判断大面积石墨烯膜的完整性而不需要借助光学显微镜、扫描电子显微镜等表征手段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103900870B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410075073.7
申请日：2014-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种辨别石墨烯连续膜完整性的方法，包括：在金属催化衬底和石墨烯膜的结合体上涂一层有机胶体，然后放入腐蚀液中，得到有机胶体层和石墨烯膜的结合体；将上述有机胶体层和石墨烯膜的结合体放入去离子水中漂洗然后静置，观察，无褶皱则为完整的石墨烯膜。本发明重复性高、简单易行，可以准确表征规模化生产的石墨烯连续膜的完整性；本发明能够从宏观上准确判断大面积石墨烯膜的完整性而不需要借助光学显微镜、扫描电子显微镜等表征手段。
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公开(公告)号：CN104807810A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410032320.5
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/75
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法，至少包括以下步骤：1）提供一长有化学气相沉积（CVD）石墨烯的铜衬底，所述石墨烯中具有皱褶区域；2）将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化，皱褶区域下方的铜衬底会被优先氧化形成氧化条纹；3）依据所述铜衬底表面氧化条纹的分布情况判断所述铜衬底的表面晶向。本发明的判定方法重复性高、简单易行，成本较低，可以方便了解用于化学气相沉积法生长石墨烯的多晶铜衬底的表面晶向分布状况。
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公开(公告)号：CN103848416A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210501642.0
申请日：2012-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种修饰石墨烯薄膜的方法，先利用在石墨烯薄膜的晶畴边界和缺陷处暴露的金属衬底对金属离子溶液中的金属离子进行还原，生成金属纳米粒子，对石墨烯薄膜实现选择性掺杂修饰；再通过腐蚀和转移工艺对掺杂修饰好的石墨烯薄膜实现转移。本发明利用石墨烯薄膜生长的金属衬底材料作为还原剂对溶液中的金属离子进行还原，而不需要引入新的还原剂，在实现了选择性掺杂修饰石墨烯薄膜的同时，避免了金属纳米粒子在完整石墨烯薄膜表面的沉积。本发明重复性高、简单易行，可以大批量修饰石墨烯薄膜；本发明能够准确标定石墨烯连续膜中单晶畴的形状和尺寸，并能通过改变金属离子溶液浓度及其与金属衬底的接触时间定性提高石墨烯薄膜的电学性能。
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公开(公告)号：CN1314700C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410084445.9
申请日：2004-11-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种生物样品中DNA提取的方法。包括如下步骤：(1)将羧基标记的微磁珠导入芯片的微流道内，并吸附固定在芯片的微流道内，形成可用于生物样品DNA提取的微流体芯片，芯片主体的材料为聚二甲基硅氧烷；(2)将生物样品和DNA吸附液混合后导入到芯片内，和固定在芯片内的标记有羧基的微磁珠混合，样品中的DNA吸附在微磁珠上，通入缓冲液，洗脱，收集洗脱液，获得分离纯化的DNA。本发明的方法，芯片成本低廉，工艺简单，芯片内的微磁珠可以方便的通过外加磁场操控，试剂毒性小，无需复杂仪器设备，操作安全，有利于一次性使用，利用磁珠的顺磁性可以通过外加磁场方便的芯片内操控磁珠，易于实现自动化和便携化。
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公开(公告)号：CN104805419A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410032316.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积法（CVD）石墨烯薄膜区域择优选取的方法，包括以下步骤：1）提供一长有CVD石墨烯的金属衬底；2）将长有石墨烯的生长衬底置于反应腔中，并于保护气体气氛中将所述生长衬底加热至预设温度；3）通入反应气体，于预设气压下使该反应气体与所述石墨烯反应预设时间，使石墨烯中的缺陷区域被刻蚀去除；4）将反应后的石墨烯转移至目标衬底表面，获得质量较高的石墨烯材料。本发明通过对生长衬底上的CVD石墨烯薄膜进行原位刻蚀，将有缺陷的石墨烯刻蚀掉，留下质量更高的石墨烯材料；本发明的方法重复性高、简单易行，并且可控性强，适合微电子应用的工业制备。
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