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公开(公告)号：CN115490201A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211248816.7
申请日：2022-10-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多级驱动的MEMS静电驱动器，结构包括：衬底、载荷、逐级串联的若干个一维静电驱动结构、锚点、导线及绝缘介质；每一级的一维静电驱动结构均包括外框架、至少一个静电驱动单元、及至少一个弹性梁；载荷与第一级的外框架连接；除最后一级的外框架通过最后一级的弹性梁悬挂固定到衬底以外，其余每一级的外框架均通过位于同一级的弹性梁连接下一级的外框架；静电驱动单元包括两个位置相对的梳齿集，分别布置于位于同一级的外框架，及衬底或下一级的所述外框架；每一级的外框架在位于同一级的静电驱动单元的作用下独立地实现一维运动；在各级的一维静电驱动结构的共同作用下，载荷实现无耦合干扰的多维运动或/和大位移运动。
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公开(公告)号：CN119220927A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411361612.3
申请日：2024-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C14/04
Abstract: 本发明提供一种硬掩模版及其制备方法、应用方法和镀膜治具，硬掩模版包括镀膜通孔；镀膜通孔的侧壁设置有阶梯结构，阶梯结构包括一个以上镀膜台阶，镀膜台阶的踏面与第二表面之间的距离小于第一表面与第二表面之间的距离。本发明通过在硬掩模版的镀膜通孔侧壁设置镀膜台阶，避免镀膜通孔边缘被遮挡而造成镀膜不均匀的问题，并保证硬掩模版的机械强度；同时在硬掩模版设置与MEMS晶圆对应的卡合微结构，实现精准定位，提高镀膜位置精度；另外设置芯片区内多个镀膜通孔之间连接区域的高度，避免间距小的镀膜通孔之间的连接区域的遮挡导致镀膜不均匀，并保证连接区域的机械强度；最后设置镀膜治具对对准的硬掩模版和MEMS晶圆紧固定位，提高镀膜位置精度。
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公开(公告)号：CN119002041A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411257227.4
申请日：2024-09-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高带宽MEMS扫描镜器件及其设计方法，高带宽MEMS扫描镜器件最大驱动扭矩τ，微反射镜最大扫描角度θmax，柔性扭转梁扭转刚度Kθ＝τ/(θmaxN2)，N大于1；反馈控制芯片接收单片集成角度传感器感知的实时扭转角度和目标扫描角度，处理得到调整闭环反馈驱动信号闭环反馈控制微反射镜扭转。本发明中柔性扭转梁扭转刚度为常规扭转刚度的1/N2，配合反馈控制提高扫描镜器件扫描工作带宽，并打破了MEMS扫描镜提高带宽的思维惯性；同时不同尺寸微反射镜的扭转梁扭转刚度不同，保证扫描镜结构强度并优化扫描工作带宽；另外PID算法反馈控制微反射镜扭转，大幅提高扫描工作带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116395633A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310340962.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00 , B81B7/00 , H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明涉及一种基于粉末填充的低阻硅式TSV制造方法，包括：步骤S10，提供低阻硅片；步骤S20，在低阻硅片的第一面蚀刻形成环形盲孔；步骤S30，在环形盲孔中填充待固化粉末；步骤S40，清除低阻硅片表面残留的待固化粉末；步骤S50，对待固化粉末进行固化，形成固定于环形盲孔侧壁的电绝缘的环形支撑层；步骤S60，在低阻硅片的第二面蚀刻形成环形盲孔，用于形成从低阻硅片分离出的导电硅柱，并重复步骤S30～步骤S50；或在低阻硅片的第二面减薄至环形支撑层完全露头，形成从低阻硅片分离出的导电硅柱；步骤S70，在导电硅柱上下表面的部分区域蚀刻形成开口，使硅暴露，制造完成。本发明还涉及相应的基于粉末填充的低阻硅式TSV结构。本发明提高了TSV技术与MEMS工艺的兼容性，并优化了填充质量。
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公开(公告)号：CN119291917A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411257226.X
申请日：2024-09-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高速MEMS光学移相器及其阵列、封装结构和光学设备，移相器中：第二平面区域的驱动定梳齿与第一平面区域的驱动动梳齿构成静电梳齿驱动器；衬底层的平板驱动电极与第一平面区域的垂直运动微镜构成静电平板驱动器；位移传感器传感垂直运动微镜位移量并闭环反馈控制驱动状态。本发明中梳齿和平板的双驱动结构分别对垂直运动微镜沿两相反方向驱动，简单结构实现高速光学移相；同时闭环反馈控制与双驱动结构提高移相量控制精度；另外MEMS移相器高速移相满足低成本、低功耗、小体积的高速移相应用需求；最后MEMS片内集成位移传感器，指示MEMS光学移相器的移相量并闭环反馈调整静电梳齿驱动器和静电平板驱动器的驱动状态，提高高速移相设备性能。
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公开(公告)号：CN118443277A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410521443.9
申请日：2024-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS微镜及其阵列的高精度标定测试与驱动方法，包括微镜驱动信号按照设定步长进行扫描，以微镜多个驱动信号所对应的多个扫描角度，得到扫描测试数据表函数；进行函数求逆运算，得到驱动测试数据表函数；利用拟合算法或插值算法进行数据滤波、扩增，生成驱动数据表函数；基于驱动数据表函数，确定期望的扫描角度的相应微镜驱动信号，输入至MEMS微镜，以使其偏转至期望输出的扫描角度。本发明的方法采用“稀疏”的大步长扫描测试、求逆运算、拟合或插值运算的方法获取高精度的驱动数据表函数，并对所获得的驱动数据表函数的精度进行验证，以实现快速、高精度的MEMS微镜及其阵列的标定测试，极大缩短测试时间、大幅度降低标定测试成本。
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公开(公告)号：CN116760313A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310755086.8
申请日：2023-06-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02N1/00
Abstract: 本发明提供一种微柱‑孔阵列结构MEMS静电驱动器及其制备方法，采用了微柱‑孔阵列电极驱动结构，充分利用大面积可动功能部件的背面空间，大幅度提高占空比，微柱‑孔阵列驱动结构密度高、数量多，环绕微柱一周均能产生静电力，静电驱动力密度大，特别适合于驱动平板结构上下平动以及扭转角度适中的扭转运动，从而可提高静电驱动器的力密度、减小芯片面积、降低芯片成本，对推动MEMS静电驱动器的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116395632A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310293572.2
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明一种MEMS芯片的封装方法及封装结构，该封装方法包括以下步骤：在MEMS晶圆上键合临时封装盖板，其中MEMS晶圆上包括多个间隔排列的MEMS芯片，临时封装盖板底面设有多个间隔排列的封环微结构使得每一MEMS芯片的上方形成一密封空腔；对MEMS晶圆进行划片以得到多个分别包括一封环微结构的MEMS芯片临时封装结构；将MEMS芯片临时封装结构进行芯片封装；移除MEMS芯片临时封装结构中的封环微结构。本发明的MEMS芯片的封装方法中能够避免传统MEMS芯片封装方法中因MEMS芯片密封光窗的设置造成的光束损耗对器件性能造成的不利影响，提高了MEMS芯片的工作性能及稳定性。
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