-
公开(公告)号：CN107658270B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710952770.X
申请日：2017-10-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/053 , H01L23/055
Abstract: 本发明提供了一种电源转换器用陶瓷外壳，属于陶瓷封装技术领域，为陶瓷无引线片式载体，包括多层陶瓷片层叠的陶瓷外壳和用于连接将所述陶瓷外壳的容置腔内安装的芯片引出的键合丝的键合指，所述陶瓷外壳于所述容置腔相对的另一面设有焊盘，所述陶瓷外壳的侧壁外设有多个用于所述键合指引出的竖向凹槽，所述竖向凹槽的槽壁设有金属层，所述键合指与所述金属层连接，所述金属层与所述焊盘连接。本发明提供的电源转换器用陶瓷外壳，内部键合指与外导电焊盘之间的导电路径较短，外壳接地与散热性能良好，芯片不容易损坏，能够解决现有技术中存在的技术问题。
-
公开(公告)号：CN109461704A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811345533.8
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 杨振涛
IPC: H01L23/02 , H01L23/08 , H01L23/043
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷封装外壳，属于陶瓷封装领域，包括陶瓷件、设于所述陶瓷件外侧面上的空心孔及设于所述陶瓷件底部且向所述陶瓷件外周延伸的引线；所述空心孔为金属化孔，所述空心孔向所述陶瓷件的外侧面及所述陶瓷件的底面开口，所述引线通过焊接分别于与设于所述陶瓷件底部的焊盘及所述陶瓷件连接，且焊接包角位于所述空心孔内。本发明提供的陶瓷封装外壳，用于与引线连接的焊盘尺寸可由传统的最小1.0mm可缩小至0.2mm-0.8mm，焊盘距陶瓷件边缘尺寸由最小0.05mm实现0mm，外壳的外形尺寸缩小0.5mm以上，有效减小了陶瓷封装外壳的整体尺寸，满足外壳的小型化设计发展趋势。
-
公开(公告)号：CN105006477B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510470029.0
申请日：2015-08-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/144 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷嵌入式制冷型红外焦平面探测器连接件，涉及陶瓷封装外壳技术领域。包括金属组件、陶瓷件和金属引线，所述金属组件由上可伐环、下可伐环组成，所述上可伐环下端与所述下可伐环上端焊接连接，所述陶瓷件镶嵌在所述下可伐环上，所述金属引线焊接连接在所述陶瓷件的一端面上。本发明以金属为主，氧化铝陶瓷嵌入式的方法进行封装，具有陶瓷件体积小、机械可靠性高、焊接面积小、漏气概率小的优点。
-
公开(公告)号：CN107424959A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710826088.6
申请日：2017-09-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L23/562
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷针栅阵列外壳针引线保护垫片，涉及陶瓷针栅阵列外壳技术领域，包括绝缘垫片，绝缘垫片设有通孔，通孔个数与位置和陶瓷针栅阵列外壳针引线的个数与位置相对应。在陶瓷针栅阵列外壳的生产、传递、封装和测试过程中将针引线插入垫片上的通孔中，由于针引线在通孔中，因此垫片可将针引线和外界隔离，起到保护针引线的作用，当需要将陶瓷针栅阵列外壳安装在印制板上时将垫片取下即可进行安装。通过此技术手段实现陶瓷针栅阵列外壳在生产、传递、封装和测试过程中针引线与外界隔离不受损坏，提高产品的质量。
-
公开(公告)号：CN119584721A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411100990.6
申请日：2024-08-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种侧面插装式红外探测器外壳，属于陶瓷封装外壳技术领域，包括金属座和连接组件，金属座包括纵向间隔设置的两个同轴设置的金属环，连接组件位于两个金属环之间，连接组件伸入金属座内的一端设有输入端，连接组件伸出金属座的一端设有输出端，输出端的引线朝向垂直于金属座的轴向。本发明提供的侧面插装式红外探测器外壳，连接组件位于两个金属环之间，且连接组件的输入端伸入上侧的金属环内，用于电连接红外探测器；连接组件的输出端伸出金属环的外侧，输出端的引线为横向延伸，将原有的上下连接结构改变为横向连接结构，通过改变其输出端的连接方向，方便零件插装操作，并缩小杜瓦组件的整体安装尺寸过大的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118919510A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411100988.9
申请日：2024-08-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明提供了一种数组隔离器用陶瓷外壳，属于陶瓷封装外壳技术领域，包括壳体和隔离结构，壳体的两侧分别设置有输入部和输出部；隔离结构包括设于输入部和输出部之间的隔离墙和/或隔离腔，隔离墙为凸出壳体表面的条形凸起，隔离腔为凹入壳体表面的条形凹槽。本发明提供的数组隔离器用陶瓷外壳，将陶瓷外壳制成矩形结构，陶瓷外壳的两侧分别设有向外侧延伸的输入部和输出部，输入部和输出部通过键合等方式与外界电路连接；输入部和输出部之间增加隔离结构，该隔离结构通过在壳体的表面增加条形的凸起或者条形的凹陷，以增加输入部和输出部之间的电流击穿路径长度，从而提高外壳隔离耐压值。
-
公开(公告)号：CN118919417A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410956208.4
申请日：2024-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种共烧陶瓷外壳的制备方法，包括以下步骤：制作HTCC生瓷件与LTCC生瓷件，LTCC生瓷件的尺寸包括用于补偿烧结收缩量的补偿量；以第一温度烧结HTCC生瓷件并冷却至室温，获得HTCC熟瓷件；在HTCC熟瓷件的上表面局部印刷浆料，并将LTCC生瓷件装配在HTCC熟瓷件的浆料印刷区域，获得装配体；以低于第一温度的第二温度烧结装配体，获得HTCC和LTCC的共烧熟瓷件；对共烧熟瓷件镀装配层获得共烧陶瓷外壳并进行气密封装。本发明提供的共烧陶瓷外壳的制备方法，能够简化制备工艺，避免HTCC与LTCC结合后出现开缝，在满足高频传输的情况下结构强度高、散热性好的同时为后续成品的气密性封装工艺提供更多选择。
-
公开(公告)号：CN114242665B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202111455958.6
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/15 , H01L23/58 , H01L23/49 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种基于BGA焊球的差分传输结构，属于陶瓷封装技术领域，包括：HITCE上基板；两条间隔设置的上差分传输线，均自HITCE上基板的上表面贯穿至下表面，且在HITCE上基板的上表面形成上测试点；HITCE下基板，与HITCE上基板层叠设置；两条间隔设置的下差分传输线，均自HITCE下基板的上表面在HITCE下基板的厚度方向折弯延伸，并从HITCE下基板的上表面穿出形成下测试点；信号传输焊球，设于HITCE上基板和HITCE下基板之间，上差分传输线和下差分传输线通过信号传输焊球连接；以及多个接地焊球，绕信号传输焊球设置，且与HITCE上基板和HITCE下基板中的回流地层连接。
-
公开(公告)号：CN118841331A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410956209.9
申请日：2024-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种基于高温共烧陶瓷的高深径比DPC基板的制备方法，属于电子封装技术领域，包括：在生瓷片上按预设位置进行激光打孔，形成通孔；在通孔内填满金属浆料；在生瓷片的背面利用真空吸盘将所述通孔内的金属浆料吸出，在通孔侧壁挂浆形成一层浆料覆膜；将形成浆料覆膜的生瓷片堆叠层压成型，放入高温烧结炉进行高温共烧形成熟瓷片，此时通孔侧壁的浆料覆膜形成金属种子层；利用抛光机将熟瓷片的正背两表面抛光处理；经贴合干膜、光刻显影，完成金属化线路层的制作；去除干膜，经干燥后，完成DPC基板的制作。采用本发明制备的高深径比填充的DPC基板，由于通孔侧壁上能够形成完整的金属种子层，大大提升了DPC基板工作的可靠性。
-
公开(公告)号：CN118841329A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410918944.0
申请日：2024-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/15
Abstract: 本发明提供了一种基于HTCC及AMB的多层氮化硅陶瓷基板及制备方法，属于陶瓷封装技术领域，所述方法包括：采用HTCC工艺加工多层氮化硅陶瓷基板，进行多层布线、印刷图形并制作垂直互连孔；采用AMB工艺在所述多层氮化硅陶瓷基板的表面进行覆铜处理；在覆铜层上的刻蚀图形；刻蚀的图形经垂直互连孔与多层氮化硅陶瓷基板内埋层的钨导体层互连。本发明为HTCC和AMB工艺相结合，陶瓷基板加工采用HTCC工艺，表层导体图形加工采用AMB工艺，不仅具有HTCC多层陶瓷垂直互连的优点，又有AMB工艺表面可焊厚铜的优点，既可满足高密度布线的要求，又可满足大功率器件低电阻的要求，工作可靠性高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
120
records
(took 0.042 seconds)
