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公开(公告)号：CN108364883A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810168891.X
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种验证热反射测温设备准确性的装置、制备方法及验证方法，该装置包括：衬底；所述衬底的上表面覆盖绝缘层；所述绝缘层的上表面设有图形结构，所述图形结构包括金属电阻和两个金属焊盘，其中一个所述金属焊盘与所述金属电阻的一端相连，另一个所述金属焊盘与所述金属电阻的另一端相连。本发明通过成熟的半导体工艺制备验证热反射测温设备准确性的装置，并基于该装置配合使用温控平台实现验证热反射测温设备的准确性。该装置制备方法简单，验证结果准确，并且能够准确的反应热反射测温设备高空间分辨力下的准确性。
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公开(公告)号：CN112115411B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010849557.8
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种位置漂移补偿方法、终端设备及可读性存储介质，该方法包括：S101：采集待测件的第一帧图像P1；设定待测件图像的采集帧数为N、当前采集帧为k、采集图像为P、累积卷积核为H，令k＝2、P＝P1、H＝0；S102：采集待测件的第k帧图像Pk，并计算第一帧图像平移变换到第k帧图像对应的卷积核hk；S103：令k＝k+1、P＝P+Pk、H＝H+hk，若k≦N，则返回执行步骤S102；若k>N，则基于累积卷积核H对采集图像P进行反卷积，得到待测件的补偿图像。本发明提供的位置漂移补偿方法、终端设备及可读性存储介质能够减少实时运算量，降低运算成本。
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公开(公告)号：CN115657264A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211324332.6
申请日：2022-10-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G02B7/36 , G03B30/00 , G01J5/48 , G01J5/0806
Abstract: 本发明提供一种热反射显微热成像系统的跟焦方法、装置及电子设备。该方法包括：获取初始图像、第一图像、第二图像。分别计算初始图像、各第一图像和各第二图像的图像清晰度。若第一平均清晰度大于第二平均清晰度，将物距调整至初始物距减预设步长。若第一平均清晰度小于等于第二平均清晰度，将物距调整至初始物距加预设步长。将调整后的物距作为初始物距。本发明通过按预设步长交替调整物距、采集图像，对比两个相邻物距下的平均图像清晰度，按预设步长调整物距后，再次以调整后的物距为基准继续交替调整物距采集图像和调整物距。可在热反射显微热成像系统测试温度过程中，循环执行，实时调整物距，持续保持图像清晰，实现连续实时跟焦。
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公开(公告)号：CN115200721A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210633557.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种热反射显微热成像膨胀补偿方法、装置及电子设备。该方法包括：获取被测器件在当前环境条件下的初始图像。计算初始图像相对于被测器件标准图像的缩放系数，其中标准图像是显微系统在像距为成像透镜焦距、物距为物镜焦距的条件下获取的图像。根据缩放系数确定与当前环境条件相匹配的目标像距与目标物距。设置显微系统的像距为目标像距、物距为目标物距，获得被测器件膨胀补偿后的热反射显微热成像图像。本发明能够根据被测器件热膨胀前后图像的缩放系数，调整显微系统的像距与物距，实现放大倍率等于初始放大倍率除以缩放系数，对应调整被测器件热成像的图像尺寸，实现了热成像膨胀补偿，降低了被测器件热膨胀引起的热成像测温误差。
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公开(公告)号：CN114089144A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111173028.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种二极管结参数测量方法及测量系统，上述方法包括：分别对待测二极管施加三个脉冲电流，并分别测试得到待测二极管在三个脉冲电流下正向导通电压；根据预设温度、三个脉冲电流的值及三个正向导通电压，确定待测二极管在预设温度下的结参数。其中，三个脉冲电流的值呈等差数列分布。本发明对待测二极管施加脉冲电流，降低自热对二极管参数结参数的影响，同时三个脉冲电流等差数列分布，无需绘制I‑V曲线，简化了计算过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113624358A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110803448.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种用于光热反射显微热成像的三维位移补偿方法及控制装置。该方法包括：获取被测件位于待补偿位置时的采集图像，及被测件位于参考位置时的参考图像；根据参考图像计算得到第一傅里叶变换，根据采集图像计算得到第二傅里叶变换；根据第一傅里叶变换和第二傅里叶变换，确定光热反射显微热成像装置中光学子系统的点扩散函数的峰值点坐标和拟合直径；根据峰值点坐标、拟合直径和光热反射显微热成像装置中光学子系统的成像参数，计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，以对被测件进行三维位移补偿。本发明能够同时计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，进而提高位移补偿的工作效率。
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公开(公告)号：CN110298834B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910584994.9
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像；当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向移动，直到所述不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数相同，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
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公开(公告)号：CN110207842B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910584992.X
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种亚像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像，当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向以预设距离移动，直到不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数误差值小于或等于预设误差阈值时，确定完成亚像素级边缘效应的修正，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的亚像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
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公开(公告)号：CN115200721B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210633557.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种热反射显微热成像膨胀补偿方法、装置及电子设备。该方法包括：获取被测器件在当前环境条件下的初始图像。计算初始图像相对于被测器件标准图像的缩放系数，其中标准图像是显微系统在像距为成像透镜焦距、物距为物镜焦距的条件下获取的图像。根据缩放系数确定与当前环境条件相匹配的目标像距与目标物距。设置显微系统的像距为目标像距、物距为目标物距，获得被测器件膨胀补偿后的热反射显微热成像图像。本发明能够根据被测器件热膨胀前后图像的缩放系数，调整显微系统的像距与物距，实现放大倍率等于初始放大倍率除以缩放系数，对应调整被测器件热成像的图像尺寸，实现了热成像膨胀补偿，降低了被测器件热膨胀引起的热成像测温误差。
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公开(公告)号：CN114295954B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202111678778.4
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请适用于半导体器件热阻参数测试技术领域，提供了二极管脉冲电流热阻测量方法、装置及终端设备，该二极管脉冲电流热阻测量方法包括：在二极管所处的环境温度为预设温度的情况下，向二极管施加脉冲电流，并获取二极管温度参数，二极管温度参数包括被测器件温度值、被测器件温度敏感参数；根据二极管温度参数建立校温曲线，并对校温曲线进行修正；基于修正后的校温曲线对二极管温度参数进行修正，根据修正后的二极管温度参数确定器件热阻值。本申请消除了二极管串联电阻对二极管脉冲电流热阻测量方法的影响。
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