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公开(公告)号：CN117637528A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311031681.3
申请日：2023-08-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，在基板形成具有高深宽比的凹部的蚀刻中提高蚀刻速率。公开的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内在基板支承部上载置基板的工序。蚀刻方法还包括通过在腔室内生成的等离子体对基板进行蚀刻以在该基板形成凹部的工序。在进行蚀刻的工序中，向基板支承部供给电偏压以从等离子体吸引离子到基板。在进行蚀刻的工序中，变更电偏压的波形周期的时长的倒数即偏压频率以及脉冲化后的电偏压的脉冲占空比中的至少一方，以维持相对于基板的离子的能量通量。
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公开(公告)号：CN115885368A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180051117.0
申请日：2021-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 蚀刻方法包括工序(a)、工序(b)、工序(c)以及工序(d)。在工序(a)中，向载置台上提供具有基底层和形成于基底层上的蚀刻对象膜的基板。在工序(b)中，从处理气体生成等离子体。在工序(c)中，通过向载置台供给具有第一频率的偏压电力对蚀刻对象膜进行蚀刻，来形成凹部。在工序(d)中，根据工序(c)后的凹部的深宽比，将偏压电力的频率变更为与第一频率不同的第二频率，来进一步对蚀刻对象膜进行蚀刻。在蚀刻方法中，在生成等离子体后到基底层露出为止的期间，连续地对蚀刻对象膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN115312383A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210470922.3
申请日：2022-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，控制在等离子体蚀刻中形成的开口的形状。本公开所涉及的基板处理方法包括以下工序：准备具有含硅电介质膜的基板到基板支承器上；以及由包含含氢和氟的气体的处理气体生成等离子体，来蚀刻所述含硅电介质膜，所述蚀刻的工序包括以下工序：向腔室内供给所述处理气体；向所述基板支承器或所述上部电极供给用于生成所述等离子体的第一高频信号的电力供给工序；以及向上部电极施加第一电偏压。
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公开(公告)号：CN114512398A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111326876.1
申请日：2021-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统。基板处理方法包括将具有形成有凹部的第一膜和掩模的基板搬入第一腔室内的工序、将设基板的温度为200℃以上的工序、向第一腔室内供给含硅反应种并使含硅反应种吸附于凹部的侧壁的工序、向第一腔室内供给含氮反应种来在凹部的侧壁形成第二膜的工序、将基板搬入第二腔室内的工序、将基板的温度设为100℃以下的工序以及对凹部的底部进行蚀刻的工序。另外，第二膜的膜厚为20nm以下，凹部的底部的膜厚与凹部的上部侧壁的膜厚之比为0.7以上。另外，按照所记载的顺序重复执行上述各工序，直至从掩模的开口部起至凹部的底部为止的深度尺寸与掩模的开口尺寸之比成为50以上。
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公开(公告)号：CN113594032A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110435309.3
申请日：2021-04-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及等离子体处理装置。本发明的示例性实施方式的基板处理方法包括向等离子体处理装置的腔室内提供基板的工序。基板具有含硅膜及设置于含硅膜上的掩模。基板处理方法还包括将载置基板的基板支撑体的温度控制为0℃以下的工序。基板处理方法还包括通过从第1处理气体生成的等离子体来对含硅膜进行蚀刻的工序，所述第1处理气体包含氟化氢气体以及选自氟碳化物气体及氢氟碳化物气体中的至少一种含碳气体。在蚀刻工序中，通过来自等离子体的化学物种来对膜进行蚀刻。在除了不活泼气体以外的第1处理气体中，氟化氢气体的流量最多。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112838002A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011285147.1
申请日：2020-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种提高在等离子体蚀刻时含硅膜的蚀刻相对于掩模的蚀刻的选择比的技术。示例性实施方式的基板处理方法包括向等离子体处理装置的腔室内提供基板的工序。基板具有含硅膜及设置于该含硅膜上的掩模。基板处理方法还包括在腔室内由包含氟化氢气体的第1处理气体生成等离子体的工序。在生成等离子体的工序中，通过来自等离子体的化学物种来对膜进行蚀刻。氟化氢气体的流量相对于除了不活泼气体以外的第1处理气体的总流量为25体积％以上。
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公开(公告)号：CN116034455A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202280005781.6
申请日：2022-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含下述的工序：(a)将具有含硅膜和含硅膜上的掩模的基板提供至腔室内的基板支撑部上的工序；和(b)将含硅膜进行蚀刻的工序，所述(b)的工序包含下述的工序：(b‑1)使用由第一处理气体生成的等离子体将含硅膜进行蚀刻的工序，其中，所述第一处理气体含有氟化氢气体和控制氟化氢与含硅膜的反应的反应控制气体，第一处理气体中，作为反应控制气体，含有促进反应的反应促进气体和抑制反应的反应抑制气体中的至少一者；和(b‑2)使用由含有氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体将含硅膜进行蚀刻的工序，其中，第二处理气体中，以比第一处理气体中的反应促进气体小的分压含有促进反应的反应促进气体、和/或以比第一处理气体中的反应抑制气体高的分压含有抑制反应的反应抑制气体、或不含有反应控制气体。
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公开(公告)号：CN115885369A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180052527.7
申请日：2021-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供在蚀刻中提高垂直性的技术。该蚀刻方法为在等离子体处理装置中对被蚀刻膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述等离子体处理装置具备腔室和设置在所述腔室内且按照支撑所述基板的方式所构成的基板支撑器，所述蚀刻方法包含以下工序：将所述具有被蚀刻膜的基板配置在所述基板支撑器上的工序；将包含HF气体的处理气体供给至所述腔室内的工序；利用具有第一频率的高频在所述腔室内生成所述处理气体的等离子体的工序；以及利用比所述第一频率还低的第二频率将脉冲电压周期性地施加至所述基板支撑器的施加工序。
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公开(公告)号：CN114175214B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202080005420.2
申请日：2020-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN114496769A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111286695.0
申请日：2021-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 所发明的蚀刻方法包括向腔室内提供基板的工序。基板具有包含硅氮化膜的含硅膜。蚀刻方法包括在腔室内由处理气体生成等离子体来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含含氟气体及含硼气体。在进行蚀刻的工序中，支撑基板的基板支撑器的温度设定为小于0℃的温度。
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