公开(公告)号：CN107393798A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710275334.3

申请日：2017-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤野丰 ,  小松智仁 ,  池田太郎 ,  中入淳 ,  和久津岳生

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/327 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4615

Abstract: 本发明提供能够使处理气体在与气体的特性对应的适当的解离状态下解离的、且能够兼顾处理气体的导入均匀性和所需的等离子体均匀性的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：腔室(1)、载置晶片的载置台(11)、经由顶壁(10)向腔室内导入微波的等离子体源(2)、从顶壁(10)将第一气体导入腔室内的第一气体导入部(21)、从顶壁与载置台(11)之间将第二气体导入腔室内的第二气体导入部(22)。第二气体导入部包括：环状部件(110)，形成有多个气体排出孔(116)，设置成位于顶壁与载置台(11)之间的规定高度位置；和连接顶壁与环状部件的脚部(111a)，第二气体向环状部件的供给经由脚部(11a)进行。

公开(公告)号：CN104717820A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410784335.7

申请日：2014-12-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小松智仁 ,  池田太郎 ,  藤野丰

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种微波等离子体源，其能够确保等离子体的扩散，并且即使减少微波辐射部的数量，也能够形成均匀的表面波等离子体。微波等离子体源(2)包括微波输出部(30)、微波供给部(40)和微波辐射板(50)。微波供给部(40)具有在微波辐射部件(50)的周缘部(50a)之上沿着圆周方向设置的多个微波导入机构(43)，微波辐射板(50)包括：隙缝天线部(124)，其具有沿着微波导入机构配置区域以整体形状呈圆周状的方式设置有多个的微波辐射用的隙缝(123)；和在与微波导入机构配置区域对应的位置以覆盖隙缝(123)的方式设置成圆周状，用于透射从隙缝(123)辐射的微波的微波透射部件(122)。

公开(公告)号：CN104472020B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201380036701.4

申请日：2013-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  藤野丰 ,  足立光 ,  宫下大幸 ,  长田勇辉 ,  山本伸彦

IPC: H05H1/00 ,  C23C16/511 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: G01R27/06 ,  G01R27/28 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32926 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463 ,  H05H2001/4682

Abstract: 等离子体处理装置(1)包括处理容器(2)和具有多个微波导入组件(61)的微波导入装置(5)。向多个微波导入组件(61)中的每个导入微波，基于该微波和从处理容器(2)反射至多个微波导入组件(61)的反射微波，求取多个微波导入组件(61)的每个组合的S参数。

公开(公告)号：CN102737947B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210093675.6

申请日：2012-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤野丰 ,  植田笃 ,  尾崎成则 ,  北川淳一

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32431 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 本发明的目的在于提供等离子处理装置以及微波导入装置，用简单的构成使等离子的分布均匀化。等离子处理装置(1)具备向处理容器(2)内导入微波的微波导入装置(5)。微波导入装置(5)包括嵌合于顶部(11)的多个开口部的多个微波透过板(73)。多个微波透过板(73)在嵌合于顶部(11)的多个开口部的状态下，配置于与载置台(21)的载置面(21a)平行的一个假想的平面上。多个微波透过板(73)包括微波透过板(73A～73G)。设定为微波透过板(73G、73A)的中心点(PG，PA)间距离与微波透过板(73G、73B)的中心点(PG、PB)间距离相互相等或者几乎相等。

公开(公告)号：CN104472020A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380036701.4

申请日：2013-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  藤野丰 ,  足立光 ,  宫下大幸 ,  长田勇辉 ,  山本伸彦

IPC: H05H1/00 ,  C23C16/511 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: G01R27/06 ,  G01R27/28 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32926 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463 ,  H05H2001/4682

Abstract: 等离子体处理装置(1)包括处理容器(2)和具有多个微波导入组件(61)的微波导入装置(5)。向多个微波导入组件(61)中的每个导入微波，基于该微波和从处理容器(2)反射至多个微波导入组件(61)的反射微波，求取多个微波导入组件(61)的每个组合的S参数。

公开(公告)号：CN101802986B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200880024210.7

申请日：2008-07-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥哲朗 ,  藤野丰 ,  户岛宏至 ,  久保敦史 ,  康松润 ,  P·芬泽克 ,  濑川澄江

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。

公开(公告)号：CN101044626B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200580036152.6

申请日：2005-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西田辰夫 ,  石塚修一 ,  藤野丰 ,  中西敏雄 ,  佐藤吉宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/08 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L27/10873

Abstract: 在本发明中，在形成DRAM中的栅极绝缘膜的情况下，对成为栅极绝缘膜的基底的氧化膜实施等离子体氮化处理。通过使用着形成有多个通孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。由等离子体氮化处理所形成的栅极绝缘膜中的氮浓度为5～20％原子浓度。随后即使不进行退火处理也可以在DRAM中有效地防止硼穿透现象，并且抑制成为器件驱动能力降低的原因的膜中的阱。

公开(公告)号：CN101151721B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200680010595.2

申请日：2006-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  石塚修一 ,  中山友绘 ,  藤野丰

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明提供一种栅极绝缘膜的制造方法，该栅极绝缘膜的制造方法包括在等离子体处理装置的处理室内、使含氧等离子体作用于被处理体表面的硅以形成硅氧化膜的氧化处理工序，氧化处理工序中的处理温度大于600℃小于等于1000℃，含氧等离子体是通过将至少包含稀有气体和氧气的含氧处理气体导入上述处理室内、并且经由天线将高频或者微波导入该处理室内而形成的含氧处理气体的等离子体。

公开(公告)号：CN101151721A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010595.2

申请日：2006-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西田辰夫 ,  中西敏雄 ,  石塚修一 ,  中山友绘 ,  藤野丰

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明提供一种栅极绝缘膜的制造方法，该栅极绝缘膜的制造方法包括在等离子体处理装置的处理室内、使含氧等离子体作用于被处理体表面的硅以形成硅氧化膜的氧化处理工序，氧化处理工序中的处理温度大于600℃小于等于1000℃，含氧等离子体是通过将至少包含稀有气体和氧气的含氧处理气体导入上述处理室内、并且经由天线将高频或者微波导入该处理室内而形成的含氧处理气体的等离子体。

公开(公告)号：CN301605348S

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201130035861.0

申请日：2011-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 西村敏 ,  藤野丰 ,  铃木公贵 ,  小林浩

Abstract: 1.外观设计产品的名称：微波导入用天线。2.外观设计产品的用途：本产品是在等离子体处理装置中所使用的微波导入用天线。高频电源所产生的微波通过导波管送入天线部，通过天线部中的该微波导入用天线将微波均匀地导入处理容器中。3.本外观设计的设计要点在于产品的形状和图案。4.指定图片：主视图。5.后视图与主视图对称，仰视图与俯视图对称，左视图与右视图对称，省略后视图、仰视图、左视图。