公开(公告)号：CN111566802A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201880085524.1

申请日：2018-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰弗里·史密斯 ,  苏巴迪普·卡尔

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/306 ,  H01L27/092

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，该衬底上具有基础鳍片结构，该基础鳍片结构包括：第一堆叠部，其用于形成第一环绕式栅极(GAA)晶体管的沟道，该第一堆叠部包括第一沟道材料；第二堆叠部，其用于形成第二GAA晶体管的沟道，该第二堆叠部包括第二沟道材料；以及牺牲部，其将第一堆叠部与第二堆叠部分开，其中，第一沟道材料、第二通道材料和牺牲材料具有彼此不同的化学组成；使基础鳍片结构的侧面露出以进行各向同性蚀刻处理，该各向同性蚀刻处理选择性地对第一沟道材料、第二沟道材料和牺牲材料中的一种进行蚀刻；以及分别在第一沟道材料和第二沟道材料周围形成第一GAA栅极结构和第二GAA栅极结构。

公开(公告)号：CN107924816A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680045009.1

申请日：2016-06-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 苏巴迪普·卡尔 ,  尼哈尔·莫汉蒂 ,  安热利克·雷利 ,  艾兰·莫斯登 ,  斯克特·莱费夫雷

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明描述了用于干式去除微电子工件上的材料的方法。所述方法包括：接纳具有露出由硅和以下中之一组成的目标层的表面的工件：(1)有机材料；(2)氧和氮两者；以及从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分。选择性去除包括将工件的表面暴露于在第一设定点温度下的含有N、H和F的化学环境，以化学改变目标层的表面区域，以及然后，将工件的温度升高至第二设定点温度，以去除目标层的经化学处理的表面区域。

公开(公告)号：CN111566802B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201880085524.1

申请日：2018-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰弗里·史密斯 ,  苏巴迪普·卡尔

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/306 ,  H01L27/092

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，该衬底上具有基础鳍片结构，该基础鳍片结构包括：第一堆叠部，其用于形成第一环绕式栅极(GAA)晶体管的沟道，该第一堆叠部包括第一沟道材料；第二堆叠部，其用于形成第二GAA晶体管的沟道，该第二堆叠部包括第二沟道材料；以及牺牲部，其将第一堆叠部与第二堆叠部分开，其中，第一沟道材料、第二通道材料和牺牲材料具有彼此不同的化学组成；使基础鳍片结构的侧面露出以进行各向同性蚀刻处理，该各向同性蚀刻处理选择性地对第一沟道材料、第二沟道材料和牺牲材料中的一种进行蚀刻；以及分别在第一沟道材料和第二沟道材料周围形成第一GAA栅极结构和第二GAA栅极结构。

公开(公告)号：CN113950735A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202080043113.3

申请日：2020-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 苏巴迪普·卡尔 ,  伊藤大辅 ,  马修·弗洛 ,  村木雄介 ,  艾兰·莫斯登

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了一种用于干式去除微电子工件上的材料的方法。该方法包括接收衬底，该衬底具有暴露金属层的工作表面并且具有至少一种暴露于该金属层或在该金属层下方的其他材料；以及通过将该衬底暴露于含有无水卤素化合物的受控气相环境，相对于该其他材料有差别地蚀刻该金属层。

公开(公告)号：CN111566803A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201880085673.8

申请日：2018-12-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰弗里·史密斯 ,  苏巴迪普·卡尔 ,  安东·J·德维莱尔

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L21/822 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供衬底，该衬底包括用于形成第一环绕栅极(GAA)晶体管的沟道的第一堆叠翅片结构和用于形成第二GAA晶体管的沟道的第二堆叠翅片结构，第一堆叠翅片结构包括初始体积的第一沟道材料，第二堆叠翅片结构包括初始体积的第二沟道材料；将第二沟道材料的所述初始体积相对于第一沟道材料的初始体积减小预定量，该预定量对应于第一GAA晶体管的延迟；相应地围绕所述第一沟道材料和所述第二沟道材料形成第一GAA栅极结构和第二GAA栅极结构。

公开(公告)号：CN110444475A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910368033.4

申请日：2019-05-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 安热利克·D·雷利 ,  苏巴迪普·卡尔

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开涉及一种被设计成使线宽粗糙度和线边缘粗糙度最小化的关键尺寸修整方法。提供了在一个或更多个加工层的堆叠上具有图案化层的衬底。加工层包括至少一个图案化层和一个蚀刻目标层。在将图案转移到蚀刻目标层之后，可以实现图案化层的CD与蚀刻目标层的CD之间的CD修整。在蚀刻目标层被图案化之后，可以使用无等离子体气相蚀刻工艺来修整蚀刻目标层的CD以微调CD。在替选实施方式中，等离子体蚀刻修整工艺可以与气相蚀刻工艺结合使用。在这样的实施方式中，可以通过各工艺层的等离子体蚀刻来实现部分CD修整，以及然后可以通过在蚀刻目标层中形成所需图案之后对蚀刻目标层进行无等离子体气相蚀刻来实现附加的CD修整。

公开(公告)号：CN107851559A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680044996.3

申请日：2016-06-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 苏巴迪普·卡尔 ,  尼哈尔·莫汉蒂 ,  安热利克·雷利 ,  艾兰·莫斯登 ,  斯克特·莱费夫雷

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明描述了用于干式去除微电子工件上的材料的方法和系统。所述方法包括：接纳具有露出待被至少部分地去除的目标层的表面的工件；将所述工件放置在干式非等离子体蚀刻室中的工件保持器上；以及从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分。选择性去除包括操作干式非等离子体蚀刻室以执行以下步骤：将工件的表面暴露于在35℃至100℃范围内的第一设定点温度下的化学环境以化学改变目标层的表面区域，然后，将工件的温度升高至等于或高于100℃的第二设定点温度，以去除目标层的经化学处理的表面区域。