公开(公告)号：CN102315151A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110185040.4

申请日：2011-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小田桐正弥 ,  村木雄介 ,  富士原仁

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  Y10T156/17 ,  Y10T156/1702

Abstract: 本发明提供一种可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。本发明提供一种基板承载台，其供承载基板，且包含：周缘承载部件，承载所述基板的周缘部进行温度控制；中央承载部件，承载所述基板的中央部进行温度控制；支撑台，支撑所述周缘承载部件和所述中央承载部件；且，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。

公开(公告)号：CN101546699A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910129357.9

申请日：2009-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大西正 ,  户泽茂树 ,  村木雄介 ,  二藤孝文

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种热处理装置和处理系统，即使增高热处理装置的加热温度，也能够充分抑制硅基板下表面的金属污染。在热处理硅基板(W)的热处理装置(4)中，具有载置并加热硅基板(W)的载置台(23)，在载置台(23)的上表面配置硅、碳化硅、氮化铝的任一种构成的盖体(35)。通过将载置台(23)的上表面由硅等盖体(35)覆盖，从而抑制硅基板(W)下表面的金属污染。

公开(公告)号：CN101107698A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200580045165.X

申请日：2005-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盖尔·格伦 ,  广田良浩 ,  村木雄介 ,  中村源志 ,  栉引理人 ,  新藤尚树 ,  清水昭贵 ,  芦垣繁雄 ,  加藤良裕

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。