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公开(公告)号：CN112020573A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201980027716.1
申请日：2019-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 品田正人 , 户岛宏至 , 爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉
Abstract: 成膜装置具有：在处理腔室内的处理空间保持用于发射溅射粒子的靶的靶保持部、从靶发射溅射粒子的溅射粒子发射单元、具有供溅射粒子穿过的穿过孔的溅射粒子遮蔽板、设为能够遮蔽穿过孔的遮蔽构件、使遮蔽构件沿水平方向移动的移动机构、以及控制部。控制部一边将在遮蔽构件的载置部载置有基板的遮蔽构件控制为沿水平方向的一个方向移动，一边从靶发射溅射粒子。穿过了穿过孔的溅射粒子沉积在基板。
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公开(公告)号：CN109891558A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066724.8
申请日：2017-11-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/027
Abstract: 本发明的一个实施方式的硬掩模是在含硅膜上形成的等离子蚀刻用的硬掩模。该硬掩模包含钨和硅、且为非晶膜。硬掩模表面中的钨浓度与硅浓度之比可以处于以钨浓度35at.％与硅浓度65at.％规定的比与以钨浓度50at.％与硅浓度50at.％规定的比之间的范围内。
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公开(公告)号：CN103031529B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210376114.7
申请日：2012-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/32688 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体组（54），其矩阵状地排列有磁体（61、62）；和返回用的磁体（53），其设置于该内侧磁体组（54）的周围，阻止电子的飞出。由此，在靶（31）的正下方，基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体，另外，腐蚀的面内均匀性提高。因此，能够使靶（31）和晶片（10）接近进行溅射，能够确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101802986B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200880024210.7
申请日：2008-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/3145 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/318 , H01L21/67069 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
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公开(公告)号：CN115461489A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180030110.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及PVD装置。PVD装置具备：腔室、多个载置台、第一靶保持部、电力供给机构以及屏蔽件。多个载置台设置在腔室内，并分别能够在上表面载置至少一个基板。第一靶保持部能够保持靶，该靶暴露在腔室内的空间，并针对一个载置台设置至少一个。电力供给机构经由第一靶保持部向靶供给电力。屏蔽件设置于腔室内，一部分配置在多个载置台中的第一载置台与第二载置台之间、以及第一载置台上的第一处理空间与第二载置台上的第二处理空间之间。
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公开(公告)号：CN114293156A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111498049.0
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜系统和成膜方法，能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜。成膜系统的成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板；基板移动机构，其使基板直线地移动；以及控制部。控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
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公开(公告)号：CN111312588A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911257764.8
申请日：2019-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法。本文描述了实施方式用于对间隔物轮廓再成形以改善间隔物均匀性从而改善在与自对准多重图案化处理相关的图案转移期间的蚀刻均匀性。对于公开的实施方式，在用于微电子工件的衬底的材料层上形成芯。然后在芯上方形成间隔物材料层。然后，通过使用一个或更多个定向沉积处理沉积附加间隔物材料对间隔物材料层进行再成形且使用一个或更多个蚀刻处理步骤来形成与芯相邻的对称间隔物。对于一个示例实施方式，使用一个或更多个斜向物理气相沉积处理来沉积附加间隔物材料用于间隔物轮廓再成形。这种间隔物轮廓的再成形使得能够形成对称间隔物，从而改善在随后的图案转移处理期间的蚀刻均匀性。
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公开(公告)号：CN110819949A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910733755.5
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜的成膜装置、成膜系统以及成膜方法。成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板；基板移动机构，其使基板直线地移动；以及控制部。控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
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