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    等离子体处理装置和等离子体处理方法
    11.
    发明公开
    等离子体处理装置和等离子体处理方法 有权

    公开(公告)号：CN101042996A

    公开(公告)日：2007-09-26

    申请号：CN200710100693.1

    申请日：2007-03-19

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 小林义之

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  B01J19/02

    CPC classification number: C23C4/18 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C26/00 ,  C23C28/042 ,  H01J37/32495

    Abstract: 本发明提供一种能够提高用于在腐蚀性气体气氛中进行等离子体蚀刻加工的腔室内的暴露于等离子体气氛的部位、构件和部件的耐久性，能够提高在腐蚀性气体气氛中、在部件等的表面上形成的膜的耐等离子体腐蚀性，而且，即使在高的等离子体输出下也能够防止产生腐蚀生成物的颗粒的等离子体处理装置和使用该等离子体处理装置的等离子体处理方法，作为解决手段，在利用蚀刻处理气体等离子体对收容在腔室内的被处理体表面进行加工的等离子体处理装置中，至少利用由金属氧化物构成的多孔质层和在该多孔质层上形成的该金属氧化物的二次再结晶层，覆盖该腔室的暴露于等离子体生成气氛的部位、设置在该腔室内的构件或部件的表面。

    粉末供给装置、喷镀装置、粉末供给方法以及喷镀方法
    12.
    发明授权
    粉末供给装置、喷镀装置、粉末供给方法以及喷镀方法 有权

    公开(公告)号：CN112930416B

    公开(公告)日：2023-05-12

    申请号：CN201980069561.8

    申请日：2019-10-28

    Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  CKD株式会社

    Inventor： 小林义之 ,  板藤宽

    IPC: C23C4/134 ,  B05B7/14 ,  B05B7/22 ,  B65G53/66 ,  B65G65/40

    Abstract: 本发明提供一种粉末供给装置,其用于自送料器向喷嘴供给粉末,该粉末供给装置包括:盒部,其具有:口部,其用于放入、取出粉末；以及开闭阀,其用于开闭上述口部,并且该盒部用于在气密状态下收纳上述粉末；以及送料器,其具有:连接部,其用于可装卸地连接上述盒部；补给口,其用于将与上述连接部连接的上述盒部内的上述粉末补给至上述送料器内；以及开闭阀,其用于开闭上述补给口,并且该送料器用于将自上述补给口补给的上述粉末投入上述喷嘴,上述盒部以及上述送料器通过上述盒部连接于上述连接部,从而在上述口部与上述补给口之间形成密闭空间。

    温度控制装置
    14.
    发明授权
    温度控制装置 有权

    公开(公告)号：CN101295186B

    公开(公告)日：2013-08-28

    申请号：CN200810089941.1

    申请日：2008-04-11

    Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  CKD株式会社

    Inventor： 永关一也 ,  小林义之 ,  村上幸一 ,  野中龙 ,  须藤良久 ,  板藤宽 ,  国保典男

    IPC: G05D23/19 ,  G05D23/01

    CPC classification number: G05D23/19

    Abstract: 一种温度控制装置，通过在配置于被控对象附近的调温部(11)使流体循环来预期地控制被控对象的温度，其包括：加热流体并使流体在调温部(11)循环的加热通路(40)；冷却流体并使流体在调温部(11)循环的冷却通路(20)；使流体在调温部(11)循环而不通过加热通路(40)及冷却通路(20)的旁通路(30)；以及对来自加热通路(40)、冷却通路(20)、旁通路(30)通过对它们进行汇流的汇流部(12)向调温部(11)输出流体的流量比进行调节的调节装置(44，24，34)。调节装置(44，24，34)位于加热通路(40)，冷却通路(20)，旁通路(30)的各下游侧且设置在汇流部(12)的上游侧。

    环状部件及其制造方法
    16.
    发明授权
    环状部件及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN101740297B

    公开(公告)日：2012-11-14

    申请号：CN200910207897.4

    申请日：2009-11-06

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 北岛次雄 ,  小林义之

    IPC: H01J37/04 ,  H01J37/32

    CPC classification number: C30B35/00 ,  B23P15/00 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32642 ,  Y10T29/49826

    Abstract: 本发明涉及环状部件及其制造方法，根据本发明的环状部件，能够抑制等离子体导致的消耗和生产率的恶化。在对晶片W实施等离子体蚀刻处理的基板处理装置(10)中，该环状部件是收纳于在内部产生等离子体的反应室(17)的聚焦环(24)，由在圆周方向上配设的4个单晶硅的圆弧状部件24a～24d构成，在各圆弧状部件24a～24d的上表面24a1～24d1、外侧面24a2～24d2，不出现易消耗的单晶硅的结晶面，例如密勒指数为{100}的结晶面。

    上部电极板以及基板处理装置
    18.
    发明授权
    上部电极板以及基板处理装置 失效

    公开(公告)号：CN102738041B

    公开(公告)日：2014-12-17

    申请号：CN201210101424.8

    申请日：2012-03-31

    Applicant: 东京毅力科创株式会社

    Inventor： 小林义之

    IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

    CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/67103

    Abstract: 一种上部电极板以及基板处理装置，提供一种能够从开始产生等离子体起就使上部电极板的温度稳定，能够对多个晶圆实施均匀的蚀刻处理的上部电极板。在等离子体处理装置(10)中，隔着处理空间(S)与基板载置台(12)相向地配置的上部电极板(31)经由冷却板(32)与电极支承体(33)相抵接并被该电极支承体(33)支承，在与冷却板(32)相抵接的抵接面上形成传热薄片(38)。传热薄片(38)的热导率处于0.5～2.0W/m·k的范围，该传热薄片(38)的材料是在成分中包含硅的耐热性的粘合剂、橡胶，以及在粘合剂、橡胶中含有25％～60％体积的氧化物、氮化物或者碳化物的陶瓷填料，该传热薄片(38)的膜厚例如是30μm～80μm，以避开上部电极板(31)的各气孔(34)的附近的规定区域的方式涂布并形成该传热薄片(38)。

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