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公开(公告)号：CN101074473B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710100607.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C26/00
Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。
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公开(公告)号：CN101074473A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710100607.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C26/00
Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。
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公开(公告)号：CN110246739B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201910161278.X
申请日：2019-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明能够将由于对基片进行等离子体处理而产生的反应生成物很好地从载置台的载置面的周缘部除去。等离子体处理方法包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于载置台的载置面的基片进行等离子体处理；载置工序，其代替基片而将仿真基片载置在载置台的载置面；和除去工序，其在仿真基片载置于载置台的载置面的状态下，一边利用处理气体的等离子体经由仿真基片加热载置面，一边利用处理气体的等离子体将因基片的等离子体处理而产生的反应生成物从载置面的周缘部除去。
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公开(公告)号：CN111799146A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010217975.5
申请日：2020-03-25
Applicant: 日本钨合金株式会社 , 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用部件、具备该部件的等离子体处理装置及烧结体的使用方法。等离子体处理装置用部件具有碳化钨相及副相，该副相包含选自由相I、相II、相III、相IV及相V构成的组中的至少一种，相I为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的碳化物相，相II为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的氮化物相，相III为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的碳氮化物相，相IV为碳相，相V为由WxMyCz的式表示的复合碳化物相，碳化钨相的含有比例为99体积％以上，副相的含有比例为1体积％以下，孔隙率为2体积％以下。
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公开(公告)号：CN1531012B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200410008444.6
申请日：2004-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C14/40 , C23C16/513
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32082
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，包括施加第一高频电力的上部电极(12)、施加第二高频电力的下部电极(13)和调节该两电极(12、13)的间隔的升降机构(14)，在使用在上部电极(12)上施加第一高频电力进行等离子体点火的等离子体处理装置对下部电极(13)上的晶片(W)实施等离子体处理之际，至少在等离子体熄灭时，使上下两电极(12、13)的间隔设定得比等离子体处理时宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119631167A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380056590.7
申请日：2023-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/42
Abstract: 等离子体处理装置用的部件的制造方法包括以下工序：工序(A)，准备芯材，所述芯材的形状与所述电极的最终形状相似且比所述最终形状小；工序(B)，通过成膜装置在所述芯材形成SiC层叠部；以及工序(C)，通过至少去除所述SiC层叠部的一部分来形成SiC层并加工成所述最终形状。由此，能够高精度地制造具有SiC的等离子体处理装置用的部件。
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公开(公告)号：CN111799145B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010217971.7
申请日：2020-03-25
Applicant: 日本钨合金株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用部件、具备该部件的等离子体处理装置及烧结体的使用方法。等离子体处理装置用部件仅由碳化钨相构成，并且包含选自由Fe原子、Co原子及Ni原子构成的组中的至少一种原子，这些原子的含量的合计为30～3300原子ppm。
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公开(公告)号：CN111799146B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202010217975.5
申请日：2020-03-25
Applicant: 日本钨合金株式会社 , 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用部件、具备该部件的等离子体处理装置及烧结体的使用方法。等离子体处理装置用部件具有碳化钨相及副相，该副相包含选自由相I、相II、相III、相IV及相V构成的组中的至少一种，相I为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的碳化物相，相II为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的氮化物相，相III为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的碳氮化物相，相IV为碳相，相V为由WxMyCz的式表示的复合碳化物相，碳化钨相的含有比例为99体积％以上，副相的含有比例为1体积％以下，孔隙率为2体积％以下。
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公开(公告)号：CN110391141B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201910316833.1
申请日：2019-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够减少附着于上部电极的沉积物的量或者从上部电极除去沉积物的等离子体处理方法。在一实施方式的等离子体处理方法中，将电容耦合型等离子体处理装置的上部电极冷却。在等离子体处理装置的腔室内，设置有包含下部电极的支承台。上部电极设置于支承台的上方。在冷却上部电极的期间，利用在腔室内生成的等离子体来蚀刻基片的膜。在蚀刻膜的期间，基片载置于支承台上。在执行蚀刻的期间，对上部电极施加负极性的偏置电压。
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公开(公告)号：CN102117733B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010561532.4
申请日：2010-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/687 , H01J37/36
CPC classification number: B08B7/0035 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/32862
Abstract: 提供一种基板处理装置及其清洁方法，不使下部电极的自偏压升高就能够提高基板载置台的附着物的去除率。在规定处理条件下清洁处理室(102)内时，按照根据下部电极(111)的自偏压以如下方式设定的流量比将含有O2气体和惰性气体的处理气体提供给处理室内，对下部电极(111)与上部电极(120)的电极之间施加高频电力来产生等离子体，该方式为：上述下部电极的自偏压的绝对值越小，上述O2气体的流量比越小，而惰性气体的流量比越大。
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