公开(公告)号：CN116727671A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202211656807.1

申请日：2022-12-22

Applicant: 日本钨合金株式会社

Inventor： 真岛克弥 ,  黑木史哉 ,  上野修司 ,  大塚健嗣 ,  皆川泰范 ,  前田祐

IPC: B22F9/04 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  B22F3/00

Abstract: 本发明涉及粉碎、搅拌、混合、混炼机构件。改善由日本专利第6922110号公报中公开的包含金属陶瓷的粉碎、搅拌、混合、混炼机构件的抗冲击性，并且赋予高耐腐蚀性。本发明为包含金属陶瓷的粉碎、搅拌、混合、混炼机构件，以每种元素的质量比成为Ti：15～40％、Mo：2～29％、Cr：1～15％、C：2～20％、Co：Co和Ni合计为30％～55％并且Co/Ni比超过1的方式将原料配合，将它们混合得到混合粉，对该混合粉进行压制成型而得到压制体，将该压制体烧结而得到金属陶瓷。该金属陶瓷具有以TiCN为主成分的芯相2、以覆盖芯相的周围的方式存在且以(Ti，Mo，Cr)(C，N)为主成分的环形相3、和金属相4这3相，通过SEM观察，没有观察到Mo2C相和碳化铬相。

公开(公告)号：CN109996903A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201780072744.6

申请日：2017-11-15

Applicant: 宇部材料工业株式会社 ,  日本钨合金株式会社

Inventor： 久保宽明 ,  川边康平 ,  三谷敦志 ,  横山宗佑 ,  高巢正信

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 提供一种物理蒸镀用靶构件，其中，形成物理蒸镀膜时氧化所致的基底的劣化少，在物理蒸镀膜与基底的接合部产生的缺陷少，物理蒸镀膜与基底的晶格匹配性好，进而，其自身或形成的物理蒸镀膜的水合所致的变质少。物理蒸镀用靶构件包含Mg、M(M为3价金属元素)和O作为主要成分，Mg和M分别换算为MgO和M2O3这样的氧化物后的摩尔比为70：30～10：90。

公开(公告)号：CN103325583B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310093337.7

申请日：2013-03-22

Applicant: 日本钨合金株式会社

Inventor： 白谷正治 ,  马场俊幸 ,  山口博文 ,  宫崎宁记 ,  案浦康德

IPC: H01H1/04

Abstract: 使开关大电流的电接点材料比现有的电接点材料寿命长。就消耗而言，能够得到局部不发生消耗的电接点。制造在Cu（Ag）‑W（Mo）类电接点材料中添加了铁族金属和Sr、Ca、稀土元素等的硼氧化物得到的接点材料。通过使功函数低的硼氧化物颗粒总在接点材料表面大量露出，电接点的消耗均匀地发生，能够使电接点不发生局部消耗地长寿命化。由硼氧化物添加造成的烧结、熔浸性的恶化，通过在W（Mo）中添加的铁族金属来弥补。

公开(公告)号：CN103003016B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201180033932.0

申请日：2011-10-17

Applicant: 日本钨合金株式会社

Inventor： 山口博文 ,  内田雄介

IPC: B23H1/06 ,  C22C27/04 ,  C22C32/00 ,  C22C1/04

CPC classification number: B23H7/24 ,  B22F3/26 ,  B23H1/06 ,  C22C1/045 ,  C22C1/1094 ,  C22C32/0031 ,  C22C32/0089

Abstract: 为了在使用Cu（Ag）-W（Mo）类放电加工用电极的放电加工中，提高加工速度、电极消耗率、被加工物的表面粗糙度，在Cu（Ag）-W（Mo）类材料中添加适当量的选自由Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、镧构成的组（M3）中的元素的硼氧化物和铁族金属。作为硼氧化物，特别优选使用M32B2O5、M3B2O4所示的硼氧化物。

公开(公告)号：CN102378667A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080015118.1

申请日：2010-10-18

Applicant: 日本钨合金株式会社

Inventor： 松尾明 ,  上野祐贡 ,  原庆次 ,  尾塚馨一 ,  寺本修一

IPC: B23K35/32 ,  B23H1/06 ,  B23K35/02 ,  C22C27/04 ,  C22C29/12 ,  C22C32/00 ,  H01J61/073 ,  B22F3/04

CPC classification number: C22C27/04 ,  B23H1/06 ,  B23K35/02 ,  B23K35/32 ,  C22C29/12 ,  C22C32/0031 ,  H01J61/0735

Abstract: 改善在TIG焊接、等离子体喷镀、等离子体切断、电火花加工、放电灯等中使用的钨阴极材料，削减放射性元素钍的使用，并实现长寿命和高性能。钨阴极材料分散有氧化物颗粒，该氧化物颗粒含有以总量计为50vol％以上的选自Sm、Nd、Gd和La中的至少一种的氧化物，上述氧化物颗粒的平均粒径d满足0＜d≤2.5μm的关系。将上述钨阴极材料中的上述氧化物颗粒的总量的体积分率设为f(vol％)时，在向由上述钨阴极材料构成的电极施加的电流I(A)为0＜I≤40A的情况下，满足0.083≤f/I。

公开(公告)号：CN101828275A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200880112148.7

申请日：2008-10-16

Applicant: 日本钨合金株式会社

Inventor： 祝迫恭 ,  皆本钢辉 ,  仓井聪 ,  田口常正

IPC: H01L33/00 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/486 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种配备了LED元件的LED封装基板以及使用该LED封装基板的LED封装。提供一种在散热性上有优势，并且能够同时解决可靠性、量产性、成本的问题的LED封装基板。其特征在于，设置连接在LED元件(105)的n极(105a)上的n电极(101)与连接在LED元件(105)的p极(105b)上的p电极(102)的间隔，使其最窄部分在20～500μm范围内，上述最窄部分的至少一部分或全部中填充了陶瓷(103)。

公开(公告)号：CN101573753A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780039067.4

申请日：2007-03-30

Applicant: 日本钨合金株式会社 ,  日立金属株式会社

Inventor： 毛利茂树 ,  原勇介 ,  味富晋三 ,  作道秀敬

IPC: G11B5/31 ,  C01G23/00 ,  C04B35/10 ,  C04B35/56

CPC classification number: G11B5/102 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/002 ,  C01G23/047 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/42 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/117 ,  C04B35/58021 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/62836 ,  C04B35/6325 ,  C04B35/63476 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  G11B5/187 ,  Y10T428/1157

Abstract: 本发明提供铝钛碳系磁头用基板材料，其作为将磁头元件和记录介质间的浮动高度显著缩小的HDD装置的薄膜磁头浮动块及带状记录装置的薄膜磁头中使用的TPC用或AAB用等，超低浮动特性优异，可用于垂直磁记录用磁头及HAMR等。所述磁头用基板材料为烧结体，该烧结体含有10质量％以上且50质量％以下的NaCl型晶体结构的TiCxOyNz(0.70≤x＜1.0、0＜y≤0.30、及0≤z≤0.1，且0.70＜x+y+z≤1.0)，其余部分为α－Al2O3，且含有总量小于0.02质量％的作为磁性杂质的Fe、Cr、Co的化合物。

公开(公告)号：CN1037038C

公开(公告)日：1998-01-14

申请号：CN95190068.4

申请日：1995-01-27

Applicant: 日本钨合金株式会社

Inventor： 贝本隆 ,  中野修 ,  西藤雅则 ,  稻永浩一

IPC: H01B3/12 ,  H01B3/20 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/02 ,  H01C7/021 ,  H05B3/141 ,  H05B3/148

Abstract: 一种根据本发明的正温度系数热敏电阻(PTC)平面型加热器，它是通过将多个具有在其表面上形成的一对电极的片状PTC陶瓷元件(1)粘接到绝缘体(3)上而形成的。假如提供多个片状PTC陶瓷元件(1)，利用引线(6)将具有相同极性的各电极以并联方式电连接。在已形成电极的表面上形成绝缘弹性层(4)，以防止翘曲、电泄漏和短路。通过使片状PTC陶瓷元件的厚度等于或大于0.5mm避免在印制的烧结之后产生翘曲。

公开(公告)号：CN1123063A

公开(公告)日：1996-05-22

申请号：CN95190068.4

申请日：1995-01-27

Applicant: 日本钨合金株式会社

Inventor： 贝本隆 ,  中野修 ,  西藤雅则 ,  稻永浩一

IPC: H01C7/02

CPC classification number: H01C7/02 ,  H01C7/021 ,  H05B3/141 ,  H05B3/148

Abstract: 一种根据本发明的PTC平面型加热器，它是通过将一个或多个具有在其表面上形成的一对电极的片状PTC陶瓷元件(1)粘接到绝缘体(3)上而形成的。假如提供多个片状PTC陶瓷元件(1)，利用引线(6)将具有相同极性的各电极以并联方式电连接。在已形成电极的表面上形成绝缘弹性层(4)，以防止翘曲、电泄漏和短路。通过使片状PTC陶瓷元件的厚度等于或大于0.5mm避免在印制的烧结之后产生翘曲。根据调节本发明的电阻的方法，通过调节该PTC平面型加热器的每个PTC陶瓷元件(1)的电极(2)之间的电阻来调节PTC陶瓷元件之间的电阻，调节的进行是通过切断各电极图形中的导电通道或者通过利用焊接等技术将先前已断开的导电通道上的预定位置(8)进行连接来实现的。此外，在根据本发明的PTC平面型器件中，将其上形成有一对电极的PTC热敏电阻元件直接与绝缘基片的一侧直接接触，将一绝缘基片安装在该元件的另一侧。

公开(公告)号：CN111799145B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202010217971.7

申请日：2020-03-25

Applicant: 日本钨合金株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田隆志 ,  石井肇 ,  藤本贤二 ,  佐藤直行 ,  长山将之 ,  村上幸一 ,  村上贵宏

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  C04B35/56 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用部件、具备该部件的等离子体处理装置及烧结体的使用方法。等离子体处理装置用部件仅由碳化钨相构成，并且包含选自由Fe原子、Co原子及Ni原子构成的组中的至少一种原子，这些原子的含量的合计为30～3300原子ppm。