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发明公开
物理蒸镀用靶构件和溅射靶构件以及物理蒸镀膜和层结构的制造方法无效

公开(公告)号：CN109996903A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201780072744.6

申请日：2017-11-15

Applicant: 宇部材料工业株式会社 , 日本钨合金株式会社

Inventor： 久保宽明 , 川边康平 , 三谷敦志 , 横山宗佑 , 高巢正信

IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12

Abstract: 提供一种物理蒸镀用靶构件，其中，形成物理蒸镀膜时氧化所致的基底的劣化少，在物理蒸镀膜与基底的接合部产生的缺陷少，物理蒸镀膜与基底的晶格匹配性好，进而，其自身或形成的物理蒸镀膜的水合所致的变质少。物理蒸镀用靶构件包含Mg、M(M为3价金属元素)和O作为主要成分，Mg和M分别换算为MgO和M2O3这样的氧化物后的摩尔比为70：30～10：90。

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