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公开(公告)号：CN113936985B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202110757947.7
申请日：2021-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够抑制对基片的离子冲击的同时高效地生成等离子体来进行等离子体处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置对基片实施等离子体处理，其包括：处理容器；设置在处理容器内的能够载置基片的基片载置台；基片载置台所包含的接地的下部电极；与下部电极相对地设置的上部电极；向上部电极与基片载置台之间供给处理气体的气体供给部；对上部电极施加高频电功率来生成处理气体的等离子体的高频电源；和电压波形整形部，其设置在高频电源与上部电极之间，对高频电源的电压波形进行整形，以抑制被施加于上部电极的高频电压中的正电压。
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公开(公告)号：CN118773582A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410394106.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开涉及一种成膜装置和成膜方法，稳定地形成锆膜。成膜装置具备：处理容器，其内部被减压；电极，其用于使该处理容器的内部的处理空间产生电场；高频电源，其向该电极供给高频电力；载置台，其配置于处理容器的内部，用于载置基板；以及成膜气体导入部，其向处理空间导入气化后的氯化锆，其中，成膜气体导入部由金属构成，成膜气体导入部接地。
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公开(公告)号：CN101914752B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010244028.1
申请日：2006-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/768
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3471 , H01J37/321 , H01L21/2855 , H01L21/76805 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76844
Abstract: 本发明提供金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置。本发明的金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101432459B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780014788.X
申请日：2007-04-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3471 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L2221/1089
Abstract: 本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。将表面形成有凹部的被处理体(例如，半导体晶片(W)等)载置于设置在能够抽真空的处理容器(24)的内部的载置台(34)。之后，在处理容器(24)的内部产生等离子体，在该处理容器(24)的内部，通过上述等离子体使金属靶(70)离子化并生成金属离子。而且，向载置台(34)供给偏置电力，通过该供给的偏置电力将上述金属离子引至载置在上述载置台(34)上的上述被处理体，由此，在包括上述凹部内的表面的上述被处理体的表面上形成薄膜。在本发明中，使偏置电力的大小在上述被处理体的表面实质上不被溅射的范围内变化。
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公开(公告)号：CN101689490B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200880022486.1
申请日：2008-06-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/28 , C23C16/14 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C14/18 , C23C16/045 , C23C16/06 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。
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公开(公告)号：CN101689490A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022486.1
申请日：2008-06-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/28 , C23C16/14 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C14/18 , C23C16/045 , C23C16/06 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。
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公开(公告)号：CN101410952A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780004018.7
申请日：2007-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C14/34 , C23C14/54 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/345 , H01J37/321 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76862 , H01L21/76873 , H01L2221/1089
Abstract: 本发明提供一种种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质，该种膜的成膜方法能够不产生悬突部分地形成种膜。该种膜以下述方式形成：在能够抽真空的处理容器(24)内利用等离子体使金属靶(70)离子化而产生金属离子，利用偏压电力将金属离子引向载置在处理容器内的载置台(34)上的表面具有凹部(4)的被处理体，在包括凹部内的被处理体的表面上形成金属膜，由此形成电镀用的种膜，该成膜方法的特征在于，交替地多次重复进行下述工序：将偏压电力设定为在被处理体的表面上一度形成的金属膜不会被溅射的大小，并形成金属膜的成膜工序；和不产生金属离子，中止金属膜的形成的中止工序。
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公开(公告)号：CN101213642A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200680023575.9
申请日：2006-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C14/34 , C23C14/14 , H01L21/768
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3471 , H01J37/321 , H01L21/2855 , H01L21/76805 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76844
Abstract: 本发明是金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。
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