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公开(公告)号：CN119093899A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411261043.5
申请日：2024-09-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种声表面波谐振器、滤波器及通信设备。该声表面波谐振器包括压电薄膜；以及位于所述压电薄膜上的叉指换能器；所述叉指换能器包括两个汇流条和多个电极指；每个所述汇流条连接有多个所述电极指，且不同汇流条上的多个电极指沿第一方向交错排布；所述第一方向为所述汇流条的长度延伸方向；其中，所述两个汇流条中的至少一个汇流条为螺旋结构。从而可以提高该声表面波谐振器的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN112688657B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202011560361.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述制备方法包括：提供一压电材料层；于压电材料层的至少部分上表面进行离子注入并后退火处理，以于压电材料层中预设深度处形成具有预设厚度的高缺陷密度损伤层；于压电材料层上表面形成至少一个暴露高缺陷密度损伤层的腐蚀窗口；基于腐蚀窗口去除至少部分高缺陷密度损伤层，以于压电材料层中形成空气隙；其中，空气隙将压电材料层分为压电衬底及压电薄膜，压电薄膜位于空气隙的上方，压电薄膜与压电衬底在空气隙的边缘处具有接触；于压电薄膜上表面形成图案化电极。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有声波谐振器无法满足5G通信需求的问题。
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公开(公告)号：CN115332404B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202210933500.5
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种混合集成量子光源LED器件的制备方法，包括步骤：S1在第一衬底上生长缓冲层、牺牲层和P‑I‑N结构，得到第一薄膜；S2在第一薄膜上沉积第一金属图案，并进行腐蚀或刻蚀，获得第二薄膜；S3在第一金属图案上加工出第二光刻胶图案，腐蚀或刻蚀掉牺牲层，获得第三薄膜；S4：拾起第三薄膜并翻转180°；S5在第二衬底上沉积第二金属图案；S6使第二光刻胶图案与第二衬底充分粘接，得到第四薄膜；S7：在第四薄膜上沉积第三金属图案，得到混合集成量子光源LED器件。本发明的混合集成量子光源LED器件的制备方法，将光刻胶作为粘结剂将薄膜紧密地转移到其他材料衬底上，避免其脱落，工艺更简单。
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公开(公告)号：CN117577518B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311555216.X
申请日：2023-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种金刚石基氧化镓半导体结构及其制备方法，在金刚石衬底上制备碳化硅层，形成金刚石‑碳化硅复合结构，并将碳化硅层作为中间层，用于与氧化镓材料的异质集成，形成金刚石‑碳化硅‑氧化镓复合结构，从而可提供散热性能良好、易键合且键合强度高，可批量化生产的金刚石基氧化镓半导体结构。
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公开(公告)号：CN116837463B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202310739417.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及信息功能材料技术领域，尤其涉及一种基于碳化硅的调制器件制备方法及调制器件。方法包括：在碳化硅外延基底上制备外延碳化硅薄膜层；对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域中制备调制器件结构；制备第一器件保护层，并将第一支撑衬底与第一器件保护层进行键合；去除碳化硅外延基底；将第二支撑衬底与调制器件结构键合，去除第一支撑衬底和第一器件保护层，得到基于碳化硅的调制器件。通过对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域进行调制器件结构制备，从而可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅在集成光系统中的高效、高速光调制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118249770A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410151067.9
申请日：2024-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声学谐振器及其制备方法和应用，所述声学谐振器的结构包括：提供一支撑衬底(1)；位于所述支撑衬底(1)上方的SiO2中间层(2)；位于所述SiO2中间层(2)上方的压电薄膜(3)；位于所述压电薄膜(3)上方的金属电极；所述金属电极由相同厚度或不同厚度的接地电极(4)和信号电极(5)组成或者由相同厚度或不同厚度的叉指电极(6)和反射栅(7)组成。本发明通过改变金属电极的厚度可实现谐振器对不同机电耦合系数、谐振频率以及声速的需求。
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公开(公告)号：CN118131391A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410057156.7
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及半导体光电技术领域，尤其涉及一种模式交叉抑制的集成光子芯片、制备方法器件及设备。该模式交叉抑制的集成光子芯片，包括：支撑衬底和设置在支撑衬底上的钽酸锂器件层；钽酸锂器件层的材质为X切型的钽酸锂；钽酸锂器件层中形成有光传输波导，光传输波导中至少部分波导为弯曲波导。通过采用X切型的钽酸锂在支撑衬底形成钽酸锂器件层，由于X切型的钽酸锂具有较小的双折射效应，从而不会在弯曲波导中出现的模式交叉效应，因此可以实现高品质因子的集成光子芯片。而且由于钽酸锂的制备成本较为低廉，因此还能够降低集成光子芯片的生产成本。
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公开(公告)号：CN113381724B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110750879.1
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器及其制备方法，所述体声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，所述压电层中形成有基于刻蚀孔定义的图案化有源区，所述刻蚀孔暴露出所述支撑衬底的上表面；一对顶电极，形成于所述压电层的上表面，且至少形成于所述图案化有源区的相对两侧。通过本发明提供的体声波谐振器及其制备方法，解决了现有体声波谐振器在激发主模的同时存在其他杂波的问题。
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公开(公告)号：CN118039727A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410057181.5
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本申请实施例涉及一种钽酸锂‑氮化硅光电芯片的制备方法及光电芯片，制备方法包括：提供绝缘体上钽酸锂材料；绝缘体上钽酸锂材料包括上下分布的钽酸锂薄膜层和衬底层；采用晶圆键合法在钽酸锂薄膜层上制备氮化硅薄膜层；去除部分氮化硅薄膜层，形成图案化氮化硅薄膜层；在钽酸锂薄膜层上制备金属电极，形成钽酸锂‑氮化硅光电芯片；金属电极和图案化氮化硅薄膜层的位置分离。本申请实施例中，通过采用晶圆键合法形成钽酸锂‑氮化硅异质结构，避开高温沉积氮化硅工艺，确保钽酸锂的极化完整性；通过刻蚀氮化硅形成钽酸锂‑氮化硅异质波导，避开刻蚀钽酸锂这一复杂工艺，充分利用钽酸锂低成本、微波特性和电光属性优良的优势，满足了光电芯片需求。
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公开(公告)号：CN117997301A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410004876.7
申请日：2024-01-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声表面波谐振器、声表面波滤波器和双工器，其中，声表面波谐振器包括：衬底；压电薄膜，设置在所述衬底上；叉指换能器，形成在所述压电薄膜上；还包括：电场施加装置，用于对所述压电薄膜的晶体施加电场，在所述叉指换能器的孔径边界处形成能够对压电声波强反射的铁电畴壁，所述铁电畴壁使得朝向孔径边界正向传播的行波和朝向孔径边界反向传播的行波的相位相等。本发明在实现横向模抑制的同时，没有影响主模的谐振特性，并且也没有改变原有的IDT的工艺以及参数空间。
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