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公开(公告)号：CN103501435B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310451115.8
申请日：2013-09-27
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H04N17/00
Abstract: 一种用密闭LED光源灯箱测试摄像机动态范围的方法及装置，属测试领域。其将密闭箱式分割成两个相邻的相互独立的第一/第二测试空间；在测试空间前部设置带有摄像机测试孔的前面板；在两个测试空间中分别设置LED光源；在LED光源与前面板之间分别设置透明测试卡；沿两测试空间纵向方向设置带有移动滑块的移动滑轨；LED光源设置在移动滑块上；LED光源控制端、移动滑轨控制端以及待测摄像机镜头图像输出端，与控制计算机I/O端口连接。其提供与外界隔离的密闭测试光源环境，两光源之间完全独立，没有任何串扰，LED光源的光学参数设置以及其与被测设备之间的距离及位置调整，均采用计算机控制，使得整个测试设备操作方便，测量精度大大提高。
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公开(公告)号：CN102623619B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210113628.3
申请日：2012-04-17
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 一种基于硅基的LED芯片封装方法及LED芯片发光器件，属半导体器件领域。其在IC芯片封装生产线上对LED芯片进行封装：利用硅片作承载体，采用“键合”方式将LED芯片直接固定在硅片上；用液态玻璃在硅片表面及各个LED芯片之间形成绝缘层；对硅片置有LED芯片的一面进行抛光；采用“镀膜”法在固化后的玻璃以及LED芯片的表面制备连接电极；对硅片进行切割，得到LED发光器件或LED发光器件模块产品。其降低了LED封装成本，为现有集成电路IC芯片封装生产线的应用和使用扩展了一个全新的领域，特别适于大功率LED发光器件的生产，在相同外部环境条件或电源功率的情况下可输出更大的光功率。可广泛用于LED发光器件的生产/制造领域。
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公开(公告)号：CN103501435A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310451115.8
申请日：2013-09-27
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H04N17/00
Abstract: 一种用密闭LED光源灯箱测试摄像机动态范围的方法及装置，属测试领域。其将密闭箱式分割成两个相邻的相互独立的第一/第二测试空间；在测试空间前部设置带有摄像机测试孔的前面板；在两个测试空间中分别设置LED光源；在LED光源与前面板之间分别设置透明测试卡；沿两测试空间纵向方向设置带有移动滑块的移动滑轨；LED光源设置在移动滑块上；LED光源控制端、移动滑轨控制端以及待测摄像机镜头图像输出端，与控制计算机I/O端口连接。其提供与外界隔离的密闭测试光源环境，两光源之间完全独立，没有任何串扰，LED光源的光学参数设置以及其与被测设备之间的距离及位置调整，均采用计算机控制，使得整个测试设备操作方便，测量精度大大提高。
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公开(公告)号：CN102544268A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210055499.7
申请日：2012-03-05
Applicant: 复旦大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光二极管表面处理方法，该方法包括以下步骤：提供待处理的半导体发光二极管芯片；提供等离子体处理设备，该等离子体处理设备具有等离子体真空腔体和等离子体放电功能；清洁待处理的半导体发光二极管芯片并将其干燥；将清洁并干燥后的待处理的半导体发光二极管芯片放入等离子体设备的真空腔体内；将等离子体真空腔体抽真空；在抽过真空的等离子体真空腔体内注入氩气或者氮气，并控制真空腔体内的真空度；对等离子体真空腔体内的惰性气体加高压，处理一定时间后结束放电过程，退出等离子体真空腔体。本发明能够去除芯片表面至亚表面的损伤层，降低漏电流，结合后续钝化工艺，进一步改善钝化的效果，降低漏电流。
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公开(公告)号：CN101673802B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910196566.5
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/427 , H01L23/28 , H01L23/14 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及了一种集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法。本发明采用单颗或多颗大功率发光二极管LED键合在镀有氮化铝AlN薄膜的铜Cu(或铝Al)基板上，其下部焊接有热管，热管底端焊接有散热片，上部焊接有一个金属框，框内布置有单个或多个发光二极管LED芯片，芯片上部有机硅胶灌封避免了荧光体与芯片直接接触，降低了荧光体光衰；硅胶上部为荧光粉胶体层，荧光体形状为中间厚，周围薄，大大提高了出光均匀性；热管与基板、基板与金属框均采用回流焊接，减少了界面热阻。本发明从衬底、粘结层、荧光粉、基板等多个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力和光学性能，器件可靠性高，可广泛应用于照明领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101581770B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910054184.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种LED灯具流明效率测试方法，属测量领域。其构建一与灯具光输出窗口相同尺寸或形状的大面积矩阵型流明光电探测模块，使被测LED灯具的光输出直接照射在大面积矩阵型流明光电探测模块上，扫描矩阵型流明光电探测模块中各个矩阵单元光电探测器的光电流/电压输出信号，将光电数据以及LED灯具总电功率消耗数据输入计算机进行数据累加和处理，进而得到LED灯具输出的总光通量流明和其流明效率。由于其直接接收LED灯具输出的总光通量，可对灯具总光通量进行实时测量，其响应速度快，测试数据的可重复性好，操作方便、快捷，与分布光度计法相比，其设备造价低廉，容易普及到一般实验室，可广泛用于各种灯具的节能性能/发光效率的测试领域。
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公开(公告)号：CN101958236A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055072.5
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片，使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底，然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底，由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小，作为GaN晶体生长的衬底时，易于制备GaN外延薄膜，并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时，可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且，AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发，并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。
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公开(公告)号：CN101581770A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910054184.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种LED灯具流明效率测试方法，属测量领域。其构建一与灯具光输出窗口相同尺寸或形状的大面积矩阵型流明光电探测模块，使被测LED灯具的光输出直接照射在大面积矩阵型流明光电探测模块上，扫描矩阵型流明光电探测模块中各个矩阵单元光电探测器的光电流/电压输出信号，将光电数据以及LED灯具总电功率消耗数据输入计算机进行数据累加和处理，进而得到LED灯具输出的总光通量流明和其流明效率。由于其直接接收LED灯具输出的总光通量，可对灯具总光通量进行实时测量，其响应速度快，测试数据的可重复性好，操作方便、快捷，与分布光度计法相比，其设备造价低廉，容易普及到一般实验室，可广泛用于各种灯具的节能性能/发光效率的测试领域。
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公开(公告)号：CN102569122B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210054565.9
申请日：2012-03-05
Applicant: 复旦大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种LED侧面钝化层质量的测试结构，通过在LED芯片的侧面及衬底的背面上制备G电极，从而可对LED芯片的侧面钝化层的等效电阻进行测量，并进一步对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；同时，还公开了一种LED侧面钝化层质量的测试方法，通过测量LED芯片P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻，并分别与一标准LED芯片样品的P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻进行比较，从而可对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；该方法简单方便，并且成本较低。
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公开(公告)号：CN101954617B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200910055069.3
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: B24B29/02
Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法，包括：采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光；采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光；所述第二浓度低于第一浓度，所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比，使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后，再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光，不必再经过退火步骤。此外，由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小，磨削效率高，分散性好，因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明，抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。
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