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公开(公告)号:CN101956235A
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:CN200910055073.X
申请日:2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种掺铁铝酸锂晶体的制备方法,包括:将氧化铝、碳酸锂和氧化铁作为原料混合后压块得到成型体,烧结所述成型体;加热所述烧结后的成型体得到熔体,将籽晶与所述熔体接触,用提拉法生长掺铁铝酸锂晶体。按照本发明提供的方法,将所述几种原料混合后压块得到成型体烧结后,再用提拉法可以制得大尺寸、透明完整的掺铁铝酸锂晶体。测试结果表明,按照本发明制备的掺铁铝酸锂晶体具有较好的热稳定性和化学稳定性。
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公开(公告)号:CN101954617B
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN200910055069.3
申请日:2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: B24B29/02
Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法,包括:采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光;采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光;所述第二浓度低于第一浓度,所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比,使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后,再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光,不必再经过退火步骤。此外,由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小,磨削效率高,分散性好,因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明,抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。
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公开(公告)号:CN101954617A
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:CN200910055069.3
申请日:2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: B24B29/02
Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法,包括:采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光;采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光;所述第二浓度低于第一浓度,所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比,使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后,再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光,不必再经过退火步骤。此外,由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小,磨削效率高,分散性好,因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明,抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。
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公开(公告)号:CN201521855U
公开(公告)日:2010-07-07
申请号:CN200920212177.2
申请日:2009-11-10
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海理工大学
IPC: F21S6/00 , F21V5/04 , F21Y101/02
Abstract: 本实用新型提供一种LED台灯照明光学系统,包括LED光源,所述的LED台灯照明光学系统还包括非球面透镜体,LED光源出射光线通过非球面透镜体折射后照射到目标照明区域,所述的非球面透镜体包括外表面、内表面和底面,通过使用专门设计的非球面、非成像透镜,使受照面上的照度分布满足国家标准的规定,具有效率高、体积小、重量轻、眩光小以及照明均匀。
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