电力用半导体装置
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108369927B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201680068081.6

    申请日:2016-07-01

    Abstract: 本发明得到在电力用半导体装置的温度循环、高温保存中防止有机硅凝胶的裂纹产生、耐热性和可靠性高的电力用半导体装置。其具备:在上表面形成有金属层22的绝缘衬底2;与金属层22的上表面接合的半导体元件3及主电极5;将金属层22与半导体元件3连接的金属配线4;与绝缘衬底2的下表面侧接合的金属构件1;包围绝缘衬底2、且与金属构件1的接合有绝缘衬底2的面相接的壳体构件6;密封树脂8,其填充于由金属构件1与壳体构件6所包围的区域,室温下的树脂强度为0.12MPa以上,微晶化温度为‑55℃以下,在175℃下保存1000小时后的针入度为30以上且50以下,将绝缘衬底2、金属层22、半导体元件3、金属配线4和主电极5进行密封。

    功率模块
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108292655A

    公开(公告)日:2018-07-17

    申请号:CN201680064838.4

    申请日:2016-11-01

    Abstract: 得到一种功率模块,通过抑制高温时、低温时或使用电压为高电压时的气泡的发生以及硅胶与绝缘基板的剥离,能够抑制热循环所致的绝缘性能的劣化,确保绝缘性能。一种功率模块,其特征在于,具备:绝缘基板(2),在上表面搭载有半导体元件(3);基体板(1),与绝缘基板(2)的下表面接合;壳体部件(6),包围绝缘基板(2),粘接到基体板(1);密封树脂(8),填充到由基体板(1)和壳体部件(6)包围的区域,对绝缘基板(2)进行密封;以及压板(9),从壳体部件(6)的内壁向绝缘基板(2)的外周部的上方突出,紧固于内壁,并与密封树脂(8)相接。

    燃料电池的运转方法
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100388546C

    公开(公告)日:2008-05-14

    申请号:CN200610009026.8

    申请日:2006-02-16

    Abstract: 目的在于用不需要在燃料电池发电系统中的设备的大容量化的容易并且便宜的方法,有效地再生处理氧化剂极。燃料电池具备燃料极、氧化剂极、被燃料极以及氧化剂极夹持的具有氢离子传导性的电解质、向燃料极供给燃料、向氧化剂极供给氧化剂、使燃料和氧化剂发生电化学反应而发电,在从运转停止状态进入稳定运转前,在使燃料极和氧化剂极电气导通的状态下,在燃料极和氧化剂极中在把能够发生以下(式A)以及以下(式B)的电化学反应的流量的燃料供给给燃料极,对氧化剂极进行还原处理后,向氧化剂极供给氧化剂进入稳定运转,其中燃料极:H2→2H++2e-...(式A),氧化剂极:H++2e-→H2...(式B)。

    燃料电池及其制造方法
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1612391A

    公开(公告)日:2005-05-04

    申请号:CN200410087963.6

    申请日:2004-10-27

    Abstract: 提供一种燃料电池及其制造方法,具有可确保充分的电化学活性区,可以可靠地进行气密封接,且均匀地支持固体高分子电解质膜的电极基材的密封部。该燃料电池具有膜电极结合体,在该膜电极结合体中具有在固体高分子电解质膜的中央部分从两面结合的阴极催化剂层和阳极催化剂层,再以比上述阴极催化剂层面积更大的燃料电极基材和比上述阳极催化剂层面积更大的氧化剂电极基材从两面夹持,在上述燃料电极基材中,将围绕上述阴极催化剂层的燃料密封支撑部的空孔的一部分或全部用树脂进行填充,在上述氧化剂电极基材中,将围绕上述阳极催化剂层的氧化剂密封支撑部的空孔的一部分或全部用树脂进行填充,且上述燃料密封支撑部和上述氧化剂密封支撑部用上述树脂和上述固体高分子电解质膜粘接起来。

    半导体装置及其制造方法
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108604589B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN201680081182.7

    申请日:2016-12-14

    Abstract: 得到通过在高温时、低温时、使用电压为高电压时抑制气泡的发生、硅凝胶和绝缘基板的剥离,能够抑制热循环所致的绝缘性能劣化,确保绝缘性能的半导体装置。其特征在于,具备:绝缘基板(5),在上表面搭载有半导体元件(4);基体板(1),接合到绝缘基板(5)的下表面;壳体部件(2),包围绝缘基板(5),与基体板(1)的接合绝缘基板(5)的面相接;密封树脂(8),填充到由基体板(1)和壳体部件(2)包围的区域,对绝缘基板(5)进行密封;盖部件(9),与密封树脂(8)的表面相向,与壳体部件(2)粘合;以及按压板(10),下表面和侧面的一部分与密封树脂(8)的表面密接,上表面从盖部件(9)的与密封树脂(8)的表面相向的面突出地粘合。

    半导体装置及其制造方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108604589A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201680081182.7

    申请日:2016-12-14

    Abstract: 得到通过在高温时、低温时、使用电压为高电压时抑制气泡的发生、硅凝胶和绝缘基板的剥离,能够抑制热循环所致的绝缘性能劣化,确保绝缘性能的半导体装置。其特征在于,具备:绝缘基板(5),在上表面搭载有半导体元件(4);基体板(1),接合到绝缘基板(5)的下表面;壳体部件(2),包围绝缘基板(5),与基体板(1)的接合绝缘基板(5)的面相接;密封树脂(8),填充到由基体板(1)和壳体部件(2)包围的区域,对绝缘基板(5)进行密封;盖部件(9),与密封树脂(8)的表面相向,与壳体部件(2)粘合;以及按压板(10),下表面和侧面的一部分与密封树脂(8)的表面密接,上表面从盖部件(9)的与密封树脂(8)的表面相向的面突出地粘合。

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